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公开(公告)号：CN102314081A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110198010.7
申请日：2011-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: G03F7/16 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模式M1，确定显影处理用的单位块中处理过基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，上述模式M2，确定处理过基板的显影处理用的单位块，控制交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。
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公开(公告)号：CN111982927A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010794112.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统。具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统，拍摄用处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从该第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择与从第一基板图像抽取的特征量对应的检查方案，拍摄用处理装置处理后的基板的表面来取得第二基板图像，基于检查方案和第二基板图像，判断基板有无缺陷。根据本发明，能够进行最佳的检查，并能够抑制精度的偏差。
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公开(公告)号：CN108227398A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711305669.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70533 , G03F7/201 , G03F7/7005 , G03F7/70133 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/70808 , H01L21/67115 , H01L21/6776 , G03F7/7015 , G03F7/70733
Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
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公开(公告)号：CN107636450A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033546.4
申请日：2016-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置。关于对通过多种不同的处理装置沿规定的搬送路径被反复处理的基板进行检查的方法，对由任一个处理装置处理过的基板的表面进行摄像来获取第一基板图像，对成为过第一基板图像的摄像对象且在由一个处理装置处理后由与这一个处理装置不同的处理装置进一步处理过的基板的表面进行摄像来获取第二基板图像，接着，基于第一基板图像和第二基板图像进行缺陷检查，根据从第二基板图像被检测出的缺陷是否从第一基板图像也被检测到来确定获取到第一基板图像之后且获取第二基板图像之前的处理是否为该缺陷的原因。
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公开(公告)号：CN109256329A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810769287.2
申请日：2018-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 早川诚
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统。即使在不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本进行旋转式处理时的晶片的对位。本方法包括：由抗蚀剂涂敷装置实施EBR处理的旋转式处理步骤；由检查装置的拍摄装置对被实施了旋转处理的晶片进行拍摄的拍摄步骤；获取预先存储的、使晶片从抗蚀剂涂敷装置移动至检查装置期间晶片的方向发生变化的量的信息即变化量信息的变化量信息获取步骤；基于拍摄步骤的拍摄结果，获取沿晶片的周向的抗蚀剂膜的除去宽度的信息作为实施结果信息的结果信息获取步骤；和基于变化量信息和实施结果信息，修正EBR处理时的基片的位置的修正步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102809570B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210135466.3
申请日：2012-05-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/956
CPC classification number: G01N21/956 , G01N21/8806 , G01N21/93 , G01N21/9501 , G01N2021/9513 , G06T7/0004
Abstract: 本发明提供不使用检查用基板、能够防止产生由照明部的照度的降低引起的检查的不顺利的问题的技术。本发明的基板检查装置，具有：模式选择部，用于在检查模式和维护模式之间选择模式，所述检查模式以载置于设置在机箱内的载置台的基板为被摄体进行摄像来进行检查，所述维护模式用于确认照明部的照度；导光部件，设置于上述机箱内，用于将上述照明部的光导向摄像部的摄像元件；判定部，对在维护模式执行时经由上述导光部件被摄像元件取得的照明部的光的亮度是否在预先设定的容许范围内进行判定；和报知部，当由上述判定部判定为上述亮度在上述容许范围外时，用于报知需要进行照明部的更换。
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公开(公告)号：CN104465460A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410641400.0
申请日：2011-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G03F7/16 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种抑制处理块的设置面积并且抑制装置的工作效率降低的技术。构成具备模式选择部的涂覆显影装置，上述模式选择部用于在由检查模块进行的检查中检查出基板异常时，基于存储在存储部的数据，从模式M1和M2中选择后续的基板的搬送模式。上述模式M1，确定显影处理用的单位块中处理过基板的模块，控制单位块用的搬送机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的模块以外的模块，上述模式M2，确定处理过基板的显影处理用的单位块，控制交接机构的动作，使得将后续的基板搬送到所确定的显影处理用的单位块以外的显影处理用的单位块。
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公开(公告)号：CN111982927B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202010794112.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统。具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统，拍摄用处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从该第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择与从第一基板图像抽取的特征量对应的检查方案，拍摄用处理装置处理后的基板的表面来取得第二基板图像，基于检查方案和第二基板图像，判断基板有无缺陷。根据本发明，能够进行最佳的检查，并能够抑制精度的偏差。(56)对比文件JP 2007010390 A,2007.01.18川上正光等《.晶体管及其电路》.人民邮电出版社,1980,(第一版),第21-25页.钱洪涛.LCOS IC中金属点缺陷的形成机理及改善方法研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》.2008,(第7期),第I135-37页.Hauck, T 等.Weibull statistics formultiple flaw distributions and itsapplication in silicon fractureprediction《.THERMAL, MECHANICAL ANDMULTI-PHYSICS SIMULATION AND EXPERIMENTSIN MICRO-ELECTRONICS AND MICRO-SYSTEMS》.2005,第242-247页.
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公开(公告)号：CN108227398B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201711305669.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
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公开(公告)号：CN107533016B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201680026816.9
申请日：2016-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/956 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统的基板的检查方法，拍摄用处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从该第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择与从第一基板图像抽取的特征量对应的检查方案，拍摄用处理装置处理后的基板的表面来取得第二基板图像，基于检查方案和第二基板图像，判断基板有无缺陷。
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