公开(公告)号：CN105047714B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510178778.6

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·魏斯 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  M·普法芬莱纳 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 一种垂直半导体器件，包括半导体主体，其包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、以及在基本上垂直于第一表面的垂直方向上延伸的边缘、有源区域、在有源区域和边缘之间在基本平行于第一表面的水平方向上布置的外围区域，以及与第一表面相邻地布置并从有源区域延伸至外围区域的pn结。在外围区域中，半导体器件还包括布置与第一表面相邻的第一导电区域，与第一表面相邻地布置并在水平方向上布置在第一导电区域和边缘之间的第二导电区域、以及钝化结构，其在垂直截面中包括至少部分地覆盖第一导电区域的第一部分，至少部分地覆盖第二导电区域的第二部分。第一部分具有与第二部分不同的层组成和/或不同于第二部分的第二厚度的第一厚度。

公开(公告)号：CN105047714A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510178778.6

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·魏斯 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  M·普法芬莱纳 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L23/3157 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种垂直半导体器件，包括半导体主体，其包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、以及在基本上垂直于第一表面的垂直方向上延伸的边缘、有源区域、在有源区域和边缘之间在基本平行于第一表面的水平方向上布置的外围区域，以及与第一表面相邻地布置并从有源区域延伸至外围区域的pn结。在外围区域中，半导体器件还包括布置与第一表面相邻的第一导电区域，与第一表面相邻地布置并在水平方向上布置在第一导电区域和边缘之间的第二导电区域、以及钝化结构，其在垂直截面中包括至少部分地覆盖第一导电区域的第一部分，至少部分地覆盖第二导电区域的第二部分。第一部分具有与第二部分不同的层组成和/或不同于第二部分的第二厚度的第一厚度。

公开(公告)号：CN106098553A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610247808.9

申请日：2016-04-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·鲍姆加特尔 ,  M·屈恩勒 ,  E·莱凯尔 ,  D·施勒格尔 ,  H-J·舒尔策 ,  C·魏斯

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法被提供。该方法包括：提供具有一表面的半导体衬底；在该表面上沿垂直于该表面的竖直方向外延生长出背侧发射层，其中，背侧发射层具有第一导电类型的掺杂物或与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物；在背侧发射层上方沿着竖直方向外延生长出漂移层，漂移层具有第一导电类型的掺杂物，其中，背侧发射层的掺杂物浓度高于漂移层的掺杂物浓度；并且在漂移层内或在漂移层的顶部上形成体区域，体区域具有第二导电类型的掺杂物，体区域与漂移层之间的过渡形成PN结。外延生长出漂移层包括：在漂移层内形成第一导电类型的掺杂物沿着竖直方向的掺杂物浓度走向，掺杂物浓度走向为第一导电类型掺杂物的浓度沿竖直方向的变化。