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公开(公告)号：CN108139691A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057969.X
申请日：2016-09-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0388 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时抑制抗蚀剂L/S图案中的图案崩塌的发生和抗蚀剂C/H图案中的遗漏不良的发生的抗蚀剂膜图案化用处理液及图案形成方法。本发明的处理液为用于对由感光化射线性或感放射线性树脂组合物得到的抗蚀剂膜进行显影及清洗中的至少一种且含有有机溶剂的抗蚀剂膜图案化用处理液，所述处理液含有相对介电常数为4.0以下的第1有机溶剂和相对介电常数为6.0以上的第2有机溶剂。
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公开(公告)号：CN114787717A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080084911.0
申请日：2020-11-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , C08F220/28 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种处理液，当所述处理液使用于抗蚀剂膜的显影和清洗中的至少一种处理时，解析性优异、薄膜化抑制性优异且残渣抑制性优异。并且，提供一种有关上述处理液的图案形成方法。本发明的处理液是一种用于对由感光化射线或感放射线性组合物获得的抗蚀剂膜进行显影和清洗中的至少一种处理且包含有机溶剂的抗蚀剂膜图案化用处理液，所述处理液包含满足规定条件的第一有机溶剂、满足规定条件的第二有机溶剂。
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公开(公告)号：CN102822746A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015598.6
申请日：2011-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/2041 , Y10T428/24
Abstract: 本发明提供一种形成图案以确保优良的曝光宽容度(EL)以及聚焦宽容度(聚焦深度DOF)的方法。所述图案形成方法包含(A)由光阻组成物形成膜，所述光阻组成物；(B)使所述膜曝光；以及(C)使用含有有机溶剂的显影剂使经曝光的膜显影，藉此形成负像图案。所述光阻组成物含有(a)在受酸作用时使其分解且其由下式(1)表示的ΔSP为2.5(兆帕)1/2或2.5(兆帕)1/2以上的树脂，(b)当曝露于光化射线或辐射时组成产生酸的化合物，以及(c)溶剂。ΔSP＝SPF-SPI(1)。
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公开(公告)号：CN107111253A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070596.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/039
Abstract: 本发明的课题为提供一种可抑制抗蚀剂图案中的缺陷的产生的抗蚀剂膜图案化用有机系处理液及图案形成方法。本发明的有机系处理液是用于对由感光化射线或感放射线性组合物所获得的抗蚀剂膜进行显影及清洗的至少一者、且含有有机溶剂的抗蚀剂膜图案化用有机系处理液，所述有机系处理液的氧化剂的含有量为10mmol/L以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102812400B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180015971.8
申请日：2011-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/26 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/30 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物以及一种使用其的图案形成方法，从而确保在曝光后延迟(PED)期期间的极佳蚀刻抗性以及稳定性。所述组合物含有含重复单元的树脂以及当曝露于光化射线或放射线时产生pka≥-1.5的酸的化合物，所述重复单元含有在受酸作用时即分解藉此产生醇羟基的基团。
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公开(公告)号：CN103460133A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016092.1
申请日：2012-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/038 , C08F12/14 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/20 , C08F8/14 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08J3/24 , C08J2325/18 , G03F1/50 , G03F7/004 , G03F7/0382 , G03F7/325 , Y10S430/143 , C08F212/32
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂图案形成方法，依序包含：(1)使用负型化学增幅型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，其中负型化学增幅型抗蚀剂组合物含有如下组分：具有如在本说明书中所定义的由式(1)表示的重复单元的(A)聚合物化合物、(B)能够在用光化射线或辐射照射后产生酸的化合物以及(C)能够由酸的作用交联聚合物化合物(A)的交联剂；(2)使抗蚀剂膜曝光，从而形成经曝光的抗蚀剂膜；以及(4)使用含有有机溶剂的显影剂使经曝光的抗蚀剂膜显影。
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公开(公告)号：CN102812400A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180015971.8
申请日：2011-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/26 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/30 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物以及一种使用其的图案形成方法，从而确保在曝光后延迟(PED)期期间的极佳蚀刻抗性以及稳定性。所述组合物含有含重复单元的树脂以及当曝露于光化射线或放射线时产生pka≥-1.5的酸的化合物，所述重复单元含有在受酸作用时即分解藉此产生醇羟基的基团。
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公开(公告)号：CN107735730A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680035917.2
申请日：2016-05-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/32 , C08F12/24 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C08F12/24 , C08F12/22 , C08F212/14 , C08F220/10 , C09D125/18 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027 , C08F2220/282 , C08F212/32 , C08F2220/281
Abstract: 本发明提供一种显影液、使用该显影液的图案形成方法及包括该图案形成方法的电子设备的制造方法，所述显影液是为了以非常高的水准兼具高精度的微细图案的图案塌陷性能与桥接性能而用于由感光化射线性或感放射线性组合物所得的抗蚀剂膜，且含有具有支链烷基的酮系或醚系溶剂。
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公开(公告)号：CN106200268A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610793819.7
申请日：2011-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/2041 , Y10T428/24
Abstract: 本发明提供一种形成图案以确保优良的曝光宽容度(EL)以及聚焦宽容度(聚焦深度DOF)的方法。所述图案形成方法包含(A)由光阻组成物形成膜；(B)使所述膜曝光；以及(C)使用含有有机溶剂的显影剂使经曝光的膜显影，藉此形成负像图案。所述光阻组成物含有(a)在受酸作用时使其分解且其由下式(1)表示的ΔSP为2.5(兆帕)1/2或2.5(兆帕)1/2以上的树脂，(b)当曝露于光化射线或辐射时分解产生酸的化合物，以及(c)溶剂。ΔSP＝SPF-SPI(1)。
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