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公开(公告)号：CN101506901A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031446.9
申请日：2007-10-28
申请人： 万国半导体股份有限公司
发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密
IPC分类号： G11C17/00
CPC分类号： G11C17/16 , H01L27/0207 , H01L27/112 , H01L27/11206
摘要： 本发明公开了一种电路调节系统，其包括一个一次性可编程(OTP)存储器。此OTP存储器包括一正向偏压调节器件连接在一电源电压Vcc与一接地电压之间，其中Vcc电压具有一减低电压，比用于反向偏压器件的10伏特或更大的调节电压低。OTP存储器进一步包括一驱动电路来选择在低电流状态的OTP存储器，并开启一高调节电流流经正向偏压调节器件来调节与编程OTP存储器。此调节系统进一步包括一感测电路并联正向偏压调节器件以感测正向偏压调节器件的电流与电压。
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公开(公告)号：CN101454902A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780020021.8
申请日：2007-05-18
申请人： 国立大学法人山梨大学 , 日本化学工业株式会社
CPC分类号： H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/04 , H01L51/0026 , H01L51/0037 , H01L51/0076
摘要： 本发明的存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，其具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖前述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。
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公开(公告)号：CN101310342A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000113.X
申请日：2007-03-22
申请人： 爱德万测试株式会社
CPC分类号： G01R31/31932 , G11C29/56 , G11C29/56008 , G11C2029/5606
摘要： 本发明提供一种对用于存储附加了错误订正符号的数据流的被测试存储器(以下称为DUT)进行有效测试的测试装置。该测试装置将从DUT读取的数据流所包含的各比特与期望值相比较。该比较结果作为表示DUT的每个存储单元是否合格的比特合格/失效信息被存储在第一失效存储器(以下称为FM)中。存储装置在每一页统计与期望值不一致的比特数，并在DUT的每一级别及每一页，判断与期望值不一致的比特数是否满足该级别的条件。该判断结果作为在每个级别表示各页是否合格的页合格/失效信息被存储在第二FM中。如果包含有对应某存储单元的比特的页满足某级别条件的比特合格信息存储在第二FM中，则测试装置将第一FM的比特合格/失效信息变更为表示该存储单元合格的值进行输出。
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公开(公告)号：CN1992084A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610156259.0
申请日：2006-12-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 加藤清
CPC分类号： H01L27/1266 , G11C7/24 , G11C8/08 , G11C17/14 , G11C17/165 , G11C17/18 , G11C29/787 , G11C29/816 , G11C29/848 , H01L27/1214
摘要： 由于一次写入存储器只能够进行一次写入，所以，不可通过实际的写入检查检出坏位。因此，不可如上所述那样采取设置冗余电路以在修复坏位之后才出货的措施，因而，难以提供缺陷较少的存储器。本发明的目的在于提供一种缺陷概率大幅度降低的一次写入存储器。本发明的可只进行一次写入的非易失性存储器，包括：冗余存储单元；对所述冗余存储单元分配地址的第一电路；输出判定信号的第二电路，该判定信号表示是否正常地进行了写入；所述判定信号被输入并控制所述第一电路及所述第二电路的时序的第三电路。
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公开(公告)号：CN1231922C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02118574.3
申请日：2002-04-28
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： G11C17/00 , G11C17/08 , H01L27/115
摘要： 本发明提供一种遮幕式只读存储器及包含该遮幕式只读存储器的内存，该遮幕式只读存储器包括：一存储单元阵列，包括多个字符线及多个存储单元，其中，字符线呈棋盘状排列，且存储单元具有对应的漏极；多个第一位线，平行存储单元阵列的对角线，位于漏极上方，其中，每一字符线两侧的漏极是与上方对应的位线分别导通及不导通；多个第二位线，平行存储单元阵列的对角线，位于漏极上方，其中，每一字符线两侧的漏极是与上方对应的位线分别导通及不导通；多个第三位线，用于连接第一位线；及多个第四位线，用于连接第二位线。
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公开(公告)号：CN1519862A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310122583.7
申请日：2003-12-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C17/00 , G11C17/18 , H01L27/112
CPC分类号： G11C29/846 , G11C29/785
摘要： 本发明提供将缺陷存储单元置换成地址存储电路及数据存储电路的情况下的数据读出时间与从存储单元阵列读出数据的情况下的数据读出时间相等的，芯片面积小的半导体装置。本发明的半导体装置具有：共用输出数据线，根据存储装置选择信息及地址信息输出从存储单元读出的数据的多个读出专用存储装置和转换装置，所述转换装置具有：存储缺陷存储单元的存储装置选择信息及地址信息的地址存储电路；存储缺陷存储单元的置换数据的数据存储电路；以及输入通过输出数据线输出的，读出专用存储装置的输出数据与数据存储电路的输出数据，根据地址存储电路存储的存储装置选择信息及地址信息，输出其中一方的转换电路。
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公开(公告)号：CN1120499C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98102638.9
申请日：1998-06-22
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 藤幸雄
CPC分类号： G11C11/5621 , G11C7/1006 , G11C8/14 , G11C11/5642 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C2211/5634
摘要： 本发明的半导体器件包括一个存储单元，其阈值设置为n种阈值之一，包括：一条字线用以选择存储单元；一个X译码器来选择字线；一个读出放大器以放大存储单元的输出；n-1个基准单元，其中设置了n-1种阈值，用以放大每一个基准单元的输出；和n-1个差分放大器以接收读出放大器和每一个基准放大器的输出。还包括一个编码器以对n-1个差分放大器的输出进行编码。
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公开(公告)号：CN1120498C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN97120389.X
申请日：1997-12-11
申请人： 恩益禧电子股份有限公司
发明人： 小松宪明
CPC分类号： G11C17/12
摘要： 一种ROM系统包括第一ROM单元，其栅极与字线连接，源-漏极通路连接在第一和第二数据线间；第二ROM单元，其栅极与字线连接，源-漏极通路连接在第二和第三数据线之间；第三ROM单元，其栅极与字线连接，源-漏极通路连接在第三和第四数据线之间；读出放大器放大来自ROM单元的数据；当从第一ROM系统读取数据时，第一数据线与电压源连接，第二数据线与读出放大器连接，第三和第四数据线被充电到设定电压值。
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公开(公告)号：CN1412631A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02145716.6
申请日：2002-10-09
申请人： 本田技研工业株式会社
CPC分类号： G11C16/102
摘要： 一种交通工具控制器，包括用来存储至少一个数据块的第一个缓冲区，用来存储至少一个数据块的第二个缓冲区，以及用来存储控制交通工具的信息的可重写非易失性存储器。该控制器从外部重写装置接收数据块并将其存储在第一个缓冲区。存储在第一个缓冲区的数据块传输到第二个缓冲区。存储在第二个缓冲区中的数据块写入第二个缓冲区。当第一个数据块写入存储器中时，接收随后的数据块。因此，减少了重写存储在非易失性存储器中的数据的所需要的时间。
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公开(公告)号：CN1404150A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02132217.1
申请日：2002-08-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/115 , G11C11/34 , G11C17/00
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/105 , H01L27/11573 , H01L29/792
摘要： 本发明具有包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的栅极绝缘膜，和在这个栅极绝缘膜上形成的栅极，包含可以电写入/擦除信息的存储单元，电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧氮化膜构成，第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，第2绝缘层的厚度比5(nm)大，栅极由包含p型杂质的p型半导体构成。
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