公开(公告)号：CN101631891B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880006245.8

申请日：2008-02-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村肇 ,  有马央恭 ,  今村俊一 ,  齐藤一也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/56 ,  C23C14/0063

Abstract: 本发明涉及一种成膜装置，用反应性溅射法在保持在溅射成膜室内的基板的表面形成化合物薄膜，所述溅射成膜室包括将对成膜在所述基板的表面的化合物薄膜的膜质进行调整的膜质调整用气体导入到所述基板的背面的第一膜质调整用气体导入设备。

公开(公告)号：CN101861410A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200980101012.0

申请日：2009-01-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村肇 ,  进藤孝明 ,  松田麻也子 ,  石野耕司

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/542 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的溅射成膜方法，是使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜的溅射成膜方法，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。

公开(公告)号：CN101641272A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009163.9

申请日：2008-04-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 石野耕司 ,  中村肇 ,  松田麻也子 ,  进藤孝明 ,  小清水孝治

IPC: B65G49/06 ,  C23C14/56 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67748 ,  B65G49/061 ,  B65G49/062 ,  B65G49/063 ,  B65G49/068 ,  B65G2249/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67751

Abstract: 一种输送机和成膜装置及其维护方法。在具有框架、支撑纵向放置有基板的托架并输送托架的下部支撑机构、和支撑托架的上部支撑机构的输送机中，框架由下部框架和上部框架构成，下部支撑机构设置于下部框架上，上部支撑架构设置于上部框架上，上部框架能够与下部框架分离而移动。于是，通过旋转上部框架，能够将阴极部件配置在形成于下部框架上方的空间内，因此可以使成膜处理路径与托架输送路径之间的间隔狭窄。因此，由于可以使成膜装置的内部区域狭窄，可以在能够输送托架的输送机以及具有该输送机并具有真空处理装置和输送系统的成膜装置中，使其设置面积狭小化。

公开(公告)号：CN1978698A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610160965.2

申请日：2006-12-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 李尚浩 ,  小松孝 ,  中村肇 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  谷典明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的内容为：磁控管溅射电极可以使磁铁组装件的磁铁之间产生的管状磁束的轮廓调节变得简单易行。在支撑板上安装中央磁铁和周边磁铁，构成在靶前方形成管状磁束的磁铁组装件。对包含中央磁铁和周边磁铁的支撑板相对两侧进行分割，分割后的中央部分与一块基础板固定在起，分割下来的分割部分借助可使其相对中间部分作前后、左右以及上下方向移动的位置变更装置安装在的基础板上。

公开(公告)号：CN1904133A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107628.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的其特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少3片的靶(241)和对各靶(241)交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E1～E3)，使来自交流电源(E1～E3)的至少一个输出分支，连接到至少2片的靶(241)上，在连接到该分支了的输出上的各靶(241)之间设置了作为切换从交流电源施加电位的靶的切换单元的开关(SW1～SW3)。

公开(公告)号：CN1904132A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107627.2

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小林大士 ,  谷典明 ,  小松孝 ,  清田淳也 ,  中村肇 ,  新井真

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的课题是提供在靶上不留下非侵蚀区域而且在进行反应性溅射的情况下能形成均匀的膜质的膜的溅射装置。本发明的溅射装置(2)的特征在于：具备在真空室(21)内隔开一定的间隔并列地设置的至少4片的靶(241)和逐一地连接以便对并列地设置的靶中的2片靶交替地施加负电位和正电位或接地电位的交流电源(E)，将各交流电源(E)连接到互不相邻的2片靶(241)上。

公开(公告)号：CN1670243A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510056364.2

申请日：2005-03-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 新井真 ,  石桥晓 ,  小松孝 ,  谷典明 ,  清田淳也 ,  太田淳 ,  中村久三 ,  中村肇 ,  田口信一郎 ,  大石祐一

IPC: C23C14/35

Abstract: 现有的磁控管溅射装置中，在成膜期间，使磁铁装配体连续移动，使靶前方的等离子体摇动，变得容易发生异常放电。为克服上述问题，本发明溅射方法及其装置，对最初处理衬底S成膜结束，把下一个衬底搬运到与靶对向位置的时候，使靶前方形成的磁通相对靶平行移动并保持，在这种状态下成膜。

公开(公告)号：CN1978698B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200610160965.2

申请日：2006-12-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 李尚浩 ,  小松孝 ,  中村肇 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  谷典明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的内容为：磁控管溅射电极可以使磁铁组装件的磁铁之间产生的管状磁束的轮廓调节变得简单易行。在支撑板上安装中央磁铁和周边磁铁，构成在靶前方形成管状磁束的磁铁组装件。对包含中央磁铁和周边磁铁的支撑板相对两侧进行分割，分割后的中央部分与一块基础板固定在一起，分割下来的分割部分借助可使其相对中间部分作前后、左右以及上下方向移动的位置变更装置安装在的基础板上。

公开(公告)号：CN101395711B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780007217.3

申请日：2007-04-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村肇 ,  谷口麻也子 ,  石野耕司 ,  进藤孝明 ,  筒井润一郎 ,  菊地幸男 ,  斋藤一也

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/06 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/568 ,  B65G49/061 ,  B65G49/066 ,  B65G49/067 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C23C14/50 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68778

Abstract: 本发明提供与基板的运送姿势无关、在任意面上都能成膜、且可与非成膜面不干涉地支承并运送基板的纵式基板运送装置和成膜装置。本发明的成膜装置(1)，备有可处理基板(W)的任意面地支承着上述基板的托架(15)、变换托架(15)的运送姿势的第1姿势变换部(3)、收容已变换了姿势的托架并将该托架运送到成膜室(10)的运送室(9)。采用上述构造，可以与基板(W)的运送姿势无关地、对任意面实施成膜处理。另外，在基板(W)的运送途中，可以变更成膜面(Wa)。另外，可以使托架(15)不与基板(W)的非成膜面干涉地支承着基板(W)。

公开(公告)号：CN101657563A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880012357.4

申请日：2008-04-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 石野耕司 ,  中村肇 ,  松田麻也子 ,  进藤孝明 ,  菊地幸男

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  Y10T428/12361

Abstract: 一种伪基板，为应用于直列式反应性溅射装置的伪基板，其主体由在矩形金属板上形成有相似形状的开口部的矩形板状的框体构成，通过该主体，覆盖托架的与主体的接触部分。由此，即使在溅射装置运行过程中，也不会发生玻璃破裂等不良情况，能够大幅地提高伪基板的使用次数。此外，通过伪基板持续覆盖与托架的接触部分，能够防止残存于溅射成膜室内的物质，尤其是化合物薄膜堆积在该托架与基板的接触部分上，能够防止由于化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。结果是，能够以比以前更短的时间、并且有效而低成本地进行通过溅射法形成化合物薄膜的装置的启动(开启)、该装置成膜条件的维持或变更及该装置的停止(关闭)。