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公开(公告)号:CN102959125B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201180030847.9
申请日:2011-05-09
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: C23C16/509 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01J37/32 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号: C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形,对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b);一对转换器,将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室(2)传送,并使排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间产生等离子体;均热调温器(40),设置在基板侧脊形电极(21b)的外表面侧,并使温度均匀地进行加热;热吸收调温单元(50),设置在排气侧脊形电极(21a)的外表面侧,并控制实施等离子体处理的基板(S)的板厚方向的热流束,将基板(S)设置在排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间而实施等离子体处理。
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公开(公告)号:CN102227817A
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN200980147736.9
申请日:2009-08-25
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/076 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0676 , B23K26/083 , B23K26/359 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L31/0463 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要: 提供一种能够将加工槽的槽深度控制成希望值的光电转换装置的制造方法、光电转换装置的制造装置及光电转换装置。一种光电转换装置(10)的制造方法,具有对构成光电转换装置(10)的中间接触层分离槽(15)照射皮秒激光,并使皮秒激光相对于中间接触层分离槽(15)进行相对移动而沿规定的扫描方向形成加工槽(15)的槽形成工序,其中,槽形成工序在与的射束直径相当的照射区域内形成沿一方向并列排列的干涉条纹,并以将干涉条纹沿扫描方向连接的方式使皮秒激光进行相对移动。
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公开(公告)号:CN102356452B
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201080012376.4
申请日:2010-02-15
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号: C23C16/4401 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种实现制成的膜的高品质化并且能够实现大面积化及成膜速度的高速化的真空处理装置。设置有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极;气体供给部(10),与放电室(2)相邻配置,朝向脊形电极供给用于形成等离子体的母气体;基板(S),配置于在基板(S)与放电室(2)之间夹着气体供给部(10)的位置,实施基于等离子体的处理;减压容器(7),内部至少收容有放电室(2)、气体供给部(10)及基板(S);及排气部(9),连通于与减压容器(7)中的气体供给部(10)之间夹着放电室(2)的位置,使减压容器(7)内部的压力降低。
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公开(公告)号:CN102959125A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201180030847.9
申请日:2011-05-09
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号: C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形,对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b);一对转换器,将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室(2)传送,并使排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间产生等离子体;均热调温器(40),设置在基板侧脊形电极(21b)的外表面侧,并使温度均匀地进行加热;热吸收调温单元(50),设置在排气侧脊形电极(21a)的外表面侧,并控制实施等离子体处理的基板(S)的板厚方向的热流束,将基板(S)设置在排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间而实施等离子体处理。
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公开(公告)号:CN102356452A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201080012376.4
申请日:2010-02-15
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号: C23C16/4401 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种实现制成的膜的高品质化并且能够实现大面积化及成膜速度的高速化的真空处理装置。设置有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极;气体供给部(10),与放电室(2)相邻配置,朝向脊形电极供给用于形成等离子体的母气体;基板(S),配置于在基板(S)与放电室(2)之间夹着气体供给部(10)的位置,实施基于等离子体的处理;减压容器(7),内部至少收容有放电室(2)、气体供给部(10)及基板(S);及排气部(9),连通于与减压容器(7)中的气体供给部(10)之间夹着放电室(2)的位置,使减压容器(7)内部的压力降低。
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