多晶硅还原尾气的分离回收系统及方法

    公开(公告)号:CN119143138A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411287004.2

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 本发明涉及多晶硅领域,公开了一种多晶硅还原尾气的分离回收系统及方法,其中回收系统包括前处理单元、解吸塔、第一冷却单元、闪蒸罐、分离单元等结构,采用本发明提供的系统实现了对多晶硅还原尾气中DCS的回收,提高了三氯氢硅产品中DCS的含量,通过调节闪蒸罐的压力来控制获得的三氯氢硅产品中DCS的配比,提升多晶硅产品产量和经济效益;另一方面,提高了氯化氢的一次回收率,从闪蒸罐出来的液相物料直接去分离单元,流程简化,节省能耗,有利于降低成本。

    含氧氯硅烷废料回收利用装置

    公开(公告)号:CN222130995U

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202323485501.7

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种含氧氯硅烷废料回收利用装置,用于去除含氧氯硅烷废料液中的金属氯化物和固体颗粒物,以避免堵塞设备或者管道,并从含氧氯硅烷废料中回收硅、氯等有价元素,减小多晶硅生产过程的运行成本。该装置包括刮板蒸发器(2)、脱重塔(3)、汽化器(9)、氯化炉(10)、冷却组件(27)和分离组件(28)。刮板蒸发器(2)的进料口用于接收含氧氯硅烷废料液,刮板蒸发器(2)的塔釜底部与水解装置连通。氯化炉(10)的进料口与汽化器(9)的出料口连通,氯化炉(10)还与碳还原剂料管、氯气料管分别连通。分离组件(28)的进料口与冷却组件(27)的出料口连通,用于分离出四氯化硅。

    一种铜硅系催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN114011451B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202111445314.9

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明提供一种铜硅系催化剂及其制备方法,所述铜硅系催化剂中包括:载体和活性组分;其中,所述活性组分为硅‑铜系多元合金,所述硅‑铜系多元合金中包括Cu元素和Si元素,还包括M元素,所述M元素指Cr、Ni、Mo、Ti、Zr、Ce、La、Sc中的至少一种。本发明中的铜硅系催化剂的活性组分晶粒细小,有效增加界面缺陷活性中心和硅‑铜相界面。所述催化剂应用于冷氢化反应过程中,四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相发生反应,使得催化反应时间大幅缩短,因而可以有效的提高催化反应速率及转化率。

    一种制备甲基氯硅烷方法及装置

    公开(公告)号:CN112300205B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201910707640.9

    申请日:2019-08-01

    Abstract: 本发明公开一种制备甲基氯硅烷方法,包括取氯硅烷、甲烷为原料,对所述原料分别进行预处理,并混合,将混合后的原料在反应器中加热条件下,反应生成甲基氯硅烷。本发明还公开一种制备甲基氯硅烷的装置,包括:第一缓冲罐,设有第一进料管线,用于放置氯硅烷;第二缓冲罐,设有第二进料管线,用于放置甲烷;反应器,与所述第一缓冲罐和所述第二缓冲罐连接,用于氯硅烷和甲烷进行反应;加热器件,包括第一加热器、第二加热器、第三加热器,分别用于对第一缓冲罐、第二缓冲罐、反应器进行加热。本发明的原料易得,工艺操作简单,有利于降低甲基氯硅烷的生产成本。

    改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置

    公开(公告)号:CN113387362B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202110500459.8

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置,该方法包括以下步骤:1)将预热过的四氯化硅、氢气、氯化氢,与过量的硅粉混合,发生氯化反应,主要生成三氯氢硅,得到第一气相混合物;2)将第一气相混合物进行气固分离,将气固分离得到的固体排出,将气固分离得到的气相进行加热,与过量的硅粉混合,发生冷氢化反应,主要生成三氯氢硅,得到第二气相混合物。本发明中的方法促使氯化氢与硅粉反应过程中反应向生成三氯氢硅方向移动,提高了氯化反应过程中三氯氢硅的转化率,提高了整个方法中的四氯化硅转化为三氯氢硅的单程转化率。氯化反应过程中反应热作为热源对混合气进行加热,减少冷氢化反应系统的补热量,降低冷氢化系统的能耗。

    改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置

    公开(公告)号:CN113387362A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110500459.8

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种改进的冷氢化合成三氯氢硅的方法及装置,该方法包括以下步骤:1)将预热过的四氯化硅、氢气、氯化氢,与过量的硅粉混合,发生氯化反应,主要生成三氯氢硅,得到第一气相混合物;2)将第一气相混合物进行气固分离,将气固分离得到的固体排出,将气固分离得到的气相进行加热,与过量的硅粉混合,发生冷氢化反应,主要生成三氯氢硅,得到第二气相混合物。本发明中的方法促使氯化氢与硅粉反应过程中反应向生成三氯氢硅方向移动,提高了氯化反应过程中三氯氢硅的转化率,提高了整个方法中的四氯化硅转化为三氯氢硅的单程转化率。氯化反应过程中反应热作为热源对混合气进行加热,减少冷氢化反应系统的补热量,降低冷氢化系统的能耗。

    一种二甲基二氯硅烷、其制备方法及其制备装置

    公开(公告)号:CN113024593A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201911350687.0

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 一种二甲基二氯硅烷的制备方法、由该方法所制备的二甲基二氯硅烷及制备该二甲基二氯硅烷的装置。所述方法包括:S110,将包括二氯二氢硅的原料气化以得到第一气体;S120,将氯甲烷气化以得到第二气体;S130,将第一气体与第二气体混合;S140,将混合气体通入反应器中进行反应得到反应产物;以及S150,将反应产物进行精馏提纯,获得二甲基二氯硅烷。本发明的制备方法采用二氯二氢硅为原料,实现了二氯二氢硅的高值化利用。

    一种制备甲基氯硅烷方法及装置

    公开(公告)号:CN112300205A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201910707640.9

    申请日:2019-08-01

    Abstract: 本发明公开一种制备甲基氯硅烷方法,包括取氯硅烷、甲烷为原料,对所述原料分别进行预处理,并混合,将混合后的原料在反应器中加热条件下,反应生成甲基氯硅烷。本发明还公开一种制备甲基氯硅烷的装置,包括:第一缓冲罐,设有第一进料管线,用于放置氯硅烷;第二缓冲罐,设有第二进料管线,用于放置甲烷;反应器,与所述第一缓冲罐和所述第二缓冲罐连接,用于氯硅烷和甲烷进行反应;加热器件,包括第一加热器、第二加热器、第三加热器,分别用于对第一缓冲罐、第二缓冲罐、反应器进行加热。本发明的原料易得,工艺操作简单,有利于降低甲基氯硅烷的生产成本。

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