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公开(公告)号:CN105895610A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410858172.2
申请日:2014-11-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体装置,包括具有管芯支撑区域和包围该管芯支撑区域的多个内排和外排引线的引线框,以及安装在该管芯支撑区域上并利用接合线电连接至所述引线的半导体管芯。模制材料封装该半导体管芯、接合线以及引线并限定出封装体。该半导体装置进一步包括从引线竖直地延伸至封装体的顶部表面的连接条。在执行该模制处理之前,所述连接条将内排引线连接至外排引线中各自的外排引线。
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公开(公告)号:CN102738024A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201110082117.5
申请日:2011-04-01
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L21/4828 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装及其引线框。利用第一和第二引线框装配半导体封装。第一引线框包括管芯底盘,第二引线框包括引线指。当第一和第二引线框配合时,引线指围绕管芯底盘。部分地蚀刻管芯底盘的侧表面以在管芯底盘上形成扩展的管芯连附表面,以及部分地蚀刻每一个引线指的部分顶表面以形成与所述管芯底盘的蚀刻侧表面互补的引线指表面。半导体管芯连附到扩展的管芯连附表面,以及所述半导体管芯的接合衬垫电气地连接到引线指。封装材料覆盖管芯、电连接和管芯底盘的顶表面和引线指。
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公开(公告)号:CN105206596A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201410338546.8
申请日:2014-06-06
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49555 , H01L23/49582 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及具有弯折引线的封装集成电路器件。一种用于组装方形扁平无引线(QFN)器件的方法,包括将管芯安装并且电连接至预镀引线框架(PPF),以形成子组件,其中镀层是焊料可湿的,并且引线框架在位于沿器件边界的引线指内具有槽口。子组件随后包封以(1)留出露出的引线指的远端,并且(2)具有邻近槽口的包封剂边缘。子组件随后被切单,以留出从产生的器件凸出的远端引线段。凸出的露出段随后弯折至基本与器件侧壁平行。因此,每根引线的镀层表面沿器件的底部和一个侧部的一部分延伸。
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公开(公告)号:CN102376596B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201010255738.4
申请日:2010-08-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49558 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供具有嵌套行接触的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括生产在各个侧上具有第一电接触元件的行的第一引线框架阵列。通过外围地施加第一模塑化合物来提供每个第一引线框架的第一电接触元件之间的支撑,以及分割子组件,来生产子组件。生产组件阵列,每个组件包括在各个侧上具有第二电接触元件的行的第二引线框架,相应的一个子组件被设置在第二引线框架中,并且第一电接触元件的行被嵌套成相邻于第二电接触元件的行且在第二电接触元件的行内,在子组件上安装半导体管芯。在将半导体管芯电连接到第一和第二电接触元件之后,使用第二模塑化合物包封组件,第一和第二电接触元件的行在各个组件的有源面的相邻侧上暴露,并且分割组件。
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公开(公告)号:CN102376596A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201010255738.4
申请日:2010-08-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49558 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供具有嵌套行接触的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括生产在各个侧上具有第一电接触元件的行的第一引线框架阵列。通过外围地施加第一模塑化合物来提供每个第一引线框架的第一电接触元件之间的支撑,以及分割子组件,来生产子组件。生产组件阵列,每个组件包括在各个侧上具有第二电接触元件的行的第二引线框架,相应的一个子组件被设置在第二引线框架中,并且第一电接触元件的行被嵌套成相邻于第二电接触元件的行且在第二电接触元件的行内,在子组件上安装半导体管芯。在将半导体管芯电连接到第一和第二电接触元件之后,使用第二模塑化合物包封组件,第一和第二电接触元件的行在各个组件的有源面的相邻侧上暴露,并且分割组件。
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