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公开(公告)号：CN101449380B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200680053203.0
申请日：2006-02-17
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/105
CPC分类号： G11C16/0483 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11534
摘要： 本发明揭示一种并入有独特增压器板设计的NAND快闪存储器装置。在读取及编程操作期间给所述增压器板施加偏压，且在许多情形中与浮动栅极的耦合减小编程及读取存储于所述栅极内的电荷所需的电压电平。所述增压器板还屏蔽浮动栅极之间的不合需要的耦合。与所述独特增压器板一起使用的自增压、局部自增压及擦除区域自增压模式进一步改善读取/写入可靠性及准确度。因此，根据本发明可实现更紧凑及可靠的存储器装置。
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公开(公告)号：CN1930635B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200480041681.0
申请日：2004-12-15
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 卡洛斯·J·冈萨雷斯 , 艾伦·D·布莱斯 , 瑟吉·A·戈罗别兹 , 艾伦·D·贝内特
CPC分类号： G11C29/76 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7208 , G11C29/808
摘要： 本发明揭示一种用于将一非易失性存储器的物理区块链接到复合逻辑结构或“元区块”中的技术。在确定良好物理区块初始链接到元区块中之后，将所述链接的一记录保存在所述非易失性存储器中，当需要时可在所述非易失性存储器中容易地存取所述记录。在一组实施例中，根据一算法确定性地形成所述初始链接，并且可根据所述存储器中任何不良区块的图案来将其优化。当出现额外的不良区块时，通过以良好区块取代链接中的所述不良区块而更新所述链接，所述良好区块优选是在与其所取代的区块相同的存储器子阵列中。
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公开(公告)号：CN1701384B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN03825098.5
申请日：2003-09-18
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 若尔-安德里安·瑟尼
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C16/10 , G11C7/1006 , G11C16/26
摘要： 本发明揭示一种能够使用多个读取/写入电路对大量存储单元进行并行读取及写入的非易失性存储装置，其具有一将所述多个读取/写入电路中的冗余度降至最低的架构。所述多个读取/写入电路组织成组件的相似栈的库。每一栈中的冗余电路被析出。在一个方面中，一串行总线允许每一栈中各组件之间的通信，从而将一栈中连接线的数量减至最少。一总线控制器通过所述串行总线发送控制及定时信号，以控制所述组件的操作及其相互作用。在一较佳实施例中，所有相似栈中的对应组件的总线事务均同时受到控制。
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公开(公告)号：CN101627443B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780050890.5
申请日：2007-12-24
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 尼玛·穆赫莱斯
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C11/5642 , G11C16/04 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C16/3454 , G11C29/52
摘要： 存储于非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上的表观电荷的移位可能由于基于存储于邻近浮动栅极(或其它电荷存储元件)中的电荷的电场的耦合而发生。为了解决此耦合，对目标存储器单元的读取过程将向邻近存储器单元(或其它存储器单元)提供补偿以便减小所述邻近存储器单元对所述目标存储器单元造成的耦合效应。所施加的补偿是基于所述邻近存储器单元的条件。为了施加正确的补偿，所述读取过程将至少部分地将对所述邻近存储器单元的读取操作与对所述目标存储器单元的读取操作进行混合。
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公开(公告)号：CN101361076B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200680032838.2
申请日：2006-09-07
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 巴赫曼·卡瓦米 , 法布里斯·约刚-库仑 , 法施德·萨伯特-沙吉 , 迈克尔·霍尔茨曼 , 帕斯卡尔·卡永 , 帕特里夏·德怀尔 , 保罗·麦卡沃伊 , 佩德罗·瓦尔加斯 , 波·袁 , 罗伯特·C·张
IPC分类号： G06F21/00
CPC分类号： G11B20/0021 , G06F21/10 , G06F21/78 , G06F2221/0711 , G06Q30/0603 , G11B20/00086 , G11B20/00094 , G11B20/00253 , G11B20/00724 , G11B20/00731 , G11B20/00862 , G11B20/00985 , G11B2220/61 , H04N7/1675 , H04N21/4181 , H04N21/4184 , H04N21/4405 , H04N21/4408 , H04N21/4627 , H04N21/8355
摘要： 存储器装置含有控制结构，所述控制结构允许安全地存储媒体内容并以内容所有者或分发中涉及的服务提供商预期的方式对其进行分发。各种各样的不同途径变得可用于使用此类存储器装置来分发媒体内容，例如其中所述装置含有以下各项中的一者或一者以上：经删节的预览媒体内容、经加密的未删节媒体内容、预付费内容、管理对此内容的存取的权利和/或规则。所述存储器装置具有一种类型的控制结构，所述控制结构使得服务提供商(其也可能是内容所有者)能够创建用于媒体内容分发的安全环境，其中最终用户和终端向所述服务提供商注册，并以由所述服务提供商控制的方式获得对所述内容的存取权。所述待加载的各种组成部分(例如，经删节的预览媒体内容、经加密的未删节媒体内容、预付费内容、管理对此内容的存取的权利和/或规则)可以安全且有效的方式产生并加载。
