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公开(公告)号：CN103887183B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201210562498.1
申请日：2012-12-21
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05638 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/1411 , H01L2224/2733 , H01L2224/29019 , H01L2224/29078 , H01L2224/29082 , H01L2224/29144 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014
摘要： 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
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公开(公告)号：CN102768965B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210214671.9
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN103633042A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310368204.6
申请日：2013-08-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： 迪特里希·博纳特
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L23/3178 , H01L23/522 , H01L23/5221 , H01L23/528 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L29/0657 , H01L2224/24147 , H01L2224/29124 , H01L2224/29157 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/32145 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73267 , H01L2224/82097 , H01L2224/83191 , H01L2224/8383 , H01L2224/83894 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种半导体器件封装件及其封装方法。在本发明的一种实施方式中，形成半导体器件的方法包括在半导体基板的第一区中形成器件区，以及在半导体基板的第二区中形成开口。所述方法还包括将半导体芯片放置在开口内以及在半导体芯片和器件区之上形成第一金属化层。
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公开(公告)号：CN102646609A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210031859.X
申请日：2012-02-13
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/335 , H01L23/488 , H01L29/778 , H02M7/217 , H02M3/155
CPC分类号： H01L23/48 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05005 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05541 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/26175 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29019 , H01L2224/29036 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48744 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83193 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/13064 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/83439 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0132 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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公开(公告)号：CN101434737B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810188629.8
申请日：2004-01-29
申请人： 怡得乐QLP公司
发明人： 迈克尔·齐默尔曼
IPC分类号： C08L67/00 , C08K3/04 , H01L23/02 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/047 , H01L23/495 , H01L23/498
CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/047 , H01L23/10 , H01L23/492 , H01L23/49861 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/32506 , H01L2224/45099 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/16195 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/3511 , Y10T428/24132 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种用于容纳半导体或其它集成电路器件(“管芯”)的电路封装，包括高铜凸缘、一个或多个高铜引线以及模塑到凸缘和引线的液晶聚合物框架。凸缘包括楔形榫形沟槽或其它框架保持部件，该保持部件与模塑的框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分形成冻结在框架保持部分中或其周围的键。引线包括一个或多个引线保持部件以与框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分冻结在这些引线保持部件中或其相邻处。框架包括阻止湿气渗透并使其热膨胀系数(CTE)与引线和凸缘的热膨胀系数相匹配的化合物。将框架设计为能承受管芯附着温度。在将管芯附着到凸缘之后，将盖子超声焊接到框架。
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公开(公告)号：CN101447439A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810188621.1
申请日：2004-01-29
申请人： 跃进封装公司
发明人： 迈克尔·齐默尔曼
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/48 , H01L23/047 , H01L23/10 , H01L23/492 , H01L23/498
CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/047 , H01L23/10 , H01L23/492 , H01L23/49861 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/32506 , H01L2224/45099 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/16195 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/3511 , Y10T428/24132 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种用于容纳半导体或其它集成电路器件(“管芯”)的电路封装，包括高铜凸缘、一个或多个高铜引线以及模塑到凸缘和引线的液晶聚合物框架。凸缘包括楔形榫形沟槽或其它框架保持部件，该保持部件与模塑的框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分形成冻结在框架保持部分中或其周围的键。引线包括一个或多个引线保持部件以与框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分冻结在这些引线保持部件中或其相邻处。框架包括阻止湿气渗透并使其热膨胀系数(CTE)与引线和凸缘的热膨胀系数相匹配的化合物。将框架设计为能承受管芯附着温度。在将管芯附着到凸缘之后，将盖子超声焊接到框架。
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公开(公告)号：CN101436572A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810188630.0
申请日：2004-01-29
申请人： 跃进封装公司
发明人： 迈克尔·齐默尔曼
IPC分类号： H01L23/047 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L23/498
CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/047 , H01L23/10 , H01L23/492 , H01L23/49861 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/32506 , H01L2224/45099 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/16195 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/3511 , Y10T428/24132 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种用于容纳半导体或其它集成电路器件(“管芯”)的电路封装，包括高铜凸缘、一个或多个高铜引线以及模塑到凸缘和引线的液晶聚合物框架。凸缘包括楔形榫形沟槽或其它框架保持部件，该保持部件与模塑的框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分形成冻结在框架保持部分中或其周围的键。引线包括一个或多个引线保持部件以与框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分冻结在这些引线保持部件中或其相邻处。框架包括阻止湿气渗透并使其热膨胀系数(CTE)与引线和凸缘的热膨胀系数相匹配的化合物。将框架设计为能承受管芯附着温度。在将管芯附着到凸缘之后，将盖子超声焊接到框架。
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公开(公告)号：CN102214617B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201110038181.3
申请日：2011-02-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/367 , H01L33/64
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/3065 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L33/647 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/32506 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48233 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/04941 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2933/0066 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供的半导体封装基板具有穿透硅插塞(或通孔)可提供需要热管理的半导体芯片水平与垂直的散热途径。具有高占空比设计的穿透硅插塞能有效增加散热性。当穿透硅插塞采用双面梳图案时，其占空比可高达大于或等于50％。具有高占空比的封装基板可用于产生大量热的半导体芯片。举例来说，半导体芯片可为发光二极管芯片。
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公开(公告)号：CN101436572B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810188630.0
申请日：2004-01-29
申请人： 怡得乐QLP公司
发明人： 迈克尔·齐默尔曼
IPC分类号： H01L23/047 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L23/498
CPC分类号： H01L21/50 , H01L23/047 , H01L23/10 , H01L23/492 , H01L23/49861 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/32506 , H01L2224/45099 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/16195 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/3511 , Y10T428/24132 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种用于容纳半导体或其它集成电路器件(“管芯”)的电路封装，包括高铜凸缘、一个或多个高铜引线以及模塑到凸缘和引线的液晶聚合物框架。凸缘包括楔形榫形沟槽或其它框架保持部件，该保持部件与模塑的框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分形成冻结在框架保持部分中或其周围的键。引线包括一个或多个引线保持部件以与框架机械互锁。在模塑期间，框架的一部分冻结在这些引线保持部件中或其相邻处。框架包括阻止湿气渗透并使其热膨胀系数(CTE)与引线和凸缘的热膨胀系数相匹配的化合物。将框架设计为能承受管芯附着温度。在将管芯附着到凸缘之后，将盖子超声焊接到框架。
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公开(公告)号：CN101728288A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910180727.1
申请日：2009-10-21
申请人： 先进自动器材有限公司
IPC分类号： H01L21/603 , H01L33/00 , B23K1/00 , B23K1/20 , B23K35/24
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/32506 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种键合包含有焊料层的晶粒的方法，焊料层具有熔点Tm，该方法包含有以下步骤：将键合头加热到键合头设定温度T1，T1高于Tm；将衬底加热到衬底设定温度T2，T2低于Tm；使用键合头拾取晶粒，并朝向温度T1加热晶粒，以便于熔化焊料层；将晶粒的焊料层按压在衬底上，以便于键合晶粒到衬底上；其后将键合头与晶粒分开，以便于焊料层朝向温度T2冷却并固化。
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