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公开(公告)号:CN1537358A
公开(公告)日:2004-10-13
申请号:CN02815048.1
申请日:2002-06-26
申请人: 自由度半导体公司
发明人: 楚明·D.·施
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F1/301
摘要: 一种连接到功率放大器PA的有源偏置电路(30),在大的温度范围内维持功率放大器DC静态电流为固定值。该有源偏置电路(30)包括第一和第二电流镜电路(32、34)。该功率放大器PA是第二电流镜电路(34)的一个元件。将一个温度补偿电路(42)连接到第一电流镜电路(32),以此来提供温度补偿。将一个第一参考电压源经由温度补偿电路(42)连接到第一电流镜电路(32),用于给第一电流镜电路(32)提供第一参考电压Vref。将一个电流宿(36)连接到第一电流镜电路(32)的一个晶体管,将一个电压源调节电路(38)连接到第一电流镜电路(32)用于设置提供给第一电流镜电路(32)的电压。
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公开(公告)号:CN1156990C
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN01122022.8
申请日:2001-06-22
申请人: 国际商业机器公司
摘要: 公开了一种射频信号功率放大器的偏置网络。一个电流源连接到频带隙电压的源极并产生与该电压成比例的电流。基准电压电路接收该电流并产生与该电流及设备温度成比例的电压。运算放大器连接基准电压和该功率放大器,该功率放大器有效与基准电压电路和电流荷载电路隔离。功率放大器击穿保护电路连接在运算放大器输出的两端,当功率放大器输出失配时用于将功率放大器产生的雪崩电流从功率放大器引开,避免杂散辐射分量的产生。
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公开(公告)号:CN1156960C
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN99816797.5
申请日:1999-07-09
申请人: 诺基亚公司
CPC分类号: H03F1/301 , H03F1/3241 , H03F1/342
摘要: 本发明提出了一种通过改变功率设备的输入信号来调整所述功率设备的参数的方法,所述方法包括步骤:取出所述功率设备的输出信号的抽样,检测所述抽样后输出信号的基频的第一功率电平以及二次或更高次谐波的第二功率电平,处理所检测到的第一和第二信号功率电平,根据在所述处理步骤中得到的结果,判断是否需要补偿所述参数的变化,以及如果需要补偿这种变化,确定所述输入信号的变化值,并且通过将所述输入信号改变所确定的变化值来调整所述参数。
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公开(公告)号:CN1283327A
公开(公告)日:2001-02-07
申请号:CN98812521.8
申请日:1998-12-17
申请人: 艾利森电话股份有限公司
发明人: P·-O·布兰德特
IPC分类号: H03F1/30
摘要: 一种场效应晶体管电路,包括具有连接到各电源(Vss,4)线的漏极(D)和源极(S)端以及接收输入信号的栅极(G)端的场效应晶体管(1),该电路还包括一个二极管(6),它的阳极(B)连接到晶体管(1)的栅极(G)端,它的阴极连接到偏置电压源(7,Vb),其中设置二极管(6)以使电路使用时,场效应晶体管(1)的栅极(G)端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。
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公开(公告)号:CN109716648A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201780056627.0
申请日:2017-07-26
申请人: 派赛公司
发明人: 乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
CPC分类号: H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/105 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/78
摘要: 用于硅基放大器架构的偏置电路和方法,其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子,通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
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公开(公告)号:CN106208979B
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201610366160.7
申请日:2016-05-27
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 平间哲也
IPC分类号: H03F1/30
CPC分类号: H03F3/211 , H03F1/0205 , H03F1/30 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/45479 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/468 , H03F2200/555
摘要: 提供一种低消耗功率且具有良好的特性的多级放大器。多级放大器(10)具有:初级放大器(11);第2级放大器(12);最终级放大器(13);偏置电路(31),其将电流偏置供给至初级放大器(11);以及偏置电路(32),其将电流偏置供给至最终级放大器(13)。设置调整电路,该调整电路对流过中间节点(150)的电流的量进行调整,以对中间节点(150)的电位变动进行抑制。在实施方式1中,第2级放大器(12)起该调整电路的作用。第2级放大器(12)能够优选地应用自偏置型CMOS逆变器。偏置电路(31)以偏置的大小对应于电路温度的上升而增大的方式将电流偏置供给至初级放大晶体管(Tr1、Tr2、Tr3)的栅极。
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公开(公告)号:CN108304020A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201711038188.9
申请日:2017-10-30
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: G05F1/56
CPC分类号: H03F1/301 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45246 , H03F3/45475 , H03F3/45632 , H03F3/45928 , H03F2200/135 , H03F2200/294 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03F2200/471 , H03F2203/45116 , H03F2203/45512 , G05F1/56
摘要: 本发明实施例涉及低耗电的半导体装置。本发明实施例涉及一种放大单元,其包含转换器及反馈机构。所述转换器具有耦合到供应节点的供应输入。所述转换器进一步具有经配置以接收输入信号的输入端子。所述转换器经配置以放大来自所述输入端子的所述输入信号以产生输出信号。所述反馈机构耦合到所述转换器的所述输入端子,且经配置以基于所述输入信号而引起恒定偏压电流从所述供应节点流动通过所述转换器。
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公开(公告)号:CN108288955A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201810017813.X
申请日:2018-01-09
申请人: 亚德诺半导体集团
CPC分类号: H03F1/301 , H03F1/26 , H03F3/45273 , H03F3/45753 , H03F2203/45462
摘要: 本公开涉及操作放大器。放大器电路包括耦合输出阶段的一对差分输入阶段,其中选择的输入阶段和未选择的输入阶段都和差分输入信号或参考电压中的一者或任一者有源。当放大器输入信号小于阈值电压时,切换网络将第一输入差分信号耦合到第一差分输入阶段,并将参考电压耦合到第二差分输入阶段。当放大器输入信号大于阈值信号时,切换电路还将第二输入差分信号耦合到第二差分输入阶段,并将参考电压耦合到第一差分输入阶段。
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公开(公告)号:CN108141183A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680058771.3
申请日:2016-08-05
申请人: 雷声公司
发明人: V·S·卡佩尔
CPC分类号: H03F1/301 , H03F1/0222 , H03F1/086 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/18 , H03F2200/181 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/504 , H03F2200/72 , H03F2200/75
摘要: 一种放大器,其具有布置在串联连接到第一电压源的共源共栅放大器装置中的一对晶体管。提供了一种DC偏置调节器,其具有:用于在所述一对晶体管中的第一晶体管的控制电极处产生参考电压的DC偏置电路:以及具有一对输入端的电压组合器,所述一对输入端中的第一输入端被耦合到所述参考电压,并且所述一对输入端中的第二输入端被耦合到所述第一电压源。所述DC偏置调节器在所述一对晶体管中的第二晶体管的控制电极处产生与所述参考电压和所述第一电压源的组合相关的DC偏置电压。
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