公开(公告)号：CN106611724A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510703028.6

申请日：2015-10-26

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 梁小祎

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67063 ,  H01L21/67276

摘要： 本发明提供了一种刻蚀方法和装置，其中，所述方法包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。通过本发明提供的刻蚀方案，按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。

公开(公告)号：CN106444934A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611019521.7

申请日：2016-11-14

申请人： 北京七星华创电子股份有限公司

发明人： 徐冬

IPC分类号： G05D27/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： G05D27/02 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67276

摘要： 本发明提供一种基于状态管理的工艺控制系统调度装置和方法；该方法包括热处理设备工艺控制系统启动时，集群工具控制单元CTC用于接收外部控制指令及设备调度管理，传送工艺流程中的系统文件和工艺文件到工艺模块控制器；交互模式控制单元TMC进行传送部分控制及状态管理；集群工具控制单元CTC基于外部控制指令和过程控制单元PMC状态对过程控制单元PMC的工作模式进行调度管理。因此，本发明通过过程控制单元PMC的精确和稳定的运行，提高了对热处理设备工艺运行和设备的可靠性。

公开(公告)号：CN106328569A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610978418.9

申请日：2016-11-07

申请人： 北京七星华创电子股份有限公司

发明人： 郭训容

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276

摘要： 本发明公开了一种半导体清洗设备工作状态的监测系统，包括灯塔和灯塔控制单元。灯塔具有指示灯和蜂鸣器，其根据控制信号输出颜色或声音或颜色和声音的组合。灯塔控制单元与清洗设备的机械手单元、装卸载硅片单元、化学药液传输单元、清洗工艺腔室单元、暂存硅片单元、以及所述灯塔相连。灯塔控制单元通过配置文件配置每一单元的不同状态及各单元不同状态的组合与灯塔的输出之间的对应关系；并发送指令至各单元、根据各单元对指令的执行状态反馈信息发送信号至灯塔使其输出相应的颜色和/或声音。本发明使得设备操作者能够及时发现清洗设备出现问题并迅速做出响应。

公开(公告)号：CN106206356A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610790782.2

申请日：2016-08-31

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张丹丹 ,  陈旭 ,  邵雄

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供了一种提高良率提升缺陷监测效率的方法，包括：通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定，并且获取SIMS系统的相关设定参数；通过SIMS系统对缺陷检测控制进行设定，并且获取SIMS系统的相关设定参数；创建第一数据表来存放符合SIMS系统内设定的工艺步骤和良率提升步骤的对应关系、被检测过的工艺批次数据、以及对应的扫描数据；创建第二数据表来存放所有工艺批次的数据信息，同时判断处理信息；编写新脚本来处理所有涉及的相关数据表，并且向第一数据表和第二数据表中导入数据；利用SIMS系统获取查询信息；通过SIMS系统，查看良率提升机台的跑货情况以及扫描情况，监察SIMS系统内的各项设定的实施效果，判断设定的合理性。

公开(公告)号：CN103247554B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310049087.7

申请日：2013-02-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 金田正利

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/10

摘要： 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法，在对晶圆(W)照射紫外线而进行处理时，能够延长紫外线照射部的光源的更换周期，并且抑制生产率的降低。基板处理装置包括液体处理组件和紫外线照射组件，将晶圆(W)分配交接至用于进行彼此相同的一系列处理的多个单位模块。在一个单位模块的紫外线照射组件的照度检测值成为设定值以下之后使用其它的单位模块，并将上述紫外线照射组件的照射时间调整为与照度检测值相应的长度而对已经交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行照射，之后更换照射组件的光源。在一个单位模块的照射用光源的使用时间达到设定时间时，停止向该单位模块交接晶圆(W)，对已交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行通常的照射处理。

公开(公告)号：CN105895563A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610216851.9

