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公开(公告)号：CN112171106A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010613559.7
申请日：2020-06-30
IPC: B23K35/28
Abstract: 本发明提供一种铝合金包覆材，其用于以无助焊剂的方式稳定地进行钎焊。在芯材的两面配置有钎料，所述钎料含有Si：6.0～14.0%、Fe：0.05～0.3%、Mg：0.02～1.5%、Bi：0.05～0.25%、Sr：0.0001～0.1%，余量由Al和不可避免的杂质构成，且（Bi+Mg）×Sr≤0.1，关于钎料的Mg‑Bi系化合物，在钎焊前的表层面方向的观察中，以当量圆直径计具有0.1μm以上且小于5.0μm的直径的Mg‑Bi系化合物在10000μm2中为多于20个，具有5.0μm以上的直径的Mg‑Bi系化合物在10000μm2中为小于2个，芯材含有Mn：0.8～1.8%、Si：0.01～1.0%、Fe：0.1～0.5%，余量由Al和不可避免的杂质构成，在钎焊热处理后，在pH3的5%NaCl溶液中且在室温下测定的钎料层的阴极电流密度为0.1mA/cm2以下。
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公开(公告)号：CN112171107A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010613635.4
申请日：2020-06-30
IPC: B23K35/28
Abstract: 本发明提供一种铝合金包覆材，其用于以无助焊剂的方式稳定地进行钎焊。所述铝合金包覆材为在芯材的一面配置牺牲材料且在另一面包覆Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料，并且在牺牲材料的与芯材侧相反的一侧的一面配置Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料而成的4层的铝合金包覆材，其中，钎料含有Si：6.0～14.0%、Mg：0.05～1.5%、Bi：0.05～0.25%、Sr：0.0001～0.1%，余量由Al和不可避免的杂质构成，并且（Bi+Mg）×Sr≤0.1，在钎料中所包含的Mg‑Bi系化合物中，在钎焊前的表层面方向上，以当量圆直径计具有0.1μm以上且小于5.0μm的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中存在多于20个，具有5.0μm以上的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为小于2个，芯材含有Mn：1.0～1.7%、Si：0.2～1.0%、Fe：0.1～0.5%、Cu：0.1～0.7%，余量由Al和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN112171105B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010612213.5
申请日：2020-06-30
Abstract: 本发明提供一种铝合金包覆材，其用于以无助焊剂的方式稳定地进行钎焊。关于铝合金包覆材，在芯材的一面配置有牺牲材料且在另一面配置有Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料，所述Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料含有Si：6.0～14.0%、Mg：0.05～1.5%、Bi：0.05～0.25%、Sr：0.0001～0.1%，余量由Al和不可避免的杂质构成，以质量%计满足（Bi+Mg）×Sr≤0.1的关系，关于Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料中所包含的Mg‑Bi系化合物，在钎焊前的表层面方向的观察中，以当量圆直径计具有0.1μm以上且小于5.0μm的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为多于20个，具有5.0μm以上的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为小于2个，芯材含有Mn：0.9～1.7%、Si：0.2～1.0%、Fe：0.1～0.5%、Cu：0.08～1.0%，余量由Al和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN112171106B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010613559.7
申请日：2020-06-30
IPC: B23K35/28
Abstract: 本发明提供一种铝合金包覆材，其用于以无助焊剂的方式稳定地进行钎焊。在芯材的两面配置有钎料，所述钎料含有Si：6.0～14.0%、Fe：0.05～0.3%、Mg：0.02～1.5%、Bi：0.05～0.25%、Sr：0.0001～0.1%，余量由Al和不可避免的杂质构成，且（Bi+Mg）×Sr≤0.1，关于钎料的Mg‑Bi系化合物，在钎焊前的表层面方向的观察中，以当量圆直径计具有0.1μm以上且小于5.0μm的直径的Mg‑Bi系化合物在10000μm2中为多于20个，具有5.0μm以上的直径的Mg‑Bi系化合物在10000μm2中为小于2个，芯材含有Mn：0.8～1.8%、Si：0.01～1.0%、Fe：0.1～0.5%，余量由Al和不可避免的杂质构成，在钎焊热处理后，在pH3的5%NaCl溶液中且在室温下测定的钎料层的阴极电流密度为0.1mA/cm2以下。
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公开(公告)号：CN112176230A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010612310.4
申请日：2020-06-30
Abstract: 本发明提供一种铝合金包覆材，其用于以无助焊剂的方式稳定地进行钎焊。在芯材的一面配置有牺牲材料，在芯材的另一面配置有钎料，所述钎料含有Si：6.0～14.0%、Mg：0.05～1.5%、Bi：0.05～0.25%、Sr：0.0001～0.1%，余量由Al和不可避免的杂质构成，并且满足（Bi+Mg）×Sr≤0.1，关于钎料的Mg‑Bi系化合物，在钎焊前的表层面方向上，具有0.1μm以上且小于5.0μm的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为多于20个，具有5.0μm以上的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为小于2个，芯材含有Mn：1.0～1.7%、Si：0.2～1.0%、Fe：0.1～0.5%、Cu：0.08～1.0%、Mg：0.1～0.7%，余量由Al和不可避免的杂质构成，牺牲材料含有Zn：0.5～6.0%，Mg含量限制在0.1%以下，钎焊后的牺牲材料表面的Mg浓度为0.15%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112171105A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010612213.5
