公开(公告)号：CN101887899A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010161781.4

申请日：2010-05-04

申请人： 索尼公司

发明人： 水田恭平 ,  糸长总一郎

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明涉及一种固体摄像器件、电子装置以及该固体摄像器件的制造方法。该固体摄像器件包括：半导体基板，其上具有多个光电二极管，该半导体基板包括第一布线部、第二布线部和第三布线部；在所述半导体基板上的第一布线层，该第一布线层包括多个金属膜并延伸过所有所述布线部；以及在所述第一布线层上的第二布线层，该第二布线层延伸过所述第一布线部和所述第二布线部。本发明的固体摄像器件和电子装置能够大幅度提高光学灵敏度。

公开(公告)号：CN101852908A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910301190.X

申请日：2009-03-30

申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

发明人： 余泰成

IPC分类号： G02B7/02 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  G02B3/0062 ,  G02B3/0075 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明涉及一种晶圆级镜头模组阵列，其包括第一镜片阵列、第二镜片阵列及夹设于该第一、第二镜片阵列之间的间隔片阵列。该第一镜片阵列包括多个第一镜片及至少一个第一对位结构。该第二镜片阵列包括多个第二镜片及至少一个第二对位结构。该间隔片阵列包括多个透光孔、至少一个第三对位结构及至少一个第四对位结构。该第一对位结构与第三对位结构、第二对位结构与第四对位结构分别相互配合，以使第一镜片、第二镜片及透光孔的中心轴重合，从而减小第一镜片与第二镜片偏心的可能。

公开(公告)号：CN101771065A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910265670.5

申请日：2009-12-28

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金文焕

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1469 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464

摘要： 一种背面照射式图像传感器的制造方法，包括如下步骤：通过贯穿第一衬底的正面注入离子而形成离子注入层；通过在第一衬底的正面上形成器件隔离区而限定像素区；在该像素区上形成感光器件和读出电路；在第一衬底的正面上形成层间介电层和金属线；将第二衬底与形成有金属线的第一衬底的正面接合；去除位于离子注入层下面的第一衬底的下部；在去除所述下部之后对第一衬底的背面进行湿蚀刻；以及在第一衬底的背面的感光器件上形成微透镜。根据本发明的方法能够稳定且有效地去除背面照射式图像传感器中的衬底的后侧。

公开(公告)号：CN101771060A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910265283.1

申请日：2009-12-30

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 郑承万

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469

摘要： 一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括读出电路、电结区、互连件、图像感测器件和红外滤色镜。该读出电路和该电结区被形成于第一衬底中并相互电连接。该互连件被形成于该电结区上方且该图像感测器件被形成于该互连件上方。该红外滤色镜被形成于该图像感测器件上方且包括多个薄膜。本发明能够最小化暗电流及抑制饱和度的减少和灵敏度的降低。

公开(公告)号：CN101715081A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910179138.1

申请日：2009-09-29

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 黄俊

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：读出电路、互连件、第二层间电介质、图像感测器件、接触插塞、以及侧壁电介质。接触插塞可以通过经过图像感测器件的导通孔将第一导电类型层电连接到互连件。侧壁电介质可以设置于导通孔之内的第二导电类型层的侧壁上。

公开(公告)号：CN101714516A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910225232.6

申请日：2002-08-26

申请人： 肖特股份公司

发明人： 弗罗瑞恩·比克 ,  竹金·雷比

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52 ,  H01L25/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/0203 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种用于为集成在基质材料中的至少一个元件形成电触点连接的方法，所述基质材料包括一个第一表面区域，以及至少一个连接触点，至少部分地设置在用于每个元件的所述第一表面区域中。该方法的特征在于在第一表面区域上敷设一个覆盖层，并且至少一个接触通道垂直于第一表面区域在基质材料中延伸。为了在所要提供的第二表面区域内形成至少一个触点，通过相应的接触通道在该触点与至少一个连接触点之间形成至少一个电触点连接。非常有利的是，这种类型的触点可以在基质材料背对着连接触点的表面上形成，这样在基质材料背对着活性层的一侧上一个触点电气连接到连接触点。所述的方法替代了现有技术，在现有技术的方案中沟道沿着基质材料延伸，并且触点在侧向上围绕着元件形成。

公开(公告)号：CN101645416A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200810181259.5

申请日：2008-11-18

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 黄俊 ,  沈喜成

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明提供一种背部照明图像传感器的制造方法。在该方法中，在第一衬底的前部的整个区域中形成离子注入层；在所述第一衬底的前部中形成器件隔离区域以定义像素区域；在所述像素区域中形成光感测单元和读出电路；在所述第一衬底上形成层间绝缘层和金属线；将第二衬底接合至其上形成有金属线的所述第一衬底的前部；除去第一衬底位于所述离子注入层之下的下部，使得在第一衬底的背部的光感测单元是可用的。本发明的制造方法可以采用离子注入技术稳定有效地去除衬底的背部，而且，通过采用Epi晶片而不是SOI晶片作为原料晶片，可显著降低制造成本。

公开(公告)号：CN100550378C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710142404.4

申请日：2007-08-22

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 韩载元

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：第一衬底，具有光电二极管单元；第二衬底，具有逻辑电路；以及连接电极，用于将所述光电二极管单元与所述逻辑电路电连接。在实施例中，在第一衬底上可以获得更多的用于光电二极管单元的面积，并且可以减少光损失。

公开(公告)号：CN100530670C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610075339.3

申请日：2006-04-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳政澔 ,  李德炯 ,  郑熙根 ,  严甲成

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1469

摘要： 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。

公开(公告)号：CN101471366A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810186552.0

申请日：2008-12-25

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 沈喜成

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469

摘要： 图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：第一衬底和光电二极管。在第一衬底上方形成包括金属互连的电路。光电二极管形成在第一衬底上方并接触金属互连。第一衬底的电路包括：在第一衬底上方的晶体管，在晶体管侧面的电结区，和第一导电型区域。第一导电型区域连接至金属互连并接触电结区。