公开(公告)号：CN106796951A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054265.2

申请日：2015-10-13

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 威廉·C·亚历山大 ,  理查德·A·布兰查德

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/732

摘要： 公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。

公开(公告)号：CN106062958B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201480065680.3

申请日：2014-12-10

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 理查德·A·布兰查德 ,  威廉·C·亚历山大

IPC分类号： H01L29/739

摘要： 用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。

公开(公告)号：CN106796951B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201580054265.2

申请日：2015-10-13

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 威廉·C·亚历山大 ,  理查德·A·布兰查德

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/732

摘要： 公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。

公开(公告)号：CN106062958A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480065680.3

申请日：2014-12-10

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 理查德·A·布兰查德 ,  威廉·C·亚历山大

IPC分类号： H01L29/739

摘要： 用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。

公开(公告)号：CN108028603B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201680052122.2

申请日：2016-09-15

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 威廉·C·亚历山大 ,  理查德·A·布兰查德

IPC分类号： H02M3/158 ,  H03K17/60 ,  H01L29/747

摘要： 用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。

公开(公告)号：CN106170861B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201580003842.5

申请日：2015-01-16

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 理查德·A·布兰查德

IPC分类号： H01L27/04

摘要： 本申请提供了(除更广泛适用的发明之外)特别适用于利用双极性传导的双侧功率半导体器件的改善。在这类器件中，本发明人已认识到，还可以令人惊异的优点使用四个(或更多个)半导体掺杂部件中的两个或三个，以在两个表面上的有源阵列周围形成场限定环，其中，所述半导体掺杂部件在双侧功率器件的有源器件(阵列)部分中形成载流子发射结构和控制结构。最优选地，在一些实施例但不一定所有实施例中，一种传导类型的浅植入物用于对具有另一传导类型的阱的表面作出抵消掺杂。该浅植入物单独地工作或与具有相同传导类型的另一浅植入物组合地工作，以使阱免受半导体材料的表面处或之上的过量电荷的影响。

公开(公告)号：CN108028603A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052122.2

申请日：2016-09-15

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 威廉·C·亚历山大 ,  理查德·A·布兰查德

IPC分类号： H02M3/158 ,  H03K17/60 ,  H01L29/747

摘要： 用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。

公开(公告)号：CN106170861A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201580003842.5

申请日：2015-01-16

申请人： 理想能量有限公司

发明人： 理查德·A·布兰查德

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/72 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/747 ,  H03K17/66

摘要： 本申请提供了(除更广泛适用的发明之外)特别适用于利用双极性传导的双侧功率半导体器件的改善。在这类器件中，本发明人已认识到，还可以令人惊异的优点使用四个(或更多个)半导体掺杂部件中的两个或三个，以在两个表面上的有源阵列周围形成场限定环，其中，所述半导体掺杂部件在双侧功率器件的有源器件(阵列)部分中形成载流子发射结构和控制结构。最优选地，在一些实施例但不一定所有实施例中，一种传导类型的浅植入物用于对具有另一传导类型的阱的表面作出抵消掺杂。该浅植入物单独地工作或与具有相同传导类型的另一浅植入物组合地工作，以使阱免受半导体材料的表面处或之上的过量电荷的影响。