申请日：2020-06-30
Abstract: 本发明提供一种铝合金包覆材，其用于以无助焊剂的方式稳定地进行钎焊。关于铝合金包覆材，在芯材的一面配置有牺牲材料且在另一面配置有Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料，所述Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料含有Si：6.0～14.0%、Mg：0.05～1.5%、Bi：0.05～0.25%、Sr：0.0001～0.1%，余量由Al和不可避免的杂质构成，以质量%计满足（Bi+Mg）×Sr≤0.1的关系，关于Al‑Si‑Mg‑Bi系钎料中所包含的Mg‑Bi系化合物，在钎焊前的表层面方向的观察中，以当量圆直径计具有0.1μm以上且小于5.0μm的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为多于20个，具有5.0μm以上的直径的Mg‑Bi系化合物在每10000μm2视野中为小于2个，芯材含有Mn：0.9～1.7%、Si：0.2～1.0%、Fe：0.1～0.5%、Cu：0.08～1.0%，余量由Al和不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN112672845A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980059697.0
申请日：2019-09-27
Abstract: 硬钎焊片材(1)具有：心材(11)，其由包含0.20～3.0质量％的Mg的Al合金构成；钎料(12)，其由包含Mg、6.0～13.0质量％的Si、超过0.050质量％且1.0质量％以下的Bi的Al合金构成，层叠于心材(11)的至少单面上，并且在最表面(121)露出。钎料(12)具有从与心材(11)的边界面(122)越靠近最表面(121)，Mg浓度越连续降低的Mg分布。距最表面(121)的深度为钎料(12)的厚度(tf)的1/8的位置(P1/8)处的Mg浓度为0.150质量％以下，且距最表面(121)的深度为钎料的厚度(tf)的7/8的位置(P7/8)处的Mg浓度为心材(11)中的Mg量的5～90％。
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公开(公告)号：CN102299117B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201110185015.6
申请日：2011-06-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/28 , H01L23/473 , H01L21/56 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/34 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4012 , H01L23/4093 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L25/117 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/45099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体模块及其生产方法，该半导体模块包括由树脂模型制成的半导体单元。树脂模型在其中形成冷却剂通路，冷却剂通过其流动以冷却嵌入在树脂模型中的半导体芯片。树脂模型还包括散热器以及嵌入在树脂模型中的电气接线端子。每个散热器具有暴露于冷却剂的流动的鳍热沉。鳍热沉通过绝缘体被熔接到每个散热器的表面，因此使从散热器到冷却剂的漏电最小。
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公开(公告)号：CN102637655A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027377.7
申请日：2012-02-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , F28D2021/0028 , F28F3/025 , F28F3/08 , H01L23/40 , H01L23/4012 , H01L25/112 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 内部散热片(33)设置在流体管(3)中，用于将用于加热介质的流体通道(30)分成多个小流体通道(333)，以便于加热介质和电子部件(2)之间的热交换。内部散热片(33)在垂直于加热介质的流动方向的横截面中形成波形形状，其中内部散热片(33)具有突出部，所述突出部沿一个方向和沿另一方向交替地突出。内部散热片(33)由多个散热片部分(33A，33B)构成，其中第一散热片部分(33A)的散热片间距(FP1)形成为小于面对电子部件(2)的第二散热片部分(33B)的散热片间距(FP2)。
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公开(公告)号：CN1991288B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200610165976.X
申请日：2006-12-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: F28F9/00
CPC classification number: F28D1/0452 , B60K11/04 , B60K2001/003 , B60K2001/006 , F28F9/002
Abstract: 一种一体式热交换器具有第一热交换器和第二热交换器。所述第一热交换器在它的联管箱部分上分别具有第一托架和第二托架。所述第一托架和所述第二托架利用第一螺栓和第二螺栓分别连接到第二热交换器的联管箱部分上，用于一体形成第一热交换器和第二热交换器。所述第二热交换器的联管箱部分设置有用于分别将第一螺栓和第二螺栓容纳在其内的第一螺栓容纳部分和第二螺栓容纳部分。所述第一螺栓容纳部分和所述第二螺栓容纳部分分别限定第一轴线和第二轴线。所述第一轴线和所述第二轴线彼此不平行。由此，第一螺栓和第二螺栓也被设置成彼此不平行。
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