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公开(公告)号：CN117792305A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311863246.7
申请日：2023-12-29
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于硅基工艺的高对称性W波段功率放大器电路，包括：输入匹配电路、驱动级电路、级间匹配电路、输出级电路和输出匹配电路。功率放大器电路采用差分结构，驱动级电路采用晶体管堆叠结构的连接方法，通过采用对称性的布局方式，使每个晶体管的工作状态相同；输出级电路将接收到的信号进行放大并输出；输出级电路的电路结构与驱动级电路的电路结构相同。本发明通过采用差分结构和晶体管堆叠结构，提高电路的输出功率，采用高对称性的布局方式，使得驱动级电路中每个晶体管的工作状态相同，将功率流平均分配到每一个晶体管，从而提高了电路的输出功率、增益以及功率附加效率；利用匹配电感之间的虚地特性减小了电路的版图面积。
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公开(公告)号：CN113643960B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110632336.X
申请日：2021-06-07
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种基于脉冲法的β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述β‑Ga2O3薄膜包括：同质衬底层、至少一个脉冲β‑Ga2O3层和至少一个β‑Ga2O3层；所述脉冲β‑Ga2O3层的数量与所述β‑Ga2O3层的数量相同；所述同质衬底层与所述β‑Ga2O3层之间生长有脉冲β‑Ga2O3层；每两个所述β‑Ga2O3层之间生长有脉冲β‑Ga2O3层。本发明能够基于脉冲法，在同质衬底层外延生长高质量，低位错密度的β‑Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN117497983A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311369203.3
申请日：2023-10-20
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；硅基板中设有TSV结构，上金属层和金属底板通过TSV结构实现上下连接，形成扇形基片集成波导结构；扇形基片集成波导结构具有m个扇形金属谐振腔；m个扇形金属谐振腔是利用至少一条耦合槽线将扇形基片集成波导结构进行分割得到的；耦合槽线用以实现相邻扇形金属谐振腔间的耦合；其中，m表示滤波器阶数，m≥2，n＝360°/θ，θ为扇形金属谐振腔的圆心角。该结构实现了宽通带和双通带特性的无源器件，在不降低器件性能的同时降低了其面积。
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公开(公告)号：CN117351942A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311319177.3
申请日：2023-10-12
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于二次重构的多语言音色转换方法，本发明构建由音色提取模块，文本预处理模块，梅尔频谱图生成模块组成音色转换学习网络；语音识别模型将音频识别出的文本替换成识别成音素，在完成音色转换任务的同时，提升了语音识别的准确率。音频两次重构生成新的梅尔频谱图，生成的过程不仅仅是进行了音色转换，而且实现了不同语种之间的音色转换。模型能够感知到不同语言之间的说话的差异性，并且能够在转换的过程中减缓语言差异性带来的影响，解决了不同语种间音色转换存在的口音问题，使得提取的文本特征更加精确，保证了音色转换后发音的准确性。
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公开(公告)号：CN116565006A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310390161.5
申请日：2023-04-12
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/205
摘要： 本发明公开了一种GaAs基P沟道增强型CMOS器件，包括：GaAs缓冲层叠加在衬底上；未掺杂GaAs层叠加在GaAs缓冲层上；未掺杂GaN层叠加在未掺杂GaAs层上位于隔离区的一侧；AlGaN势垒层叠加在未掺杂GaN层上；p‑GaN层叠加在AlGaN势垒层的中间；第一源电极和第一漏电极分别位于p‑GaN层的两侧；第一栅电极叠加在p‑GaN层上；n‑GaAs层位于隔离区的另一侧；n‑GaAs层有两个P掺杂区；第二源电极和第二漏电极分别叠加在两个P掺杂区上；栅介质层位于两个P掺杂区之间且叠加在n‑GaAs层上；第二栅电极，叠加在栅介质层之上。本发明极大地提升了载流子浓度，改善了器件性能。
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公开(公告)号：CN116318045A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310078594.7
申请日：2023-01-30
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H03H11/16
摘要： 本发明涉及一种采用增益补偿技术的W波段高精度数控移相器，包括90°极性切换逻辑电路、射频放大器、输入巴伦、正交信号发生器、模拟加法器、双路射频放大器和180°极性切换逻辑电路，其中，90°极性切换逻辑电路用于生成90°状态电压，射频放大器分别连接90°极性切换逻辑电路和输入巴伦，射频放大器用于根据90°状态电压对接收的射频信号进行移相；输入巴伦、正交信号发生器、模拟加法器依次连接，通过接收的片外控制信号对射频信号进行二次移相，双路射频放大器连接180°极性切换逻辑电路，通过接收的片外控制信号对射频信号进行三次移相以完成射频信号的移相，本发明的数控移相器降低了插入损耗和增益误差，提高了数控移相器合成信号的相位精度。
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公开(公告)号：CN114171866B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111363252.7
申请日：2021-11-17
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明涉及一种玻璃基超宽阻带微波滤波器及双工器，微波滤波器包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，其中，所述第一金属层的侧壁设置有输入端口和输出端口，所述第一金属层上开设有耦合凹槽；所述介质层中贯穿有多个导体柱，所述多个导体柱与所述第一金属层、所述第二金属层形成第一阶谐振腔、第二阶谐振腔、第三阶谐振腔和第四阶谐振腔；所述第二金属层上开设有第一矩形窗口、第二矩形窗口、第三矩形窗口和第四矩形窗口。该滤波器在第二阶谐振腔R2和第三阶谐振腔R3之间引入耦合凹槽，产生了电耦合，使得滤波器采用单层的结构就能实现滤波，从而无需采用双层键合的方式，制备工艺简单，得到的滤波器厚度较薄。
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公开(公告)号：CN115841950A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211261766.6
申请日：2022-10-14
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/225 , H01L21/324 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法，方法包括：对衬底层进行热处理；在热处理后的衬底层上依次生长成核层、缓冲层、背势垒层、p型GaN层，刻蚀器件形成器件的台面隔离；对器件栅极区域的p型GaN进行部分刻蚀形成栅凹槽；在栅凹槽中淀积n型掺杂扩散层；在p型GaN层和n型掺杂扩散层上生长保护层；对器件进行退火扩散；去除所有的保护层，以及残余的n型掺杂扩散层；在源极、漏极区域分别沉积源金属和漏金属形成源电极和漏电极；在完成源电极和漏电极的器件表面淀积介质层；在栅极区域沉积栅金属形成T型栅电极，并腐蚀掉源、漏电极接触区域的介质层。本发明提高了GaN增强型PMOS器件性能。
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公开(公告)号：CN115763606A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211029746.6
申请日：2022-08-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInP/GaAs/Ge电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。
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