半导体发光装置
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102522485A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110427212.4

    申请日:2009-02-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置。在半导体发光装置的封装体(1)的凹部(2)的底面上,设置放置发光元件(3r,3g,3b)的镀了银的金属部件区域(4)、铜板图案的引出电极(6)、和将金属部件区域(4)分隔为多个的凸形树脂部(7)。在金属部件区域(4)上部分形成遮盖树脂(8),还设置密封树脂,以覆盖金属部件区域(4)、遮盖树脂(8)、和凸形的树脂部(7)。根据这种结构,使密封树脂与放置发光元件的金属部件区域(4)的接触面积减少,防止金属部件区域(4)与发光元件的脱落和错位等,从而能提供可靠性高的半导体发光装置。

    芯片部件式LED及其制造方法

    公开(公告)号:CN101488546B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200810190882.7

    申请日:2008-10-29

    Inventor: 松田诚 幡俊雄

    Abstract: 本发明提供一种芯片部件式LED,在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板,在包含第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板。在第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片,该LED芯片通过金属细线电连接于第二凹孔内的金属薄板,包含第一凹孔的LED芯片和包含第二凹孔的所述金属细线被含有荧光体的第一透明树脂密封。包含第一透明树脂的绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。

    附加数据生成系统
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102100081A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200980128152.7

    申请日:2009-06-23

    Abstract: 提供了一种附加数据生成系统,所述附加数据生成系统能够基于附加数据来生成输出,以基于输出数据将信息传达效果赋予输出。所述附加数据生成系统包括:源单元1,被配置为提供输出信号;操作控制单元4,被配置为从输出信号获得输出数据;第一输出单元5,被配置为基于输出数据来产生输出;附加数据生成器3,被配置为生成对来自第一输出单元的输出的特征予以强调的附加数据;第二输出单元6,被配置为基于附加数据来生成输出;以及操作单元2,被配置为向操作控制单元输出用于改变输出数据的操作信号。

    表面安装型发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101252164B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200810074060.2

    申请日:2008-02-21

    CPC classification number: H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明提供一种散热性、可靠性和生产性优异的表面安装型发光二极管。该表面安装型发光二极管(10)具有金属制的基底部件(2)、背面接合固定在基底部件(2)上的半导体发光元件(1)、按照包围半导体发光元件(1)的方式在基底部件(2)上隔着热传导性接合片(5)接合的金属制的反射体(6)。从半导体发光元件(1)产生的热通过基底部件(2)和热传导性接合片(5)向反射体(6)传导,并从反射体(6)向外部散热。反射体(6)是金属制,所以能把从半导体发光元件(1)产生的热高效向外部散热。在反射体(6)设置切削部,如果沿着该切削部切割,就能容易切割,所以不会降低成品率,能提高生产性。

    氮化物半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101140977B

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200710149626.9

    申请日:2007-09-10

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层,所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体;金属层;第二透明导体;第一导电型氮化物半导体层;发光层;和第二导电型氮化物半导体层,所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。

    氮化物基化合物半导体发光器件

    公开(公告)号:CN100388518C

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200510099610.2

    申请日:2005-08-30

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明通过在氮化物基化合物半导体发光器件制造工艺中芯片分割时抑制剥落和抑制在半导体层中的短路,提供一种具有良好特性且确保高可靠性的氮化物基化合物半导体发光器件。所述半导体发光器件,具有第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层(21)、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3),依次设置在导电衬底(1)上,且还具有氮化物基化合物半导体层(60),设置在第二欧姆电极(3)上。第二欧姆电极(2)的部分表面被暴露。

    氮化物半导体发光二极管芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN1614794A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN200410089759.8

    申请日:2004-11-05

    CPC classification number: H01L33/20 H01L33/0095

    Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光二极管芯片,包括:一透明衬底(101)以及在所述衬底的上表面上形成的一氮化物半导体叠层结构(102-106),所述氮化物半导体叠层结构包括一发光层(104)和多个其他半导体层,所述衬底(101)具有任意结晶主表面并且厚度大于120μm,由此提供从所述芯片提取光的改善的效率。所述芯片的至少一个分割平面相对于和所述衬底的主表面垂直的一平面呈角度,并且所述衬底的下表面的面积比所述氮化物半导体叠层结构的上部区域小,由此进一步改善从所述芯片提取光的效率。

    氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1577904A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410054958.5

    申请日:2004-07-26

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 一种氮化物基化合物半导体发光器件,包括在包含包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层的半导体叠层(36)的第一主表面(60)上局部形成的支撑电极(700)。一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法,包括步骤:通过在衬底上至少局部地堆叠包括发光层(4)的氮化物基化合物半导体层形成半导体叠层(36);在与所述衬底(1)相对设置的所述半导体叠层(36)的主表面(60)上局部地形成支撑电极(700);和除去所述衬底(1)。由此,提供了一种具有高外部发光效率、没有晶片破碎和破裂的氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法。

    便携式显示装置、图像供给装置、显示系统

    公开(公告)号:CN109525806A

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201811089734.6

    申请日:2018-09-18

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明的课题在于提升用户与表演者或竞技者的一体感。解决上述课题的手段为一种便携式显示装置(30),其具备:拍摄图像取得部(31),取得被安装于多个移动物体的各者的拍摄装置所拍摄的拍摄图像;选择部(32),自上述拍摄图像取得部所取得的各拍摄图像,参照限制信息而选择应提示的拍摄图像;以及显示部(33),显示上述选择部所选择的拍摄图像。

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