非易失性可重编程存储器件

    公开(公告)号:CN102332305A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110195365.0

    申请日:2011-07-12

    Inventor: 李源 陶国桥

    Abstract: 本发明提供了一种包括非易失性可重编程存储单元的存储器件。结合多个示例性实施例,存储单元是位于第一和第二节点之间的单个电阻器。电阻器存储与通过SiCr辅助迁移而设置的不同电阻值相对应的不同电阻状态。响应于第一和第二节点之间存在的能量而发生SiCr辅助迁移。向存储单元电阻器的第一节点施加信号使得元素沿存储单元电阻器迁移,以设置存储单元电阻器的电阻值。向第二节点施加近似等强度的第二信号将电阻的改变逆转,并使存储单元返回先前的电阻级别。在一些实现中,电阻器由SiCr制成。

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