-
公开(公告)号：CN105097907B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510470426.8
申请日：2015-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，(i)栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者(ii)漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。
-
公开(公告)号：CN105097906B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510469220.3
申请日：2015-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构的至少一个包括配置用于控制流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。
-
公开(公告)号：CN105405867A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510564038.6
申请日：2015-09-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/76 , H01L21/764
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/02233 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L21/02667 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L21/76232 , H01L21/76248 , H01L21/76877 , H01L23/3677 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L27/0922 , H01L28/40 , H01L29/0649 , H01L29/0603 , H01L21/76 , H01L21/764 , H01L29/0684
摘要： 本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。
-
公开(公告)号：CN105374856B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510491053.2
申请日：2015-08-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0638 , H01L29/404 , H01L29/7395 , H01L29/74 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要： 本发明提供具有屏蔽结构的半导体器件。一种半导体器件具有包括相对的底侧和顶侧的半导体本体、围绕半导体本体的表面、形成在半导体本体中的有源半导体区域、围绕有源半导体区域的边缘区域、形成在边缘区域中的第一导电类型的第一半导体区、形成在顶侧处的边缘区域中的边缘终端结构以及布置在边缘终端结构背离底侧的那侧上的屏蔽结构。屏蔽结构具有N1≥2个第一段和N2≥1个第二段。第一段中的每个电连接至其他第一段中的每个以及第二段中的每个，并且第二段中的每个具有比第一段中的每个的电阻率高的电阻率。
-
公开(公告)号：CN105374856A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510491053.2
申请日：2015-08-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/0638 , H01L29/404 , H01L29/7395 , H01L29/74 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L29/0603
摘要： 本发明提供具有屏蔽结构的半导体器件。一种半导体器件具有包括相对的底侧和顶侧的半导体本体、围绕半导体本体的表面、形成在半导体本体中的有源半导体区域、围绕有源半导体区域的边缘区域、形成在边缘区域中的第一导电类型的第一半导体区、形成在顶侧处的边缘区域中的边缘终端结构以及布置在边缘终端结构背离底侧的那侧上的屏蔽结构。屏蔽结构具有N1≥2个第一段和N2≥1个第二段。第一段中的每个电连接至其他第一段中的每个以及第二段中的每个，并且第二段中的每个具有比第一段中的每个的电阻率高的电阻率。
-
公开(公告)号：CN105405867B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510564038.6
申请日：2015-09-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/76 , H01L21/764
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/02233 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L21/02667 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L21/76232 , H01L21/76248 , H01L21/76877 , H01L23/3677 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L27/0922 , H01L28/40 , H01L29/0649
摘要： 本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。
-
公开(公告)号：CN104979386B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201510163238.0
申请日：2015-04-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66325 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7395 , H01L29/7397
摘要： 一种半导体器件包括在半导体台面中的体区，其被形成在邻近的控制结构之间，该控制结构从第一表面延伸至半导体主体之中。漂移区与该体区形成第一pn结。在该半导体台面中，该漂移区包括第一漂移区部分，该第一漂移区部分包括该半导体台面的收缩部分。该收缩部分平行于该第一表面的最小水平宽度小于该体区的最大水平宽度。在该漂移区和第二表面之间的发射极层包括至少一个该漂移区的导电类型的第一区，第二平面与第一表面平行。
-
公开(公告)号：CN105097907A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510470426.8
申请日：2015-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/7395 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H01L29/8613 , H01L2924/13055 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，(i)栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者(ii)漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。
-
公开(公告)号：CN105097906A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510469220.3
申请日：2015-05-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/02238 , H01L21/76224 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/0843 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/6634 , H01L29/7395 , H01L29/7396 , H01L29/7397 , H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/66325
摘要： 本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构的至少一个包括配置用于控制流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。
-
公开(公告)号：CN104979386A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510163238.0
申请日：2015-04-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66325 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7395 , H01L29/7397
摘要： 一种半导体器件包括在半导体台面中的体区，其被形成在邻近的控制结构之间，该控制结构从第一表面延伸至半导体主体之中。漂移区与该体区形成第一pn结。在该半导体台面中，该漂移区包括第一漂移区部分，该第一漂移区部分包括该半导体台面的收缩部分。该收缩部分平行于该第一表面的最小水平宽度小于该体区的最大水平宽度。在该漂移区和第二表面之间的发射极层包括至少一个该漂移区的导电类型的第一区，第二平面与第一表面平行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.033 秒)
