富勒烯衍生物和n型半导体材料

    公开(公告)号:CN111471007A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010288942.X

    申请日:2014-05-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99%以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料,[式中,环A表示C60富勒烯;R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基;且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(%)时,由下式定义:纯度(%)=100-Dmax(%)式(1):

    富勒烯衍生物和n型半导体材料

    公开(公告)号:CN111471007B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202010288942.X

    申请日:2014-05-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99%以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料,[式中,环A表示C60富勒烯;R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基;且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(%)时,由下式定义:纯度(%)=100‑Dmax(%)式(1):#imgabs0#

    富勒烯衍生物和n型半导体材料

    公开(公告)号:CN105210205B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201480028347.5

    申请日:2014-05-16

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种作为n型半导体、特别是作为有机薄膜太阳能电池等的光电转换元件用的n型半导体具有优异的性能的材料。本发明提供包含后述定义的纯度为99%以上的式(1)所示的富勒烯衍生物的n型半导体材料,[式中,环A表示C60富勒烯;R1表示氢原子、可以具有1个以上的取代基的烷基或可以具有1个以上的取代基的芳基;且Ar表示可以取代有1个以上的烷基的芳基。]。上述纯度在将关于碳的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值、关于氢的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值和关于氮的元素分析的分析值与理论值之差的绝对值之中的最大值设为Dmax(%)时,由下式定义:纯度(%)=100‑Dmax(%)式(1):

Patent Agency Ranking