使用溅射装置的溅射方法
    72.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103088305B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201210417924.2

    申请日:2012-10-26

    发明人: 李在春

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明涉及一种使用溅射装置的溅射方法,更详细地涉及一种设定从溅射靶材的一侧到另一侧的整个扫描区间,并使磁体沿着所述整个扫描区间做正向和反向的连续多次往返运动,以扫描所述溅射靶材的溅射装置的溅射方法。其特征在于,将所述整个扫描区间分割为n个部分,并且为了将溅射靶材均匀侵蚀,使磁体在被分割成n个部分的所述整个扫描区间的部分区间移动。由此,提供一种通过溅射靶材的均匀的侵蚀,能够提高溅射靶材的使用效率,且延长溅射靶材的更换周期,并可降低溅射工艺的制造成本的使用溅射装置的溅射方法。

    线性扫描溅射系统和方法
    74.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104114741B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201280059621.6

    申请日:2012-11-02

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 一种溅射系统,其具有带输入端口和输出端口的处理室,和定位在所述处理室的壁上的溅射靶。可动的磁体配置被定位在所述溅射靶的后面并且在所述靶的后面往复地滑动。输送机以恒定速度连续地运输基片经过所述溅射靶,使得在任意给定时刻,若干基片在前缘和后缘之间面对所述靶。所述可动的磁体配置以至少是所述输送机的所述恒定速度几倍的速度滑动。旋转区域被限定在靶的所述前缘和后缘的后面,其中所述磁体配置当其进入所述旋转区域时减速、且当其在所述旋转区域内调转滑动方向时加速。

    溅射装置和溅射成膜方法
    75.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104364418B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201380030025.X

    申请日:2013-03-12

    发明人: 佐佐木雅夫

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/34

    摘要: 溅射装置具备具有磁铁的3个靶,磁铁(7a、7b、7c)的每一个被控制成进行从顺方向的行程端向逆方向移动后停止的第1移动、从第1移动后的停止位置移动到逆方向的逆方向的行程端后停止的第2移动、和从逆方向的行程端移动到顺方向的行程端后停止的第3移动。并且,成膜时被控制成,第1移动的期间形成于基板的第1膜、第2移动的期间形成于基板的第2膜、和第3移动的期间形成于基板的第3膜由各不相同的靶(4a、4b、4c)成膜,而且第1、第2、第3膜在基板上重叠。

    磁控溅射腔室及磁控溅射设备

    公开(公告)号:CN104928635A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201410107896.3

    申请日:2014-03-21

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明提供的磁控溅射腔室及磁控溅射设备,其包括承载件和环形磁体组件,其中,承载件用于承载环形磁体组件,并使其与磁控溅射腔室内的等离子体隔离;环形磁体组件环绕在靶材的外围,且位于靠近靶材的位置处,用以在进行溅射沉积工艺时,产生可提高靶材边缘区域的磁场强度的辅助磁场,从而可以增加自靶材边缘区域溅射出粒子的数量,且减少自靶材中心区域溅射出的粒子数量,进而可以提高基片边缘区域的薄膜厚度,减小基片中心区域的薄膜厚度。本发明提供的磁控溅射腔室,其不仅可以更灵活地调节磁控溅射腔室内产生的磁场的分布和强度,而且还可以在能够获得低应力的薄膜的前提下,提高薄膜厚度的均匀性。

    磁控溅射装置以及磁控溅射方法

    公开(公告)号:CN104114742A

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201280070032.8

    申请日:2012-10-26

    发明人: 后藤哲也

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明的磁控溅射装置具有:第1磁体列(33),其呈螺旋状排列;第2磁体列(35),其与第1磁体列(33)并列;固定磁体(38),其配置于第1磁体列的周围和第2磁体列的周围;磁体旋转机构(30),其使第1磁体列和第2磁体列(33、35)以旋转轴线(Ct)为中心旋转;以及多个磁感应构件(11),从靶材(21)侧观察,在横截旋转轴线方向的方向上,其配置在第1磁体列的外周和第2磁体列(33、35)的外周与固定磁体(38)之间,并且沿旋转轴线方向排列,该多个磁感应构件(11)用于吸引自第1磁体列(33)出来的磁力线并将该出来的磁力线向靶材(21)侧引导,或者,吸引自靶材(21)侧进入的磁力线并将该进入的磁力线向第2磁体列(35)引导。

    溅射装置
    78.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104073772A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201310361795.4

    申请日:2013-08-19

    发明人: 沈载润 崔丞镐

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 在溅射过程中能够有效减少目标损害的溅射装置包括:第一磁组件,第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面,第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面;第一屏蔽件,第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上;以及第一支撑件,第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端,第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴,第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件。