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公开(公告)号：CN101351849B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200680049965.3
申请日：2006-12-27
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 陈建
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
摘要： 在编程一组非易失性存储器单元时提供临时锁定以较准确地编程所述存储器单元。在成功检验存储器单元的阈值电压已达到针对其预期状态的电平之后，所述阈值电压将有可能随后在完成所述组的其它存储器单元的编程所需要的编程过程的额外迭代期间降到低于所述检验电平。监视(例如，在每一迭代之后)存储器单元以确定其在先前检验已达到所述目标阈值电压之后是否已降到低于所述检验电平。通过检验而随后未通过检验的单元可经受进一步编程。例如，可将所关注存储器单元的位线电压设定为适度高电压以减慢或减少每一后续编程脉冲所完成的编程的量。以此方式，可将未通过检验的存储器单元放置回正常编程流程中，而无需冒所述单元被过度编程的危险。
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公开(公告)号：CN101006519B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200580010707.X
申请日：2005-03-23
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
摘要： 根据各种实施例的系统和方法可减少非易失性半导体存储器中的编程干扰。在一实施例中，使用一个或一个以上编程检验电平或电压对例如连接到NAND串的最末字线的选择存储器单元进行编程，其中所述编程检验电平或电压不同于用于对其他单元或字线进行编程的对应电平。一示范性实施例包括：当在编程操作期间对一串中的将被编程的最末字线进行编程时，使用用于选择物理状态的较低阈值电压检验电平。另一实施例包括施加较低的编程电压，以将所述最末字线的存储器单元编程为选择物理状态。在某些示范性实施中，建立额外的读取电平以用于读取使用较低的检验电平进行编程的状态。在一实施例中，当对选择存储器单元或字线(例如NAND串的将被编程的最末字线)进行编程时，使用大于标称步长的第二编程电压步长。
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公开(公告)号：CN101621012B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910151524.X
申请日：2009-06-30
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/58 , H01L23/482 , H01L23/13
CPC分类号： H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05553 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49174 , H01L2224/83801 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/04953 , H01L2924/078 , H01L2924/10155 , H01L2924/10158 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/181 , H01L2224/78 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种制造半导体裸片及低轮廓半导体封装的方法。所述半导体封装可包含安装到衬底的至少第一及第二堆叠式半导体裸片。可将所述第一及/或第二半导体裸片制造为具有沿所述半导体裸片的侧边缘穿过所述半导体裸片的底表面的若干局部化空腔。侧中的所述一个或一个以上局部化空腔占据少于整个侧。因此，所述局部化空腔允许半导体裸片的低高度堆叠同时为每一裸片提供高程度的结构完整性，以防止所述裸片边缘在制造期间破裂或断裂。
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公开(公告)号：CN101164037B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200680009222.3
申请日：2006-02-08
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 艾伦·韦尔什·辛克莱 , 彼得·约翰·史密斯
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要： 使用每一文件的唯一标识以及数据在文件内的偏移量，但不使用任何中间逻辑地址或存储器的虚拟地址空间，将主机系统数据文件直接写入至大的擦除区块闪速存储器系统中。由存储器系统的控制器而非由主机在存储器系统内维护所述文件存储于存储器中的位置的目录信息。主机与存储器系统之间基于文件的接口使存储器系统控制器能够以增高的效率利用存储器内的数据存储区块。
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公开(公告)号：CN101233577B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200680028436.5
申请日：2006-07-19
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： G11C11/56
CPC分类号： G11C16/12 , G11C11/5628 , G11C11/5671 , G11C16/3459 , G11C16/3468 , G11C16/3481 , G11C2211/5621
摘要： 本发明提供一种用于快速且有效地对非易失性集成存储器装置中的难以编程的存储元件进行编程的系统和方法。在流经许多存储元件的电流被限于第一电平的情况下，所述许多存储元件同时经受编程过程。当这些存储元件的一部分达到指定状态时，将它们从正被编程的单元组移除，且升高继续被编程的元件上的电流限制。可将这些难以编程的单元中的电流电平升高到第二、较高的限制或未经调整。根据另一方面，在编程操作期间，允许用于单元的电流限制取决于所述单元将被编程到的目标状态。
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