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公开(公告)号：CN109787659B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910047077.7
申请日：2014-05-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H04B5/00
Abstract: 本申请涉及电流隔离器并公开了一种可包含电流隔离器(12)的系统封装(SOP)(8)。电流隔离器(12)可包含输入级(14)，其经配置以响应于接收输入调制信号而发射输入RF信号。电流隔离器(12)还可包含共振耦合器(16)，其通过电介质与输入级电隔离。共振耦合器(16)可经配置以对输入RF信号进行滤波，且响应于输入RF信号而发射输出RF信号。电流隔离器(12)可进一步包含输出级(20)，其通过电介质与共振耦合器(16)电隔离。输出级(20)可经配置以响应于接收到输出RF信号而提供输出调制信号。
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公开(公告)号：CN109787659A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910047077.7
申请日：2014-05-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H04B5/00
Abstract: 本申请涉及电流隔离器并公开了一种可包含电流隔离器(12)的系统封装(SOP)(8)。电流隔离器(12)可包含输入级(14)，其经配置以响应于接收输入调制信号而发射输入RF信号。电流隔离器(12)还可包含共振耦合器(16)，其通过电介质与输入级电隔离。共振耦合器(16)可经配置以对输入RF信号进行滤波，且响应于输入RF信号而发射输出RF信号。电流隔离器(12)可进一步包含输出级(20)，其通过电介质与共振耦合器(16)电隔离。输出级(20)可经配置以响应于接收到输出RF信号而提供输出调制信号。
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公开(公告)号：CN103493288A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280020900.1
申请日：2012-04-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01P5/00
CPC classification number: H01P1/184 , H01L23/66 , H01L2223/6638 , H01L2924/0002 , H01P3/026 , H05K1/0245 , H05K2201/09245 , H01L2924/00
Abstract: 多对差分传输线路（102，104，106，108）包括一组成对的差分传输线路（104，106，108），其中来自该组成对的差分传输线路的每对差分传输线路包括交替电流方向的至少一个绞合（118-1至118-6）。差分传输线路（104，106，108）的绞合（118-1至118-6）设置在距离位置（D1至D9）以交替电流方向从而基本上消除多对差分传输线路（102，104，106，108）间的串扰。
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公开(公告)号：CN103262228A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180060401.0
申请日：2011-12-16
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05093 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05124 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括抗电迁移（EM）的馈线（401）的集成电路（IC）器件（400）。IC器件包括含有有源电路（409）的衬底（405）。后段制程（BEOL）金属化堆叠（420）包括通过抗EM馈线联接键合焊盘（419）的互联金属层（412）。键合件（435）在键合焊盘上。抗EM馈线（401）包括均匀部分（402）和延伸进入键合焊盘的图案化轨迹部分（405），其包括彼此电平行的至少三个子轨迹。子轨迹被设计尺寸从而与每个子轨迹相关的平方数在子轨迹的平均平方数的正负百分之二十的范围内，或通过每个子轨迹提供给键合件的电流密度在提供给键合件的平均电流密度的正负百分之二十的范围内。
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公开(公告)号：CN104184438B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201410224778.0
申请日：2014-05-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03K19/0175
Abstract: 一种系统封装(SOP)(8)可包含电流隔离器(12)。电流隔离器(12)可包含输入级(14)，其经配置以响应于接收输入调制信号而发射输入RF信号。电流隔离器(12)还可包含共振耦合器(16)，其通过电介质与输入级电隔离。共振耦合器(16)可经配置以对输入RF信号进行滤波，且响应于输入RF信号而发射输出RF信号。电流隔离器(12)可进一步包含输出级(20)，其通过电介质与共振耦合器(16)电隔离。输出级(20)可经配置以响应于接收到输出RF信号而提供输出调制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103814442A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280044982.3
申请日：2012-07-16
