公开(公告)号：CN103632951A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310371406.6

申请日：2013-08-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·S·纽伯里 ,  K·P·罗德贝尔 ,  章贞 ,  朱煜

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/321 ,  H01L29/665

摘要： 本发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。

公开(公告)号：CN103247687A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049334.3

申请日：2013-02-07

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·拉沃耶 ,  U·拉纳 ,  D·K·萨达那 ,  徐崑庭 ,  P·M·索罗门 ,  孙艳宁 ,  章贞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及到III-V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及其制造方法。提供了用于制造III-V FET器件中的自对准接触的技术。在一个方面，用于制造到III-V材料的自对准接触的方法包括以下步骤。将至少一种金属沉积在所述III-V材料的表面上。使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层是自对准接触。使用蚀刻来去除所述至少一种金属的任何未反应部分。将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中。使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和其下面的所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。

公开(公告)号：CN106024890A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610191444.7

申请日：2016-03-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 曹庆 ,  程慷果 ,  李正文 ,  刘菲 ,  章贞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L51/0541 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/303 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： 一种晶体管装置和制作晶体管装置的方法。该晶体管装置包括：布置在基板上的鳍结构的阵列，每个所述鳍结构是第一等电位点材料和第二等电位点材料的垂直交替堆叠体，所述第一等电位点材料具有第一等电位点，所述第二等电位点材料具有与所述第一等电位点不同的第二等电位点；一个或多个碳纳米管，悬在所述鳍结构之间，并且接触所述鳍结构中的所述第二等电位点材料的侧表面；栅极，围绕所述一个或多个碳纳米管；以及源极接触和漏极接触，布置在所述鳍结构上，其中每个所述鳍结构具有梯形形状或相对于所述基板以大约90°取向的平行侧边。

公开(公告)号：CN104051537A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410092534.1

申请日：2014-03-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程慷果 ,  李俊涛 ,  章贞 ,  朱煜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7853 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及有刻面的半导体纳米线。在半导体鳍上进行半导体材料的选择性外延以形成半导体纳米线。半导体纳米线的表面包括非水平且非垂直的刻面。可以在所述半导体纳米线之上形成栅电极，以使得有刻面的表面可以用作沟道表面。有刻面的半导体纳米线的外延沉积部分可以向沟道施加应力。此外，在有刻面的半导体纳米线上形成栅电极之前，可以添加另外的半导体材料以形成所述有刻面的半导体纳米线的外壳。半导体纳米线的有刻面的表面提供了良好限定的载荷子输运特性，该载荷子输运特性可以有利地用于提供具有受到良好控制的器件特性的半导体器件。

公开(公告)号：CN103247687B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310049334.3

申请日：2013-02-07

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·拉沃耶 ,  U·拉纳 ,  D·K·萨达那 ,  徐崑庭 ,  P·M·索罗门 ,  孙艳宁 ,  章贞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及到III-V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及其制造方法。提供了用于制造III-V FET器件中的自对准接触的技术。在一个方面，用于制造到III-V材料的自对准接触的方法包括以下步骤。将至少一种金属沉积在所述III-V材料的表面上。使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层是自对准接触。使用蚀刻来去除所述至少一种金属的任何未反应部分。将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中。使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和其下面的所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。

公开(公告)号：CN103632951B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310371406.6

申请日：2013-08-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·S·纽伯里 ,  K·P·罗德贝尔 ,  章贞 ,  朱煜

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。

公开(公告)号：CN104051537B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410092534.1

申请日：2014-03-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程慷果 ,  李俊涛 ,  章贞 ,  朱煜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7853 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及有刻面的半导体纳米线。在半导体鳍上进行半导体材料的选择性外延以形成半导体纳米线。半导体纳米线的表面包括非水平且非垂直的刻面。可以在所述半导体纳米线之上形成栅电极，以使得有刻面的表面可以用作沟道表面。有刻面的半导体纳米线的外延沉积部分可以向沟道施加应力。此外，在有刻面的半导体纳米线上形成栅电极之前，可以添加另外的半导体材料以形成所述有刻面的半导体纳米线的外壳。半导体纳米线的有刻面的表面提供了良好限定的载荷子输运特性，该载荷子输运特性可以有利地用于提供具有受到良好控制的器件特性的半导体器件。

公开(公告)号：CN103794494B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310524587.1

申请日：2013-10-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 曹庆 ,  李正文 ,  刘菲 ,  章贞

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L49/00 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明涉及制造机电晶体管的方法。提供了使用Janus微/纳米部件的机电晶体管及其制造方法。在一个方面，一种制造机电晶体管的方法包括以下步骤。提供晶片。在所述晶片的表面上形成彼此相对的源极电极和漏极电极，其中在所述源极电极和所述漏极电极之间存在间隙。在所述晶片的所述表面上在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙的相对侧上形成第一栅极电极和第二栅极电极。将至少一个Janus部件设置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙中，其中所述Janus部件包括具有导电材料的第一部分和具有电绝缘材料的第二部分。

公开(公告)号：CN103563057B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201280026268.1

申请日：2012-06-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： M·A·吉罗恩 ,  E·A·约瑟夫 ,  刘菲 ,  章贞

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B81C1/00666 ,  B81C1/00952 ,  H01H1/0094 ,  H01H2001/0078

摘要： 公开了一种制造例如MEMS或NEMS开关的机电设备的方法。该方法包括提供布置在绝缘层之上的硅层，绝缘层布置在硅衬底上；从绝缘层释放硅层的一部分，使得其至少部分地悬浮在绝缘层中的空腔之上；在至少硅层的释放部分的至少一个表面上沉积金属（例如，Pt），并且利用热工艺，利用沉积的金属完全硅化至少硅层的释放部分。该方法消除了硅化物引起的对释放Si构件的应力，因为整个Si构件都硅化了。此外，在形成完全硅化的材料之后，不使用常规的湿化学蚀刻，由此减少造成硅化物腐蚀和增加静摩擦的可能性。

公开(公告)号：CN103348458A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007822.1

申请日：2012-02-02

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·L·弗莱彻 ,  C·拉沃耶 ,  S·L·毛雷尔 ,  章贞

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775

摘要： 本发明提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。