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    用于生产钾产品的二氧化硫洗涤系统和方法
    1.
    发明公开
    用于生产钾产品的二氧化硫洗涤系统和方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN117228639A

    公开(公告)日：2023-12-15

    申请号：CN202311251933.3

    申请日：2016-12-16

    申请人： 泰森德洛克利公司

    发明人： M·M·霍加蒂 ,  C·L·F·洛克哈特 ,  A·季米特里亚季斯 ,  M·P·克拉克森 ,  H·C·科明斯基 ,  J·范考文伯格 ,  N·S·许尔特 ,  A·T·戈德史密斯

    IPC分类号： C01B17/64

    摘要： 本发明涉及一种制备硫代硫酸钾、亚硫酸钾或亚硫酸氢钾的方法，其包含下列步骤：步骤(1a)：提供氢氧化钾溶液以中和成酸组分，如溶解SO2或H2S；步骤(1b)：提供SO2接触溶液，其含有至少一些亚硫酸钾或亚硫酸氢钾或硫代硫酸钾；步骤(2)：提供SO2气体；步骤(3)：使这些反应以吸收SO2气体和形成包含亚硫酸钾或亚硫酸氢钾或其混合物的中间反应混合物、和任选回收所述亚硫酸钾或亚硫酸氢钾或其混合物和/或任选使用步骤4和5；步骤(4)：将含有具有0、‑2或在0至‑2之间的氧化态的硫的含硫或硫化物的化合物添加到所述反应混合物和任选氢氧化钾中，和使所述混合物在合适的条件下反应以形成硫代硫酸钾；和步骤(5)：回收所述硫代硫酸钾和任选浓缩所述硫代硫酸钾。

    用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法
    2.
    发明公开
    用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113228232A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201980087197.8

    申请日：2019-12-27

    申请人： 克利公司

    发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  约翰·埃德蒙 ,  华双·康 ,  叶利夫·巴尔卡斯

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  C30B33/00 ,  H01L21/762

    摘要： 用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如>800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。

    宽带隙半导体器件
    3.
    发明公开
    宽带隙半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN112534586A

    公开(公告)日：2021-03-19

    申请号：CN201980049518.5

    申请日：2019-07-05

    申请人： 克利公司

    发明人： 世亨·柳

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

    摘要： 金属氧化物半导体场效应晶体管包括：宽带隙衬底，在衬底上的宽带隙漂移层，漂移层中的多个结注入物，以及结注入物之间的JFET区域。JFET区域由JFET间隙限定，该间隙是相邻的结注入物之间的距离。JFET间隙在整个MOSFET器件中并不均匀。JFET区域被分成第一JFET子区域和第二JFET子区域，使得第一JFET子区域中的掺杂浓度不同于第二JFET子区域中的掺杂浓度。

    具有偏置带的RF放大器封装
    5.
    发明公开
    具有偏置带的RF放大器封装 有权

    公开(公告)号：CN111279469A

    公开(公告)日：2020-06-12

    申请号：CN201880069736.0

    申请日：2018-09-19

    申请人： 克利公司

    发明人： 蒂莫西·坎宁 ,  比约恩·赫尔曼 ,  理查德·威尔逊

    IPC分类号： H01L23/053

    摘要： RF放大器封装的实施例包括主体部，该主体部包括：电绝缘上表面，具有第一相对边缘侧和第二相对边缘侧；以及导电管芯焊盘，其垂直凹入上表面下方，并且包括第一相对侧和第二相对侧以及与第一侧和第二侧相交的第三侧。这样的实施例还包括设置在上表面上的第一导电引线和第二导电引线，第二引线从邻近于第二侧延伸到第二边缘侧；以及第一导电偏置带，其连接至第二引线并设置在邻近于第三侧的上表面上。其他实施例包括封装的RF放大器，其包括这样的RF放大器封装，以及安装在管芯焊盘上的RF晶体管，并且包括：电耦接到第一引线的控制端子，直接面对并电连接到管芯焊盘的参考电位端子，以及电连接到第二引线的输出端子。

    暗灯槽型光学组件
    6.
    发明授权
    暗灯槽型光学组件 有权

    公开(公告)号：CN103261779B

    公开(公告)日：2019-03-22

    申请号：CN201180058877.0

    申请日：2011-11-29

    申请人： 克利公司

    发明人： 保罗·肯尼思·皮克卡德

    IPC分类号： F21S4/00 ,  F21V15/01

    摘要： 本申请提供了一种暗灯槽型灯具。所述灯具尤其非常适合于供固态光源使用。所述暗灯槽包括由盘结构(104)环绕的光引擎单元(200)。细长型散热器(202)包括用于光源的安装表面。细长型透镜(206)安装在细长型散热器上或上方。所述安装表面设计成容纳可预构光带的光发射体。一个或多个反射器(208)在安装表面侧上远离细长型散热器延伸出。透镜板(210)安装成靠近细长型散热器并且延伸出而到达反射器的边缘中。内部腔体至少部分由反射器、透镜板、以及细长型散热器限定。沿着细长型散热器安装表面设置的一个或多个光源(402)发射进入内部腔体内的光，其中光可以在被发射之前混合和/或成形。

    灯具
    7.
    发明授权
    灯具 有权

    公开(公告)号：CN103423666B

    公开(公告)日：2018-10-30

    申请号：CN201310123657.2

    申请日：2013-04-10

    申请人： 克利公司

    发明人： 迈克尔·莱 ,  内森·斯奈尔

    IPC分类号： F21S8/00 ,  F21V29/00 ,  F21Y115/10

    摘要： 本发明公开了一种包括腔室部分的灯具。在一些实施方式中，该灯具包括被成形为容纳照明元件所需的电路的腔室部分，上述照明元件诸如是安装在灯具中的其他位置处的发光二极管（LED）。在一些实施方式中，发光二极管被安装成面对背反射器，背反射器进而将光反射出槽形支架以形成间接照明灯具。在一些实施方式中，从一个混合腔室中发射光。在一些实施方式中，从两个或更多个混合腔室中发射光。在一些实施方式中，发光二极管安装在与腔室部分配合的散热器上。

    包括远程荧光剂和带有散热特征的散射器的LED灯
    10.
    发明授权
    包括远程荧光剂和带有散热特征的散射器的LED灯 有权

    公开(公告)号：CN102893072B

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201180022606.X

    申请日：2011-03-02

    申请人： 克利公司

    发明人： 童涛 ,  罗南·勒托奎内 ,  贝恩德·凯勒 ,  埃里克·塔尔萨

    IPC分类号： F21K9/23 ,  F21V29/85 ,  F21V29/74 ,  F21V29/71 ,  F21Y115/10

    CPC分类号： F21K9/60

    摘要： 本公开提供了一种LED灯或灯泡（320），包括光源（324）、散热器结构（325）以及具有至少一种转换材料的远程荧光剂载体（328）。荧光剂载体能远离光源并且安装到散热器结构以使来自荧光剂载体的热量扩散到散热器中。荧光剂载体可以具有三维形状，并且可以包括导热透明材料以及荧光剂层，以LED为基础的光源安装到散热器以使得来自光源的光穿过荧光剂载体。LED光中的至少一些通过荧光剂载体转换，一些灯的实施方式发射LED和荧光剂光的白光组合。荧光剂载体中的荧光剂能布置为在较低温度下操作以便以较高的荧光剂转换效率操作并且具有对荧光剂的减小的热量相关损害。灯或灯泡还能包括位于荧光剂载体上方的散射器以分配光并且隐藏荧光剂载体。