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： G·E·霍华德 , M·D·罗米格 , M-S·A·米勒罗恩 , S·慕克吉
IPC: H01L23/48 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 在基底（103）上的具有键合焊盘（110）的半导体芯片（101），该基底具有多行多列规则间距的金属接触焊盘（131）。一个区包括第一对（131a，131b）和平行的第二对（131c，131d）金属焊盘，以及用于地电位的单个接触焊盘（131e）；通过平行且等长的迹线（131a，132b等）连接到相应的各对相邻接触焊盘的交错的多对缝合焊盘（133）。平行且等长的键合引线（120a，120b等）将键合焊盘对连接到缝合焊盘对，从而形成多对平行且等长的差分导线。处于平行且对称位置的两个差分对形成用于传导高频信号的发射器/接收器单元。
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公开(公告)号：CN101496137A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200680021901.2
申请日：2006-04-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0203 , H01L27/0802 , H01L28/20
Abstract: 本发明实现了由不同表面电阻值的多晶硅电阻器组成的半导体器件加工过程，而不需要添加额外的半导体加工处理步骤。在半导体器件的表面形成氧化层(104)。在此氧化层之上形成多晶硅层(106)。通过图案化在多晶硅层上形成多晶硅电阻器(108)。在多晶硅电阻器上形成多晶硅电阻器掩模，此掩模按选定百分比暴露出部分多晶硅电阻器(110)。注入选择的掺杂剂(112)，以改变多晶硅电阻器的电阻率。去除掩模(114)并进行热激活处理(116)，使所注入掺杂剂在整个多晶硅电阻器中扩散以实现充分均匀的浓度分布。
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公开(公告)号：CN103814442B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201280044982.3
申请日：2012-07-16
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： G·E·霍华德 , M·D·罗米格 , M-S·A·米勒罗恩 , S·慕克吉
IPC: H01L23/48 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06155 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 在基底（103）上的具有键合焊盘（110）的半导体芯片（101），该基底具有多行多列规则间距的金属接触焊盘（131）。一个区包括第一对131a，131b）和平行的第二对（131c，131d）金属焊盘，以及用于地电位的单个接触焊盘（131e）；通过平行且等长的迹线（131a，132b等）连接到相应的各对相邻接触焊盘的交错的多对缝合焊盘133）。平行且等长的键合引线（120a，120b等）将键合焊盘对连接到缝合焊盘对，从而形成多对平行且等长的差分导线。处于平行且对称位置的两个差分对形成用于传导高频信号的发射器/接收器单元。
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公开(公告)号：CN103493288B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280020900.1
申请日：2012-04-30
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01P5/00
CPC classification number: H01P1/184 , H01L23/66 , H01L2223/6638 , H01L2924/0002 , H01P3/026 , H05K1/0245 , H05K2201/09245 , H01L2924/00
Abstract: 多对差分传输线路（102，104，106，108）包括一组成对的差分传输线路（104，106，108），其中来自该组成对的差分传输线路的每对差分传输线路包括交替电流方向的至少一个绞合（118-1至118-6）。差分传输线路（104，106，108）的绞合（118-1至118-6）设置在距离位置（D1至D9）以交替电流方向从而基本上消除多对差分传输线路（102，104，106，108）间的串扰。
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公开(公告)号：CN103262228B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180060401.0
申请日：2011-12-16
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05093 , H01L2224/05094 , H01L2224/05096 , H01L2224/05124 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括抗电迁移（EM）的馈线（401）的集成电路（IC）器件（400）。IC器件包括含有有源电路（409）的衬底（405）。后段制程（BEOL）金属化堆叠（420）包括通过抗EM馈线联接键合焊盘（419）的互联金属层（412）。键合件（435）在键合焊盘上。抗EM馈线（401）包括均匀部分（402）和延伸进入键合焊盘的图案化轨迹部分（405），其包括彼此电平行的至少三个子轨迹。子轨迹被设计尺寸从而与每个子轨迹相关的平方数在子轨迹的平均平方数的正负百分之二十的范围内，或通过每个子轨迹提供给键合件的电流密度在提供给键合件的平均电流密度的正负百分之二十的范围内。
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