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发明公开
半导体装置及其方法无效

公开(公告)号：CN103247545A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049181.2

申请日：2013-02-07

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 拉尔夫·奥特伦巴 , 林峰 , 阿卜杜尔·拉赫曼·穆罕默德 , 张翠薇 , 艾达·菲舍巴赫 , 克萨韦尔·施勒格尔 , 于尔根·施雷德尔 , 约瑟夫·赫格劳尔

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/49524 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/04026 , H01L2224/05553 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/2732 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/33181 , H01L2224/3512 , H01L2224/352 , H01L2224/37099 , H01L2224/37111 , H01L2224/37139 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/37164 , H01L2224/37169 , H01L2224/37572 , H01L2224/376 , H01L2224/37639 , H01L2224/37644 , H01L2224/37647 , H01L2224/37655 , H01L2224/37664 , H01L2224/37669 , H01L2224/40095 , H01L2224/40101 , H01L2224/40175 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40491 , H01L2224/73253 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/84464 , H01L2224/84469 , H01L2224/84801 , H01L2224/84825 , H01L2224/9221 , H01L2224/92246 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00012 , H01L2224/37599

摘要： 本发明涉及半导体装置及其方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。以半导体芯片的第一主表面面向承载件的形式，将半导体芯片放置在承载件上。在第一主表面和承载件之间设置焊料材料的第一层。以第一接触区域面向半导体芯片的第二主表面的方式，将包括第一接触区域的接触夹放置在半导体芯片上。在第一接触区域和第二主表面之间设置焊料材料的第二层。其后，将热量施加于焊料材料的第一层和第二层，从而在承载件、半导体芯片和接触片之间形成扩散焊料结合。