公开(公告)号：CN117712170A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311705188.5

申请日：2023-12-12

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵晔 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  王东 ,  李永军 ,  谭凯 ,  师小鸥 ,  刘瑜 ,  赵浩男

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24

摘要： 本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。

公开(公告)号：CN118156131A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410395269.8

申请日：2024-04-02

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  郭昂 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  黄永 ,  常焕堉 ,  李永军

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

摘要： 本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的钝化层，以形成位于所述栅电极区域两侧的第一钝化子层和第二钝化子层；制备浮空T型栅电极，浮空T型栅电极包括栅脚和栅帽；将电极引出，完成浮空T型栅HEMT器件的制备。本发明既实现了在不引入额外寄生电容的情况下，对浮空T型栅电极的表面进行了钝化，又能对浮空T型栅的栅帽进行支撑，提高了工作频率，改善其射频功率特性，提高器件制备良率，降低了成本。

公开(公告)号：CN118073411A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410216094.X

申请日：2024-02-27

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  郭昂 ,  陈兴 ,  吴勇 ,  黄永 ,  常焕堉 ,  李永军

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417

摘要： 本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电极肖特基金属的引入能提高漏极击穿电压。

公开(公告)号：CN117673138A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311697067.0

申请日：2023-12-11

申请人： 西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈大正 ,  李永军 ,  陈兴 ,  张春福 ,  赵胜雷 ,  王东 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种多级槽终端耐压结构的GaN HEMT器件及其制备方法，所述GaN HEMT器件包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上表面设置有N个第一凹槽，N＞1；源极和漏极分别设置于AlGaN势垒层上表面的两端；介质层设置于AlGaN势垒层、源极和漏极上；栅极设置于介质层上，且N个第一凹槽和N个第二凹槽位于栅极和漏极之间。本发明的GaN HEMT器件在保证器件性能的同时，进一步通过重新分配栅极靠近漏极的高电场来延缓雪崩过程，提高GaN基功率器件的工作电压。

公开(公告)号：CN118116954A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410229168.3

申请日：2024-02-29

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  王东 ,  赵晔 ,  李永军 ,  赵浩男 ,  师小欧 ,  刘瑜

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种基于Ga空位工程调控的GaN HEMT外延结构及制备方法，该外延结构包括：包括衬底层；以及依次层叠在衬底层上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、Ga空位工程缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；其中，Ga空位工程缓冲层为周期性结构或渐变式结构。本发明在原有外延层结构的基础上创新性地引入了Ga空位工程缓冲层，利用Ga空位工程缓冲层的调控功能可以有效提升后续器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN118099279A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410216090.1

申请日：2024-02-27

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  黎伟正 ,  陈兴 ,  龚建彪 ,  李永军 ,  崔福彬

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04

摘要： 本发明涉及一种氧化镓薄膜光电探测器及其制备方法，制备方法包括步骤：S1、提供衬底；S2、采用射频磁控溅射方法在所述衬底上生长氧化镓薄膜层，并在溅射氧化镓薄膜层的过程中对所述衬底施加偏压；S3、对所述氧化镓薄膜层进行退火处理；S4、在所述氧化镓薄膜层上生长二氧化硅图形层；S5、制备叉指电极，使得所述叉指电极的叉指部分交替分布在所述氧化镓薄膜层上，叉指连接部分位于所述二氧化硅图形层上，并对所述叉指电极进行退火以使所述叉指部分和所述氧化镓薄膜层形成欧姆接触，得到氧化镓薄膜光电探测器。该方法解决了现有方法薄膜结晶度不足、器件制备成本较高、暗电流高、响应速度慢等问题。

公开(公告)号：CN117038724A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311010013.2

申请日：2023-08-11

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈兴 ,  李永军 ,  王东 ,  吴勇 ,  黄永 ,  常焕堉 ,  郭昂

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/31 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层一、AlGaN层二、栅极边缘介质钝化层、源极和漏极，源极与漏极之间还设置有栅极、第二钝化层，在本发明中，在栅极边缘沉积介质钝化，可以改善栅极电流的泄漏，提高击穿特性；通过降低AlGaN势垒层顶部的Al组份来提高介电常数，降低了AlGaN材料顶部的极化电荷，使栅极靠近漏端的电场减小，栅极和漏极之间的电场分布更加均匀；上方的第二钝化层的张应力补偿下方的栅极边缘介质的压应力，并对沟道层施加微弱的张应力可以改善GaN沟道层的二维电子气浓度，同时可以改善器件的导通电阻、方块电阻等特性。

公开(公告)号：CN104683818A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510112891.4

申请日：2015-03-15

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 李云松 ,  李永军 ,  刘凯 ,  吴宪云 ,  王柯俨 ,  张静 ,  何刚

IPC分类号： H04N19/63 ,  H04N19/635

摘要： 本发明公开一种基于双正交不变集多小波的图像压缩方法，其步骤为：1.输入图像数据；2.DC电平位移；3.组成滤波器矩阵判；4.双正交不变集多小波变换层数初始化；5.扩展图像的高和宽；6.双正交不变集多小波行变换；7.双正交不变集多小波列变换；8.量化系数；9.算术编码；10.率失真优化截取；11.码流组织。本发明采用一组具有对称、紧支、正交的双正交不不变集多小波滤波器，双正交不不变集多小波变换计算时采用内积的方法，使得算法复杂度大大降低，变换后能量和熵集中程度高具有更大的稀疏性，有利于后续的压缩编码，而且便与分块处理和并行加速。

公开(公告)号：CN116978941A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310949643.X

申请日：2023-07-31

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  陆俊 ,  李永军 ,  赵晔 ,  赵浩男 ,  刘瑜 ,  师小鸥 ,  黎伟正 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20

摘要： 本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下往上依次外延的衬底基板、复合AlN成核层、AlGaN缓冲层、AlN/空位GaN SL1缓冲层、AlN/空位GaN SL2缓冲层、AlN/空位GaN SL3缓冲层、GaN沟道层、ALN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明能够有效调节外延薄膜中的应力，降低氮化镓外延层中的位错密度，获得高结晶，高质量GaN基HEMT外延材料。

公开(公告)号：CN104683818B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201510112891.4

申请日：2015-03-15

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 李云松 ,  李永军 ,  刘凯 ,  吴宪云 ,  王柯俨 ,  张静 ,  何刚

IPC分类号： H04N19/63 ,  H04N19/635

摘要： 本发明公开一种基于双正交不变集多小波的图像压缩方法，其步骤为：1.输入图像数据；2.DC电平位移；3.组成滤波器矩阵判；4.双正交不变集多小波变换层数初始化；5.扩展图像的高和宽；6.双正交不变集多小波行变换；7.双正交不变集多小波列变换；8.量化系数；9.算术编码；10.率失真优化截取；11.码流组织。本发明采用一组具有对称、紧支、正交的双正交不不变集多小波滤波器，双正交不不变集多小波变换计算时采用内积的方法，使得算法复杂度大大降低，变换后能量和熵集中程度高具有更大的稀疏性，有利于后续的压缩编码，而且便与分块处理和并行加速。