公开(公告)号：CN100483767C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN03808878.9

申请日：2003-02-14

申请人： 微米技术有限公司

发明人： K·A·坎贝尔 ,  J·穆尔

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/34 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明涉及用于提供具有改善的数据保持和转换特性的电阻可变存储器元件的方法和装置。根据本发明的一个实施方案，电阻可变存储器元件在玻璃层(17，20)之间设有至少一层银的硒化物层(18)，其中玻璃层中的至少一层是硫族化物玻璃，优选具有GexSe100-x成分。

公开(公告)号：CN100483549C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN02827370.2

申请日：2002-11-20

申请人： 微米技术有限公司

发明人： G·哈斯 ,  J·巴克

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C7/062 ,  G11C11/16 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2213/79

摘要： 公开了一种方法和设备，用于使用互补PCRAM元件来感测可编程导体随机存取存储器(PCRAM)的阻态，一个保持被感测的阻态和另一个保持互补阻态。感测放大器通过高和低电阻元件来检测电压释放，以确定被读取元件的阻态。

公开(公告)号：CN100449340C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN03802232.X

申请日：2003-01-16

申请人： 微米技术有限公司

发明人： J·E·格伊西克 ,  L·福尔贝斯

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12078 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01S5/105

摘要： 公开了用三维(3D)光子晶体形成的波导结构。所述3D光子晶体包括在固体衬底上形成的周期性空位阵列。所述空位的排列能够创造完全的光子带隙。所述空位可以使用称为”表面变换”的技术来形成，其中包括在衬底表面形成孔以及将衬底退火来启动靠近表面的衬底材料的转移最后在衬底中形成空位。在3D光子晶体中形成可以传输对应于该完全带隙的辐射的通道，由此形成波导。可以通过以下方法来所述波导：令两个光子晶体的区域对接，而其中至少一个区域具有形成在其中的通道。可以通过以下方法来选择带隙的波长：排列周期性空位，使得其点阵常数等于带隙波长的一部分。

公开(公告)号：CN100432178C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN03821058.4

申请日：2003-08-27

申请人： 微米技术有限公司

发明人： 沃恩集·李 ,  斯科特·G·米克尔

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3063

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  B24B37/046 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125

摘要： 一种以化学、机械和/或电解方法从微电子衬底上除去材料的方法和装置。用于除去材料的抛光介质包括液体载体、设置在液体载体中的电解质和设置在液体载体中的研磨剂，研磨剂占抛光液的重量的大约1%。抛光介质可进一步包括螯合剂。电流可经由抛光液体有选择地施加到微电子衬底上，施加到微电子衬底上的向下力可基于以电解方法施加到微电子衬底上的电流的水平来选择。微电子衬底可在相同的抛光垫上经历电解和非电解处理，或者可在被单个衬底载体支撑的同时被从一个抛光垫移动到另一个抛光垫。

公开(公告)号：CN100422383C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN03824576.0

申请日：2003-08-27

申请人： 微米技术有限公司

发明人： B·A·瓦尔茨特拉

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  F17C11/00 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31683

摘要： 本发明涉及一种采用气相淀积工艺和一种或多种醇与一种或多种含金属前体化合物在底材上、特别是在半导体底材或底材组件上形成金属氧化物层的方法及装置。

公开(公告)号：CN100416698C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN01813052.6

申请日：2001-07-12

申请人： 微米技术有限公司

发明人： 李少平 ,  西奥多·朱 ,  安东尼·S·阿洛特 ,  哈里·刘 ,  威廉·L·拉森 ,  陆勇

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  H01L27/222

摘要： 本发明公开了一种MRAM结构，这种MRAM结构可增加写入边界和写入选择性，但又不会明显减小存储器的存储密度。磁阻位(100a、100b、100c、等)的长轴(122)相对于数字线(110a、110b、等)的轴是偏斜的，因此可以从沿磁阻位(100a、100b、100c、等)的长轴(122)延伸的数字线电流(132a、132b、等)产生一个磁场分量(124)。

公开(公告)号：CN100408494C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN03813728.3

申请日：2003-04-11

申请人： 微米技术有限公司

发明人： S·乌伦布罗克

IPC分类号： C03B5/06 ,  C03C3/32

CPC分类号： C03C3/321 ,  C03B5/06 ,  Y10S65/15

摘要： 本发明涉及一种合成硒化锗玻璃的设备和方法以及硒化锗玻璃化合物。更具体说，本发明涉及一种以较缩时间大规模合成硒化锗玻璃的设备和方法以及硒化锗玻璃化合物。这里所指的硒化锗玻璃化合物包含锗、硒、和可变的元素组分(如掺杂剂)。

公开(公告)号：CN100408267C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN02825566.6

申请日：2002-12-17

申请人： 微米技术有限公司

发明人： G·M·萨布德

IPC分类号： B24B7/22 ,  B24D3/00 ,  B24B37/04

CPC分类号： B24D3/00 ,  B24B7/228 ,  B24B21/04 ,  B24B37/042 ,  Y10T428/12944

摘要： 一种平面化方法，其中包括提供包含VIII族金属的表面(优选包含铂的表面)，在平面化组合物存在下，将其放到与固定磨料制品接触的位置上，其中固定磨料制品包括硬度不大于约6.5Mohs的许多磨料粒子，它们分散在粘附在底板材料至少一个表面上的粘合剂中。

公开(公告)号：CN101127363A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200610166719.8

申请日：2002-12-18

申请人： 微米技术有限公司

发明人： D·L·亚特斯 ,  J·A·德鲁斯

IPC分类号： H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/15 ,  H01L21/7684

摘要： 本发明提供了一种制造存储单元的一部分的方法，该方法包含在绝缘层中配备的管沟中提供第一导体，并平面化该绝缘层和该第一导体的上表面，在该绝缘层和该第一导体的平面化的上表面上形成材料层，并平面化该材料层的上面部分，而剩下该绝缘层和所述第一导体上的材料层的下面部分不处理。

公开(公告)号：CN101094748A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580011769.2

申请日：2005-02-14

申请人： 微米技术有限公司

发明人： 李原熙

IPC分类号： B24B37/04

CPC分类号： B24B37/042 ,  B24B37/046 ,  B24B37/26

摘要： 公开了用于从微特征工件移除材料的方法和装置。在一个实施例中，将微特征工件与抛光介质的抛光表面相接触，并且被放置于与第一和第二电极的相电连通，第一和第二电极中的至少之一与该工件分开。将抛光液体设置在抛光表面和工件之间，并且该工件和抛光表面中至少一个相对于另一个是移动的。从微特征工件移除材料，并且抛光液体的至少部分通过抛光表面中的至少一个凹陷，以使抛光液体中的间隙被定位在微特征工件和面向该微特征工件的凹陷的表面之间。