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公开(公告)号：CN101925981B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200980103125.4
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的退火装置具备：面向晶片W的面设置、具有向晶片W照射光的多个LED(33)的加热源(17a，17b)；透过来自发光元件(33)的光的光透射部件(18a，18b)；和与加热源(17a，17b)直接接触设置的由Al构成的冷却部件(4a，4b)。加热源(17a，17b)具备多个发光元件阵列(34)，该发光元件阵列包括利用银膏(56)安装了LED(33)的由AlN构成的支撑体(32)和利用焊料(57)粘合到支撑体(32)的背面侧的由Cu构成的热扩散部件(50)，发光元件阵列(34)通过硅润滑油(58)旋紧在冷却部件(4a，4b)上。
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公开(公告)号：CN101405842B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200780009418.7
申请日：2007-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。
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公开(公告)号：CN100466217C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610141848.1
申请日：2006-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/00 , C23F4/00 , G05D23/19
Abstract: 本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置(10)具有静电吸附载置的晶片(W)的载置台(35)。等离子体处理装置(10)与测定晶片(W)的温度的温度测定装置(200)、和直接或间接地进行晶片(W)的温度调节使根据预先设定的参数与目标温度实质上相等的控制装置(400)连接。控制装置(400)根据所测定的温度，自动地控制晶片(W)的温度。
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公开(公告)号：CN101091236B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200680001627.2
申请日：2006-10-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2686 , H01L21/67115
Abstract: 本发明涉及一种加热装置，该用于加热被处理体(W)的加热装置(62)，包括多个加热光源，该加热光源具有向所述被处理体射出波长360～520nm范围内的加热用光的LED元件(74)。由此，能够在与膜种没有关系的温度分布均一的状态下，只使半导体晶片等被处理体的表面的浅层高速升温及高速降温。
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公开(公告)号：CN101405842A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009418.7
申请日：2007-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片W的处理室1；面对晶片W的面而设置的、具有向晶片W照射光的多个LED33的加热源17a、17b；与加热源17a、17b对应而设置的、透过来自发光元件33的光的光透过部件18a、18b；以支承光透过部件18a、18b的与处理室1相反侧、直接接触上述加热源17a、17b的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件4a、4b；通过冷却介质对冷却部件4a、4b进行冷却的冷却机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1975999A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610141848.1
申请日：2006-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/00 , C23F4/00 , G05D23/19
Abstract: 本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置(10)具有静电吸附载置的晶片(W)的载置台(35)。等离子体处理装置(10)与测定晶片(W)的温度的温度测定装置(200)、和直接或间接地进行晶片(W)的温度调节使根据预先设定的参数与目标温度实质上相等的控制装置(400)连接。控制装置(400)根据所测定的温度，自动地控制晶片(W)的温度。
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公开(公告)号：CN1804567A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610001281.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/00 , G01B11/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种温度/厚度测量装置，减轻装置安装的麻烦程度，不在各测量对象物上形成用于通过测量光的孔就可一次测量多个测量对象物的温度或厚度。包括：照射具有透过各测量对象物并反射的波长的光的光源、将来自光源的光分离为测量光和参照光的分离器、用于反射来自分离器的参照光的参照光反射单元(例如参照镜)、用于改变从参照光反射单元反射的参照光的光路长度的光路长度改变单元(例如驱动参照镜的驱动单元)、用于测量将来自分离器的参照光向参照光反射单元照射时从参照光反射单元反射的参照光与将来自分离器的测量光向多个测量对象物按照透过各测量对象物的方式加以照射时从各测量对象物反射的各测量光的光的干涉的光接收单元。
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公开(公告)号：CN101999160A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112321.8
申请日：2009-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/26 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本发明提供一种退火装置，其对被处理体实施退火处理，其特征在于，具备：收容所述被处理体的处理容器、在所述处理容器内支承所述被处理体的支承机构、向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构、将所述处理容器内的气氛气体排出的排气机构、具有向所述被处理体的整个背面照射加热光的多个激光器元件的背面侧加热机构。
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公开(公告)号：CN101483138A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910003005.9
申请日：2006-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , G05D23/00
Abstract: 本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置(10)具有静电吸附载置的晶片(W)的载置台(35)。等离子体处理装置(10)与测定晶片(W)的温度的温度测定装置(200)、和直接或间接地进行晶片(W)的温度调节使根据预先设定的参数与目标温度实质上相等的控制装置(400)连接。控制装置(400)根据所测定的温度，自动地控制晶片(W)的温度。
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公开(公告)号：CN102754191A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180009454.X
申请日：2011-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L2224/48091 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2924/00014
Abstract: 加热装置具有LED模块（54），该LED模块（54）包括：金属制的散热基板（72）；在散热基板上直接形成的绝缘层（74）；排列在绝缘层上构成配线图案的多个配线元件（76）；在多个配线元件上分别设置的多个LED元件（70）；和将相邻的所述LED元件串联电连接的金属配线（82）。利用该结构，能够均匀且高效率地进行LED元件的散热。
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