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公开(公告)号：CN118688115A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410828461.1
申请日：2024-06-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像，得到检测图像，通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作，得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息，即缺陷的数量信息和尺寸信息；以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法，检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息，整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。
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公开(公告)号：CN118181134A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410609547.5
申请日：2024-05-16
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开一种抛光垫定位装置及方法。该抛光垫定位装置包括定位杆和第一定位件；所述定位杆具有第一端和第二端；所述第一定位件设于所述第一端，所述第一定位件的外周壁形成第一定位面；所述第一定位件采用弹性材料制成，所述第一定位件用于通过所述第一定位面抵紧上抛光盘的供液孔的内周壁，以使所述定位杆和所述供液孔共轴定位；所述定位杆的所述第二端用于和所述抛光垫的过液孔共轴定位。该定位装置在应用时，能够提高抛光垫定位的精度，且操作简单，可提升抛光垫定位的效率。
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公开(公告)号：CN118024054A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311842290.X
申请日：2023-12-28
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：将UV固化有机硅/SiO2杂化涂料涂敷在碳化硅晶片A表面，固化，得到树脂膜；固定A表面，对碳化硅晶片B表面打磨；去除树脂膜，固定打磨后的B表面，并对A表面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片。采用上述方法加工的碳化硅单晶片，表面翘曲度小于35μm，‑5μm＜弯曲度
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公开(公告)号：CN117238805A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216451.4
申请日：2023-09-20
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相比于现有技术，仅通过所述主定位边的朝向，以及所述主定位边与所述微观单元的相对位置关系即可辨别所述导电型碳化硅晶片的硅面和碳面，无需再加工出另一个参考面，缩短了生产周期；并且只加工出主定位面，相比于加工出主参考面和副参考面两个参考面，能够增加衬底的可用面积，降低了生产成本，另外所述辨别方法的工艺流程简单，还能在一定程度上提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116516471A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554381.7
申请日：2023-05-16
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，以实现对石墨腔室相对反应腔室位置的精确定位。在每次拆除石墨腔室之前，通过测距装置可以精确得到石墨腔室在反应腔室中的安装位置，以此为位置基准，在重新安装石墨腔室时，再次通过测距装置进行测距，根据前后数据的对比即可以清晰的判断出石墨腔室在反应腔室中的位置有无偏移，以实现石墨腔室相对于反应腔室的精准定位，从而保证了石墨腔室在重新安装后，反应腔的温场不会发生改变。
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公开(公告)号：CN116397322A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111626065.3
申请日：2021-12-28
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括用于装载碳化硅原料的坩埚，还包括设置于所述坩埚内部的导流部。所述坩埚的上平面用于固定籽晶，在所述坩埚完成碳化硅原料的装载后，所述导流部的下端低于所述坩埚中的碳化硅原料上表面，用于将碳化硅原料分割为多个区域，所述导流部的上端高于所述坩埚的碳化硅原料上表面，多个区域的碳化硅原料升华为气相后，在所述导流部的导向作用下向上运动并接触所述籽晶。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，通过在坩埚内设置导流部，将升华的气相碳化硅原料均匀导向至坩埚顶部的籽晶，使得气相碳化硅原料在籽晶生长平面上均匀沉积，从而获得质量均匀的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN116288672A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310150969.6
申请日：2023-02-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN115648463A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211345928.4
申请日：2022-10-31
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种辊轮组件的加工方法以及晶棒切割装置，所述辊轮组件包括出线辊轮和入线辊轮，所述辊轮组件的加工方法，包括：提供两个圆柱状滚轮本体，分别用于制备所述出线辊轮和所述入线辊轮；在所述滚轮本体的侧面形成绕线槽，以形成所述出线辊轮和所述入线辊轮；其中，对应同一段切割线，所述出线辊轮的绕线槽深度小于所述入线辊轮的绕线槽深度。在形成所述绕线槽时，使对应同一段切割线的所述出线辊轮的绕线槽深度小于所述入线辊轮的绕线槽深度，从而使得入线端切割线和出线端切割线对所述晶棒的切入深度相同，因此能够减小所述出线端切割线和所述入线端切割线的切入深度不同而引起的晶片的翘曲差异。
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公开(公告)号：CN115416170A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211079693.9
申请日：2022-09-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种晶棒的切割方法以及切割装置，所述切割方法包括：在对所述晶棒切割的过程中，获取喷涂有砂浆的切割线的温度信息；基于所述温度信息，控制喷涂在所述切割线上的砂浆的温度，控制喷涂在所述切割线上砂浆的温度与所述切割线和所述晶棒的接触面积负相关。在本申请中，随着所述切割线越靠近所述晶棒的中间位置，使所述砂浆的温度逐渐降低，随着所述切割线远离所述晶棒的中心位置，使所述砂浆的温度逐渐升高，从而实现所述晶棒和所述切割线在不同切割位置的温度保持稳定，即使所述切割线的切削能力在整个切割过程中维持稳定，避免因切削能力不足导致的缺陷，从而达到减小晶片翘曲的目的。
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公开(公告)号：CN115365921A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210820513.1
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件以及打磨方法，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
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