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公开(公告)号：CN101017959B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200610125681.X
申请日：2006-08-31
申请人： 三星LED株式会社
CPC分类号： H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供了一种具有改进的电流注入结构的脊形波导半导体激光二极管。所述脊形波导半导体激光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的下部多半导体层；形成于所述下部多半导体层上的有源层；具有脊形部分，并且形成于所述有源层上的上部多半导体层；以及形成于所述上部多半导体层上的上部电极，其中，所述上部电极覆盖所述脊形部分的至少一个侧表面。
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公开(公告)号：CN101165979B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710096171.9
申请日：2007-04-18
申请人： 三星LED株式会社
CPC分类号： H01L33/02 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/321 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种半导体光电器件，包括：有源层，包括量子阱和势垒层；上和下波导层，分别形成在所述有源层之上和之下；上和下包层，分别形成在所述上和下波导层之上和之下；衬底，支承所得堆叠结构；上光学约束层OCL，设置在所述有源层与所述上和下波导层之间且具有小于所述上波导层的能隙且等于或大于所述势垒层的能隙的能隙；以及下OCL，具有小于所述下波导层的能隙且等于或小于所述势垒层的能隙的能隙。
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公开(公告)号：CN102751424A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210120522.6
申请日：2012-04-23
申请人： 三星LED株式会社
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/50 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/502 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种可用于不同应用的发光器件(LED)模块及其制造方法。可通过将LED和透镜单元直接安装在基底上来使LED模块小型化，并且可通过降低次品率并提高LED模块的良率来提高价格竞争力。在制造LED模块的方法中，通过直接安装LED和具有不同形状的多个透镜单元，组合地形成多个透镜单元并执行晶片级的操作，可使操作最少化并且简化。通过使用金属材料作为基底和凸块，可改善热辐射特性。
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公开(公告)号：CN102738342A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086655.6
申请日：2012-03-28
申请人： 三星LED株式会社
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁；穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层；以及导电衬底，在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。
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公开(公告)号：CN1610135B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200410048450.4
申请日：2004-06-10
申请人： 三星LED株式会社
摘要： 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括具有至少一个带曲面的突起部分的衬底，其中即使完成半导体结晶层生长和形成发光器件时，也能获得相容的缺陷密度和均匀的应力分布。此外，该发光器件具有很高的光引出效率，用于外部引出在电致发光层生成的光。
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公开(公告)号：CN101026092B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610160403.8
申请日：2006-11-15
申请人： 三星LED株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/308 , H01L33/00 , H01S5/02
CPC分类号： C30B7/005 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265
摘要： 本发明提供了一种悬挂外延生长衬底及其制造方法。所述悬挂外延生长衬底包括：衬底；用于悬挂外延生长的多个图案区，沿第一方向形成在所述衬底上；和至少一个溶液阻隔层，接触所述多个图案区并沿第二方向形成在所述衬底上，其中所述溶液阻隔层在半导体的制造工艺期间防止溶液的流动，因此防止半导体装置由于悬挂外延生长工艺中的半导体装置的空气间隙和百分比缺陷而导致的污染。
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公开(公告)号：CN102637811A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210030337.8
申请日：2012-02-10
申请人： 三星LED株式会社
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提供了一种倒装芯片发光器件封装件及其制造方法。该倒装芯片发光器件封装件包括：包括空腔和芯片安装部分的封装件衬底，其中空腔暴露电路图案，而芯片安装部分布置在空腔的底表面上；布置在电路图案上的焊料层；布置在芯片安装部分上的接合带层；以及包括接合目标区和布置在一个表面上的多个电极焊盘的LED，该LED安装在封装件衬底上，使多个电极焊盘接合到焊料层并使接合目标区接合到接合带层。
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