公开(公告)号：CN109994446B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811390527.4

申请日：2018-11-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安镇燦 ,  金原永 ,  李燦浩

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

公开(公告)号：CN104167406B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410207047.5

申请日：2014-05-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安镇燦 ,  姜善远

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底；以及依次设置在衬底上的第一和第二半导体芯片，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片的有源表面彼此面对，其中第一和第二半导体芯片是中央焊盘式半导体芯片，其各自具有邻近其中心线排列为两列的I/O焊盘，并且第二半导体芯片的I/O焊盘直接电连接至衬底而不与第二半导体芯片的中心线交叉。

公开(公告)号：CN109994446A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811390527.4

申请日：2018-11-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安镇燦 ,  金原永 ,  李燦浩

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 提供了一种具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括位于半导体基底上的金属线层以及位于金属线层上的金属端子。金属线层包括金属线和钝化层，钝化层具有非平坦的顶表面，非平坦的顶表面包括位于金属线上的平坦表面和位于金属线之间的凹表面。金属端子设置在钝化层上。金属端子的彼此面对的相对的侧表面设置在钝化层的平坦表面上。

公开(公告)号：CN106684063A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610972127.9

申请日：2016-11-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金原永 ,  姜善远 ,  安镇燦

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/06 ,  H01L23/585 ,  H01L24/09 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/09103

摘要： 本发明提供了一种半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片主体，其包括顶表面上的第一芯片焊盘；钝化膜，其布置在半导体芯片主体上；以及第一再分布层，其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间，利用开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区，其中，第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。

公开(公告)号：CN106684063B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201610972127.9

申请日：2016-11-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金原永 ,  姜善远 ,  安镇燦

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/58

摘要： 本发明提供了一种半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片主体，其包括顶表面上的第一芯片焊盘；钝化膜，其布置在半导体芯片主体上；以及第一再分布层，其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间，利用开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区，其中，第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。

公开(公告)号：CN104167406A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410207047.5

申请日：2014-05-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安镇燦 ,  姜善远

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明公开了一种半导体封装件，其包括：衬底；以及依次设置在衬底上的第一和第二半导体芯片，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片的有源表面彼此面对，其中第一和第二半导体芯片是中央焊盘式半导体芯片，其各自具有邻近其中心线排列为两列的I/O焊盘，并且第二半导体芯片的I/O焊盘直接电连接至衬底而不与第二半导体芯片的中心线交叉。