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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107728429A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710542909.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/0226 , H01L21/02266 , H01L21/02282 , H01L21/02343 , H01L21/0271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , G03F7/0035
Abstract: 依据本发明某些实施例，提供一种光刻方法。该光刻方法包括：于一基板上形成一表面修饰层，该表面修饰层包含一亲水性顶部表面；于该表面修饰层上涂布一光致抗蚀剂层；以及将该光致抗蚀剂层显影，从而形成一图案化光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN100552877C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710100965.8
申请日：2007-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻装置，包括一成像镜片模块；位于该成像镜片模块下方的一基板平台，以握持一基板；用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处的一流体保存模块；以及整合于该流体保存模块内且邻近于上述空间处的一加热元件。本发明另外提供了一种浸润槽及一种蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN101086626A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710005302.8
申请日：2007-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻法，以图案化位于一基板上的多个区域。所述光刻法包括利用一辐射束沿着一第一方向扫描一第一区域；然后步进至邻接于所述第一区域的一第二区域，且当所述第一区域和所述第二区域两者沿所述第一方向观看时，所述第二区域位于所述第一区域之后；然后利用所述辐射束沿着所述第一方向扫描所述第二区域。通过本发明中所给出的扫描方向以及步进动作中的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。
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公开(公告)号：CN100570494C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710005302.8
申请日：2007-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻法，以图案化位于一基板上的多个区域。所述光刻法包括利用一辐射束沿着一第一方向扫描一第一区域；然后步进至邻接于所述第一区域的一第二区域，且当所述第一区域和所述第二区域两者沿所述第一方向观看时，所述第二区域位于所述第一区域之后；然后利用所述辐射束沿着所述第一方向扫描所述第二区域。通过本发明中所给出的扫描方向以及步进动作中的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。
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公开(公告)号：CN101136309A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710100965.8
申请日：2007-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种蚀刻装置，包括一成像镜片模块；位于该成像镜片模块下方的一基板平台，以握持一基板；用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处的一流体保存模块；以及整合于该流体储存模块内且邻近于上述空间处的一加热元件。本发明另外提供了一种浸润槽及一种蚀刻方法。
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