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公开(公告)号:CN113161300A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110080735.X
申请日:2021-01-21
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本公开提供一种引线框架,其包含裸片脚座及环绕所述裸片脚座的多个引线。所述引线中的每一个包含接近所述裸片脚座的指状物部分及远离所述裸片脚座的引线部分。所述指状物部分包含主体及至少一个支撑结构。在邻近的所述引线上的相应的所述支撑结构相互隔离,且所述支撑结构与所述裸片脚座之间的距离小于所述引线部分与所述裸片脚座之间的距离。还提供一种包含本文中所描述的引线框架的半导体封装结构及一种包含本文中所描述的半导体封装结构的半导体封装组合件。
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公开(公告)号:CN111081684A
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201910531324.0
申请日:2019-06-19
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 提供一种半导体装置封装,所述半导体装置封装包含衬底、安置在所述衬底上的第一支撑结构和第一天线。所述第一支撑结构包含以第一距离与所述衬底间隔开的第一表面。所述第一天线安置在所述第一支撑结构的所述第一表面上方。所述第一天线具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及从所述第一表面延伸到所述第二表面的第三表面,其中所述第一天线的所述第一表面和所述第二表面是暴露的。
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公开(公告)号:CN110120373A
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201810895144.6
申请日:2018-08-08
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装结构,其包含第一导电结构、第二导电结构、第一半导体组件、第二半导体组件以及第一封装体。所述第一半导体组件安置在所述第一导电结构上。所述第一导电结构包含第一重布层。所述第二半导体组件安置在所述第二导电结构上。所述第二导电结构包含第二重布层,且所述第一导电结构电连接到所述第二导电结构。所述第一封装体覆盖所述第一半导体组件和所述第一导电结构。所述第一导电结构的侧表面与所述第一封装体的侧表面是非共面的。
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公开(公告)号:CN106033752B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201510120701.3
申请日:2015-03-19
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装结构,其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入,且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片,且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。
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公开(公告)号:CN104241239A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201310233893.X
申请日:2013-06-13
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/13 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/11019 , H01L2224/11622 , H01L2224/1163 , H01L2224/13147 , H01L2224/14104 , H01L2224/16225 , H01L2924/12042 , H05K3/108 , H05K3/3436 , H05K3/4007 , H05K3/4682 , H05K2201/0376 , H05K2201/09045 , H05K2201/10674 , H05K2203/0723 , H05K2203/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种半导体基板及其制造方法。该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、数个导电通道及数个凸块。该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面,且显露于绝缘层的第一表面。该第二线路层位于该绝缘层的第二表面上,且经由该等导电通道电性连接该第一线路层。该等凸块直接位于部份该第一线路层上,其中该等凸块的晶格与该第一线路层的晶格相同。
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公开(公告)号:CN115132693A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202110313226.7
申请日:2021-03-24
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/58 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01Q1/22
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体基板,包括:天线结构,设置在半导体基板的凹槽结构的第一侧面,凹槽结构位于半导体基板的侧壁上;辐射集中元件,设置在半导体基板的凹槽结构的第二侧面,第一侧面邻接第二侧面。本发明的目的在于提供一种半导体基板及其形成方法,以提供封装天线的性能。
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公开(公告)号:CN105321922B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201410258047.8
申请日:2014-06-11
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装。所述内埋图形衬底包括衬底本体、第一线路层、多个导电通道及第二线路层。所述第一线路层内埋于所述衬底本体的第一表面中且显露于所述衬底本体的第一表面。所述第一线路层包括彼此间隔开的多个个别接垫。所述导电通道位于所述衬底本体的一通孔中且彼此间隔开。每一导电通道连接每一个别接垫及所述第二线路层。
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公开(公告)号:CN102184908A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201110104554.2
申请日:2011-04-26
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种进阶式四方扁平无引脚封装结构及其制作方法,该结构包括一载体、一芯片、多条焊线以及一封装胶体。载体具有一芯片座、多个环绕芯片座配置的引脚及多个第一凹槽部。每一引脚具有彼此相对的一内表面与一外表面。第一凹槽部分别位于引脚的外表面上。芯片配置于载体的芯片座上。焊线配置于芯片与引脚之间。封装胶体包覆芯片、焊线与引脚的内表面,并暴露出外表面与第一凹槽部。
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公开(公告)号:CN101226921B
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200810074322.5
申请日:2008-02-15
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Inventor: 廖国成
IPC: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/66 , G01B15/02
Abstract: 本发明公开了一种可检测接点厚度的基板及其检测方法。该可检测接点厚度的基板至少包含介电层、第一金属层以及第二金属层,该第一金属层形成于该介电层的上表面,该第一金属层包含有线路区及测试区,该线路区具有多个接点,该第二金属层形成于该介电层的下表面,该第二金属层具有镂空区,该镂空区对准该第一金属层的该测试区,以防止检测该测试区时,造成干扰。
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