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公开(公告)号：CN103855216B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310616727.8
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/528 , H01L23/495 , H01L21/336 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括衬底1105和在衬底1105上被形成为交替图案的多个源极“s”区域和漏极“d”区域。半导体器件还包括多个栅极1150，在多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于衬底1105之上。半导体器件还包括第一多个交替的源极金属带和漏极金属带1111、1121，形成于在衬底1105上方的第一金属层中，并且与多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。
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公开(公告)号：CN103855158B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310616865.6
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体器件“LDMOS”）单元的半导体裸片。半导体器件还包括电耦合至多个LDMOS单元的重分布层以及分布于重分布层之上并且电耦合至重分布层的多个金属柱。
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公开(公告)号：CN103855216A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310616727.8
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/528 , H01L23/495 , H01L21/336 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括衬底1105和在衬底1105上被形成为交替图案的多个源极“s”区域和漏极“d”区域。半导体器件还包括多个栅极1150，在多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于衬底1105之上。半导体器件还包括第一多个交替的源极金属带和漏极金属带1111、1121，形成于在衬底1105上方的第一金属层中，并且与多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。
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公开(公告)号：CN103855134A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310613426.X
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种装置及其形成方法，在一个实施例中，装置包括印刷电路板和耦合至印刷电路板的半导体器件。装置还包括耦合到印刷电路板并且定位于半导体器件之下的解耦合器件。
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公开(公告)号：CN103855117B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201310613218.X
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)单元的半导体裸片，以及电耦合至所述多个LDMOS单元的金属层。半导体器件还包括多个栅极驱动器，沿着所述半导体裸片的外围定位并且通过所述金属层电耦合至所述多个LDMOS单元的栅极。
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公开(公告)号：CN103855158A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310616865.6
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体器件（“LDMOS”）单元的半导体裸片。半导体器件还包括电耦合至多个LDMOS单元的重分布层以及分布于重分布层之上并且电耦合至重分布层的多个金属柱。
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公开(公告)号：CN103855117A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310613218.X
申请日：2013-11-27
申请人： 英力股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L21/8234 , H01L21/823871 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/4824 , H01L23/495 , H01L23/49589 , H01L23/522 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/0203 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/1083 , H01L29/41758 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48647 , H01L2224/49175 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)单元的半导体裸片，以及电耦合至所述多个LDMOS单元的金属层。半导体器件还包括多个栅极驱动器，沿着所述半导体裸片的外围定位并且通过所述金属层电耦合至所述多个LDMOS单元的栅极。
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