公开(公告)号：CN105321922B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201410258047.8

申请日：2014-06-11

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈家庆 ,  廖国成 ,  高金利

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16225

摘要： 本发明涉及一种内埋图形衬底及其制造方法及半导体封装。所述内埋图形衬底包括衬底本体、第一线路层、多个导电通道及第二线路层。所述第一线路层内埋于所述衬底本体的第一表面中且显露于所述衬底本体的第一表面。所述第一线路层包括彼此间隔开的多个个别接垫。所述导电通道位于所述衬底本体的一通孔中且彼此间隔开。每一导电通道连接每一个别接垫及所述第二线路层。

公开(公告)号：CN102064163B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201010564911.9

申请日：2010-11-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈家庆 ,  蔡裕斌

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L25/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种堆栈封装组件的一实施例，包括一第一半导体封装件、一第二半导体封装件、一导电凸块、一第二导电接触件、及一导线。第一半导体封装件包括一半导体装置、一封装体及一第一导电接触件。半导体装置包括后及侧表面。封装体包括一上表面，且实质上覆盖装置之后及侧表面。第一导电接触件邻接于封装体的上表面，且电性连接于装置。第二半导体封装件设置于封装体的上表面上。导电凸块邻接于第一接触件及第二封装件。第二导电接触件位于第一及第二封装件的外部。导线电性连接第一及第二封装件于第二接触件，导线的一第一端邻接于第一接触件，且至少部份的导线的第一端被凸块所覆盖。

公开(公告)号：CN101887879B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200910165917.6

申请日：2009-08-11

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 黄士辅 ,  苏洹漳 ,  陈嘉成 ,  陈家庆

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/498 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种单层金属层基板结构，应用于一封装件，其基板结构包括一第一图案化介电层(first patterned dielectric layer)、一图案化金属层(patterned metal layer)和一第二图案化介电层(second patterned dielectric layer)。图案化金属层内埋于第一图案化介电层，且图案化金属层的上表面与第一图案化介电层的上表面为一共平面，其中第一图案化介电层的下表面至少暴露出部分图案化金属层，以形成下方对外电性连接的数个第一接点。第二图案化介电层位于图案化金属层和第一图案化介电层的上方，且第二图案化介电层至少暴露出图案化金属层的部分上表面，以形成上方对外电性连接的数个第二接点。封装件结构则包括至少一晶粒(die)与上述基板的第二接点电性连接，和覆盖第一图案化介电层、图案化金属层、第二图案化介电层和晶粒的胶体(Molding Compound)。

公开(公告)号：CN101916751B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010243789.5

申请日：2010-07-30

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈家庆 ,  丁一权

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L2224/24 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种封装结构及其制作方法。该封装结构包括基板、芯片、第一金属层、第二金属层、第三金属层及防焊层。基板具有第一表面、第二表面及至少一贯孔。芯片配置于基板上且位于第一表面上。第一金属层配置于第一表面上且延伸至芯片上。第二金属层配置于第二表面上。第三金属层覆盖贯孔的内壁且连接第一金属层与第二金属层。芯片通过第一金属层与第三金属层及第二金属层电性连接。防焊层填充贯孔且包覆芯片、至少部分第一金属层、至少部分第二金属层及第三金属层。

公开(公告)号：CN102184908A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110104554.2

申请日：2011-04-26

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 ,  陈家庆 ,  丁一权 ,  黄东鸿 ,  蔡宗岳

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种进阶式四方扁平无引脚封装结构及其制作方法，该结构包括一载体、一芯片、多条焊线以及一封装胶体。载体具有一芯片座、多个环绕芯片座配置的引脚及多个第一凹槽部。每一引脚具有彼此相对的一内表面与一外表面。第一凹槽部分别位于引脚的外表面上。芯片配置于载体的芯片座上。焊线配置于芯片与引脚之间。封装胶体包覆芯片、焊线与引脚的内表面，并暴露出外表面与第一凹槽部。

公开(公告)号：CN102064163A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010564911.9

申请日：2010-11-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈家庆 ,  蔡裕斌

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L25/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种堆栈封装组件的一实施例，包括一第一半导体封装件、一第二半导体封装件、一导电凸块、一第二导电接触件、及一导线。第一半导体封装件包括一半导体装置、一封装体及一第一导电接触件。半导体装置包括后及侧表面。封装体包括一上表面，且实质上覆盖装置之后及侧表面。第一导电接触件邻接于封装体的上表面，且电性连接于装置。第二半导体封装件设置于封装体的上表面上。导电凸块邻接于第一接触件及第二封装件。第二导电接触件位于第一及第二封装件的外部。导线电性连接第一及第二封装件于第二接触件，导线的一第一端邻接于第一接触件，且至少部份的导线的第一端被凸块所覆盖。

公开(公告)号：CN101887879A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200910165917.6

申请日：2009-08-11

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 黄士辅 ,  苏洹漳 ,  陈嘉成 ,  陈家庆

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/498 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种单层金属层基板结构，应用于一封装件，其基板结构包括一第一图案化介电层(first patterned dielectric layer)、一图案化金属层(patterned metal layer)和一第二图案化介电层(second patterned dielectric layer)。图案化金属层内埋于第一图案化介电层，且图案化金属层的上表面与第一图案化介电层的上表面为一共平面，其中第一图案化介电层的下表面至少暴露出部分图案化金属层，以形成下方对外电性连接的数个第一接点。第二图案化介电层位于图案化金属层和第一图案化介电层的上方，且第二图案化介电层至少暴露出图案化金属层的部分上表面，以形成上方对外电性连接的数个第二接点。封装件结构则包括至少一晶粒(die)与上述基板的第二接点电性连接，和覆盖第一图案化介电层、图案化金属层、第二图案化介电层和晶粒的胶体(Molding Compound)。

公开(公告)号：CN106033752A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510120701.3

申请日：2015-03-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 ,  陈家庆 ,  丁一权

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/007 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。

公开(公告)号：CN102214641B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010291032.3

申请日：2010-09-15

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 丁一权 ,  陈家庆

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 具有堆栈功能的晶圆级半导体封装件及相关堆栈封装组装件及方法于此叙述。在一实施例中，一半导体封装件包含一组连接组件，其设置邻接于一组堆栈的半导体组件。至少有一连接组件为焊线接合于一堆栈于上方的半导体组件的一主动表面。

公开(公告)号：CN102315136A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110161548.0

申请日：2011-06-02

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈勇仁 ,  丁一权 ,  陈家庆 ,  林津华

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种封装结构及其制造方法。封装结构的制造方法包括以下步骤。提供一封胶件及一芯片。封胶件具有一第一表面及一第二表面。芯片埋入于封胶件。芯片的一主动表面暴露于第一表面。形成一第一重布线路层于第一表面。蚀刻封胶件及第一重布线路层，以形成一封胶通孔及一线路通孔。于封胶通孔及线路通孔形成一导电柱。形成一第二重布线路层于第二表面。导电柱电性连接第一重布线路层及第二重布线路层。