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公开(公告)号：CN101216523A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710185685.1
申请日：2007-12-28
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 一种变电站接地网缺陷诊断方法，属电力技术领域，用于解决地网缺陷诊断问题。其技术方案是，首先在变电站接地网的两下引导体之间接入异频的正弦波激励源，直接注入激励电流，同时利用探测线圈将注入电流在地表激发的磁感应强度信号转变为感应电压信号，测量磁感应强度在地表的分布，并仿真计算接地网正常情况下的地表磁感应强度分布，然后将测量结果与仿真计算结果进行比较，根据两者的差异，诊断接地网腐蚀变细或断裂缺陷的具体位置和程度。本发明操作简便，可在变电站正常运行的情况下，快速、准确地对接地网网格导体缺陷进行诊断，能满足实际现场的测量与诊断要求。
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公开(公告)号：CN118969739A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC分类号： H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
摘要： 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN113659967B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110969945.4
申请日：2021-08-23
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 用于优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路及方法，包括输入单元、隔离单元、驱动单元、电感单元、连接单元和保护单元，所述输入单元的电压信号和脉冲信号经过隔离单元的隔离和电平转换后输入到驱动单元；所述驱动单元通过接收脉冲信号完成对电压信号的切换，经连接单元向碳化硅MOSFET施加正负驱动电压；所述电感单元采用带螺纹的软磁铁氧体，通过旋转改变软磁铁氧体在线圈中的位置，改变线圈的磁导率，进而改变线圈的电感值，最终实现驱动回路总寄生电感值的调整。
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公开(公告)号：CN109671686B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910084700.6
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本发明的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。
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公开(公告)号：CN107305852B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201610262775.5
申请日：2016-04-25
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。
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公开(公告)号：CN108387774B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810565149.2
申请日：2018-06-04
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R21/02
摘要： 本发明公开一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统，包括：循环试验装置、750A直流电源、n个半导体开关、n‑1个待测半导体器件组、辅助旁路、水冷系统、温度传感器组和测量与控制系统；所述测量与控制系统包括：数据采集装置、移动终端；本发明将测量系统区、开关控制区、电源放置区、待测器件放置区、水冷系统放置区集成在一个循环试验装置内，不同区域放置不同的器件，不仅满足了功能性的要求，还满足了产品实用性和便携性的要求，提高了功率循环试验系统的集成度与可靠性。
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公开(公告)号：CN116646258A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310592212.2
申请日：2023-05-24
摘要： 本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第一三通阀的第三端与第一绝缘气体存储容器连接；第二绝缘气体存储容器与第二三通阀的第一端连接，第二三通阀的第二端通过第二通孔与腔体的内部连通，第二三通阀的第三端与外界环境连接；硅凝胶注入装置通过第三通孔伸入至腔体的内部，实现对放置在腔体的内部的IGBT器件的灌封，本发明增设了两个绝缘气体存储容器和废气处理装置，提高了利用有机硅凝胶灌封得到的IGBT器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
申请人： 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
发明人： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN115579334A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211234864.0
申请日：2022-10-10
申请人： 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/48 , H01L23/427 , H01L23/473
摘要： 本发明提供一种用于气液混合态介质内的散热装置及其制备方法，属于散热领域，散热装置包括：散热板及多个支撑结构。散热板竖直方向的一侧与热源接触；散热板与热源相对的一侧设置多个支撑结构；多个支撑结构在散热板的水平方向上均匀设置，且水平方向的各支撑结构的面积相等；多个支撑结构的面积在竖直方向上从上至下依次变大；散热板、支撑结构及热源均位于气液混合态介质内。通过合理设置支撑结构的位置及大小，能够准确掌握不同区域的散热面积，进而提高了散热装置压力分布的一致性及散热的均匀性。
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公开(公告)号：CN114927428A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210568697.7
申请日：2022-05-24
摘要： 本发明涉及一种高致密硅凝胶灌封方法，属于弹性压接型功率器件领域，通过逐层灌封与分阶段脱气相结合的方法，减小每层要脱气的硅凝胶厚度，降低狭小缝隙处硅凝胶的压强，使气泡更容易膨大，进而使其容易脱离缝隙，减少器件封装用硅凝胶中残存气泡，提高封装材料的绝缘能力，进而提升器件的整体耐压能力。
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