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公开(公告)号：CN103972067B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410044030.2
申请日：2014-01-30
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66628 , H01L29/66636
摘要： 一种具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法，制造集成电路的方法包括形成层间介电(ILD)层于虚拟栅极堆栈上方。虚拟栅极堆栈包括形成于半导体基底上方的虚拟栅极结构、硬掩模层、以及侧壁分隔物。本方法再包括移除虚拟栅极堆栈至少一上方部分以在ILD层内形成第一开口、通过完全移除虚拟栅极堆栈的虚拟栅极结构扩展第一开口以形成第一扩展开口、以及在第一开口内和第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层。还有，本方法包括移除第一开口内的部分功函数材料并且在功函数材料的残余部位上方沉积低电阻材料，借以形成包括有功函数材料残余部位和低电阻材料的取代金属栅极结构。
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公开(公告)号：CN103582930B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280018022.X
申请日：2012-03-07
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L29/0603 , H01L29/1054 , H01L29/4236 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66621 , H01L29/66628 , H01L29/66651 , H01L29/66772 , H01L29/78
摘要： 公开了具有凹陷沟道和突变结的MOSFET和用于制造该MOSFET的方法。所述方法包括在虚设栅极处于适当位置时制造源极和漏极延伸。所述源极/漏极延伸与硅衬底产生扩散结。所述方法包括除去所述虚设栅极以及在所述硅衬底中蚀刻凹陷。所述凹陷与所述源极和漏极结的至少一部分相交。然后，通过生长硅膜以至少部分填充所述凹陷而形成沟道。所述沟道与源极和漏极具有陡峭结，而保留在沟道下方的未被蚀刻的硅具有与源极和漏极的扩散结。由此，可以产生在同一晶体管中具有两个结区（陡峭和扩散）的MOSFET。
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公开(公告)号：CN104769722A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380057762.9
申请日：2013-08-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/845 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。
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公开(公告)号：CN104218086A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410238899.0
申请日：2014-05-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/1207 , H01L27/1211 , H01L29/66795
摘要： 本发明涉及具有共面形貌的多高度FINFET。提供了一种半导体结构，其具有有着可变高度的半导体鳍而没有任何不适当的形貌。所述半导体结构包括具有第一半导体表面和第二半导体表面的半导体衬底，其中所述第一半导体表面位于所述第二半导体表面上方并且从所述第二半导体表面垂直偏移。氧化物区域直接位于所述第一半导体表面和/或所述第二半导体表面上。具有第一高度的第一组第一半导体鳍位于所述半导体衬底的所述第一半导体表面上方。具有第二高度的第二组第二半导体鳍位于所述第二半导体表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每个第一半导体鳍和每个第二半导体鳍具有彼此共面的最上表面。
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公开(公告)号：CN103515461A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310258334.4
申请日：2013-06-26
申请人： 国际商业机器公司
发明人： B·赫克玛特绍塔巴里 , A·卡基菲鲁兹 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及纹理化的多结太阳能电池及制造方法。一种多结光伏器件包括具有金字塔形状的锗层，所述金字塔形状具有暴露的（111）刻面以形成纹理化表面。在该纹理化表面上或之上形成第一p-n结。在第一p-n结之上并遵循该纹理化表面形成另一p-n结。
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公开(公告)号：CN104769722B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380057762.9
申请日：2013-08-15
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/845 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。
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公开(公告)号：CN104167361B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410206585.2
申请日：2014-05-16
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02164 , H01L21/02381 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/76237 , H01L21/76283 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1207 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/66795
摘要： 本发明涉及FinFET结构及其形成方法。使用具有掺碳外延硅层的体硅衬底制造带有鳍的结构。该结构的pFET区域包括硅锗鳍。这些鳍通过对所述结构进行退火以将含锗层与邻接的晶体硅层混合而形成。所述结构还包括nFET区域，所述nFET区域包括由所述晶体硅层形成的硅鳍。在所述nFET区域中的所述含锗层被去除，从而在所述nFET区域中的所述晶体硅层下方产生空间。在所述空间内提供绝缘材料。通过浅沟槽隔离区使所述pFET区域与所述nFET区域电隔离。
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公开(公告)号：CN103972236B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410044017.7
申请日：2014-01-30
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/10 , H01L21/782
CPC分类号： H01L29/7853 , H01L21/28 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/41791 , H01L29/458 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 本发明涉及包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法，提供数种集成电路及用以制造集成电路的方法。在一实施例中，集成电路包含半导体基板。彼此毗邻地从该半导体基板延伸的第一鳍片及第二鳍片。该第一鳍片有第一上半段以及该第二鳍片有第二上半段。第一磊晶部覆于该第一上半段上以及第二磊晶部覆于该第二上半段上。第一硅化物层覆于该第一磊晶部上以及第二硅化物层覆于该第二磊晶部上。该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙。介电间隔体由介电材料形成以及跨越该横向间隙。接触形成材料覆于该介电间隔体以及该第一及该第二硅化物层横向在该介电间隔体上方的部分上。
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公开(公告)号：CN103957990B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280058828.1
申请日：2012-11-30
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 一种方法，包括：在衬底(106)中形成一个或多个沟槽(104)；用电介质衬里(112)为所述一个或多个沟槽(104)加衬；用导电电极(102)填充所述一个或多个沟槽(104)以形成一个或多个沟槽电极(102)；在所述衬底(106)上形成晶体管层(108)；将所述一个或多个沟槽电极(102)中的每一个连接到所述晶体管层(108)中的至少一个存取晶体管(716)；以及减薄所述衬底(106)以暴露每一个所述沟槽电极(102)的至少一部分。
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公开(公告)号：CN103715199A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310456100.0
申请日：2013-09-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/06 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/76251 , B82Y10/00 , H01L21/76283 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11536 , H01L27/11543 , H01L27/11563 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/7881
摘要： 本发明涉及采用半导体纳米颗粒的非易失性存储器件。在衬底的第一绝缘体层的顶面上沉积半导体纳米颗粒。在所述半导体纳米颗粒和所述第一绝缘体层之上沉积第二绝缘体层。然后将半导体层接合到所述第二绝缘体层以提供包括掩埋绝缘体层的绝缘体上半导体衬底，所述掩埋绝缘体层包括所述第一和第二绝缘体层以及嵌入其中的半导体纳米颗粒。在所述掩埋绝缘体层下方形成背栅电极，并且形成浅沟槽隔离结构以隔离所述背栅电极。采用相同的处理步骤在存储器件区域和逻辑器件区域中形成场效应晶体管。嵌入的纳米颗粒可用作非易失性存储器件的电荷存储器元件，其中在写入和擦除期间载流子隧穿通过所述第二绝缘体层而进入或离开所述半导体纳米颗粒。
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