申请日：2016-04-10

申请人： 天津中仪博通科技有限公司

发明人： 杨荣

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276

摘要： 本发明公开了一种在半导体装置制造过程中预测该半导体装置(200)的电气参数的方法。提供与该半导体装置(200)相关的初始特性值的向量(124)，用所收集的特性值的至少一个子集更新该向量(124，126)。根据该更新向量(124，126)模型化该半导体装置(200)的至少一个电气特性。一种包括数据存储器(90)以及预测单元(130)的系统(10)。数据存储器(90)配置用来储存在半导体装置(200)的制造期间所收集的半导体装置(200)的特性。预测单元(130)配置用来提供关于半导体装置(200)的初始特性值的向量(124)、以收集的特性的至少一个子集更新向量(124，126)，以及根据更新向量(124，126)模型化半导体装置(200)的至少一电气特性。

公开(公告)号：CN105845605A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610166353.8

申请日：2016-03-22

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 梁小祎

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67276

摘要： 本发明公开了一种防止晶圆粘片的方法及装置，涉及半导体制造领域，为解决手动添加去粘连子配方的问题而发明。本发明的方法包括：获取编辑后的父配方，该父配方由不同工艺的子配方以及晶圆路径组成；检测父配方中是否添加有用于执行去粘连处理的目标子配方；若父配方中未添加目标子配方，则从后台函数库中调取预编辑的目标子配方；将调取的目标子配方自动添加到父配方中的预设位置上，获得改进型父配方。本发明主要应用于半导体刻蚀工艺中。

公开(公告)号：CN105474356A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045393.6

申请日：2014-07-10

申请人： 株式会社思可林集团

发明人： 高木克明 ,  佐野诚一郎 ,  内田雄三 ,  山中智史

IPC分类号： H01L21/02 ,  G05B19/418

CPC分类号： H01L21/67155 ,  G05B15/02 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/32078 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67742 ,  Y02P90/20

摘要： 第二基板处理装置的第二控制装置判断基板的处理开始预想时刻是否在处理开始期限以前。如果处理开始预想时刻在处理开始期限以前，则第二控制装置使第二基板处理装置执行起初的第一计划以及第二计划。另一方面，在处理开始预想时刻在处理开始期限之后的情况下，第二控制装置以处理开始预想时刻变为处理开始期限以前的方式变更起初的第一计划以及第二计划，使第二基板处理装置执行变更后的第一计划以及第二计划。

公开(公告)号：CN105280535A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510330096.2

申请日：2015-06-15

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 杉崎太亮

IPC分类号： H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67715 ,  B65G43/08 ,  B65G47/52 ,  B65G2811/0678 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67736

摘要： 根据本发明的用于半导体装置的生产线(1)为通过使工件(25)沿着设置有多个处理装置(20a-20m)的传输路线(10)循环来制造半导体装置的生产线。传输路线(10)包括第一路线(11)和第二路线(12)，在第一路线(11)上设置处理次数多的处理装置，在第二路线(12)上设置处理次数少的处理装置。此外，传输路线(10)在使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)以连续的方式至第一路线(11)的传输与使已经沿着第一路线(11)移动的工件(25)至第二路线(12)的传输之间进行转换。

公开(公告)号：CN102664158B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110351996.7

申请日：2011-11-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 早川诚 ,  富田浩 ,  吉田达平

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67288 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67745

摘要： 本发明提供一种即时地判断处理部有无异常并防止产生有大量的次品晶片的涂敷显影处理装置，其包括：晶片输送机构；缺陷检查部；控制晶片的输送的输送控制单元(200)；基于缺陷的状态进行该缺陷的分类的缺陷分类单元(203)；存储晶片被处理单元处理时的晶片输送机构的晶片的输送路径的存储单元(202)；和缺陷处理指定单元(204)，其基于由缺陷分类单元(203)分类的缺陷的种类和存储在存储单元(202)的基板的输送路径，指定产生有该被分类的缺陷的处理单元，并判定该被指定的处理部有无异常，输送控制单元(200)以绕过被缺陷处理指定单元(204)判定为异常的处理单元输送晶片的方式来进行晶片输送机构的控制。