公开(公告)号：CN102804363A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200980160041.4

申请日：2009-06-24

申请人： 青井电子株式会社

发明人： 山地隆 ,  加藤贵章

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明由下述工序制造半导体装置，从而提高生产率，所述工序是：将多个半导体芯片(11)按照与上述金属薄膜电绝缘的方式固定在金属薄膜(30)上的工序；通过连接部件(13)将半导体芯片的电极焊盘(12)和上述金属薄膜进行电连接的工序；通过树脂层(15)来密封上述金属薄膜的上述半导体芯片和上述连接部件的工序；以及通过分割上述金属薄膜来形成薄膜端子(30A)的工序。

公开(公告)号：CN102804363B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN200980160041.4

申请日：2009-06-24

申请人： 青井电子株式会社

发明人： 山地隆 ,  加藤贵章

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明由下述工序制造半导体装置，从而提高生产率，所述工序是：将多个半导体芯片(11)按照与上述金属薄膜电绝缘的方式固定在金属薄膜(30)上的工序；通过连接部件(13)将半导体芯片的电极焊盘(12)和上述金属薄膜进行电连接的工序；通过树脂层(15)来密封上述金属薄膜的上述半导体芯片和上述连接部件的工序；以及通过分割上述金属薄膜来形成薄膜端子(30A)的工序。