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公开(公告)号：CN103021979A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210057523.0
申请日：2012-03-07
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40491 , H01L2224/40991 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01047 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明的实施方式的半导体装置，具备第1半导体芯片、缓冲体和终端导线。第1半导体芯片具有第1电极和设于第1电极的相反侧的第2电极，在第1电极与第2电极之间流动电流。缓冲体，具有与第2电极电气性连接的下部金属箔、经由下部金属箔设于第2电极上的陶瓷片、设于陶瓷片的下部金属箔的相反侧并与下部金属箔电气性连接的上部金属箔。终端导线的一端设于上部金属箔上，与上部金属箔电气性连接。
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公开(公告)号：CN103247545A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049181.2
申请日：2013-02-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/49524 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/95 , H01L2224/04026 , H01L2224/05553 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/2732 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/33181 , H01L2224/3512 , H01L2224/352 , H01L2224/37099 , H01L2224/37111 , H01L2224/37139 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/37164 , H01L2224/37169 , H01L2224/37572 , H01L2224/376 , H01L2224/37639 , H01L2224/37644 , H01L2224/37647 , H01L2224/37655 , H01L2224/37664 , H01L2224/37669 , H01L2224/40095 , H01L2224/40101 , H01L2224/40175 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40491 , H01L2224/73253 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/84464 , H01L2224/84469 , H01L2224/84801 , H01L2224/84825 , H01L2224/9221 , H01L2224/92246 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00012 , H01L2224/37599
摘要： 本发明涉及半导体装置及其方法。该方法包括提供具有第一主表面和第二主表面的半导体芯片。以半导体芯片的第一主表面面向承载件的形式，将半导体芯片放置在承载件上。在第一主表面和承载件之间设置焊料材料的第一层。以第一接触区域面向半导体芯片的第二主表面的方式，将包括第一接触区域的接触夹放置在半导体芯片上。在第一接触区域和第二主表面之间设置焊料材料的第二层。其后，将热量施加于焊料材料的第一层和第二层，从而在承载件、半导体芯片和接触片之间形成扩散焊料结合。
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公开(公告)号：CN107431058A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015610.6
申请日：2016-02-15
申请人： 派克泰克封装技术有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/283 , H01L23/49 , H01L21/268
CPC分类号： H01L24/48 , B23K26/20 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/77 , H01L24/81 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/16225 , H01L2224/37026 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/40491 , H01L2224/40992 , H01L2224/40997 , H01L2224/4112 , H01L2224/45005 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48839 , H01L2224/48847 , H01L2224/73255 , H01L2224/77263 , H01L2224/77281 , H01L2224/77601 , H01L2224/77611 , H01L2224/77704 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/84214 , H01L2224/84424 , H01L2224/84439 , H01L2224/84444 , H01L2224/84447 , H01L2224/84455 , H01L2224/84464 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/84986 , H01L2224/85051 , H01L2224/85203 , H01L2224/85214 , H01L2224/85379 , H01L2224/8584 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2224/13099
摘要： 本发明涉及一种芯片装置(10)以及一种用于在芯片(18)和导体材料带(14)之间构成接触连接部(11)的方法，所述芯片尤其是功率晶体管等，其中导体材料带在不导电的衬底(12)上构成，其中芯片设置在衬底或导体材料带(15)上，其中分别在芯片的芯片接触面(25)和导体材料带(28)上施加银膏(29)或者铜膏，其中接触导体(30)浸入到芯片接触面上的银膏或铜膏中并且浸入到导体材料带上的银膏或铜膏中，其中包含在银膏或铜膏中的溶剂通过加热至少部分地蒸发，其中接触连接部通过如下方式构成：银膏或铜膏借助于激光能量烧结。
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公开(公告)号：CN105632951A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510802140.5
申请日：2015-11-19
申请人： 贺利氏德国有限及两合公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/40 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05624 , H01L2224/27003 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27418 , H01L2224/27438 , H01L2224/2744 , H01L2224/27442 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40491 , H01L2224/45014 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48491 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84002 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2224/8485 , H01L2224/85002 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2224/95001 , H01L2924/15787 , H01L2924/35 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L24/26
摘要： 本发明涉及具有衬底适配器的半导体元件及其制造方法和其接触方法。用于制造至少一个具有衬底适配器(35'、35”、35”')的半导体元件(10'、10”、10”')的方法，包括以下步骤：结构化导电金属元件(12)；将接触材料(11)施加在半导体元件(10)的第一侧面(13)，其中所述半导体元件(10)以第二侧面(14)布置在转运元件(20)上；定位结构化的金属元件(12)和半导体元件(10)，使得结构化的金属元件(12)的第一侧面(21)与设置有接触材料(11)的、半导体元件(10)的第一侧面(13)相对布置；以及将结构化的金属元件(12)与设置有接触材料(11)的半导体元件(10)接合。
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公开(公告)号：CN104241362A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310536204.2
申请日：2013-11-04
申请人： 株式会社东芝
发明人： 宮川毅
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/39 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/06181 , H01L2224/29007 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32245 , H01L2224/3303 , H01L2224/33181 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/40491 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件，要解决的问题是，降低外部电极与半导体芯片之间产生的连接电阻。本发明的实施方式的半导体器件具有：半导体芯片，具有电极；连接器，具有芯片连接面、中间连接部和外部电极端子连接面，把上述电极与上述芯片连接面电连接；以及第1连接部件，比上述芯片连接面的面积大，设置在上述芯片连接面与上述电极之间。
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公开(公告)号：CN108206163A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711399823.6
申请日：2017-12-19
申请人： 安世有限公司
发明人： 樊海波 , 波姆皮奥·V·乌马里 , 提姆·伯切尔 , 周伟煌
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L21/4825 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/06181 , H01L2224/26145 , H01L2224/27013 , H01L2224/29116 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40491 , H01L2224/73263 , H01L2224/83815 , H01L2224/8491 , H01L2224/92246 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L23/49575 , H01L24/741
摘要： 本申请提供了集成电路封装件中夹布置的半导体器件和方法。一种集成电路封装件具有夹，所述夹具有突出的槽形指状部。所述夹可以用于各种集成电路封装件中，包括诸如具有特定浪涌电流能力的整流器之类的软焊接紧凑型电源封装件。实施例可以实现为允许对焊接区域的目视检查能力，其中所述焊接区域用于经由所述夹将引线框架连接到IC封装件裸片的表面；同时仍提供足够的热物质来限制正向浪涌电流负荷期间的温度升高。这使得制造设计简单，而又不对性能让步太多。
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公开(公告)号：CN104241362B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201310536204.2
申请日：2013-11-04
申请人： 株式会社东芝
发明人： 宮川毅
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49524 , H01L23/49527 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/39 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/06181 , H01L2224/29007 , H01L2224/29083 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32245 , H01L2224/3303 , H01L2224/33181 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/40491 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件，要解决的问题是，降低外部电极与半导体芯片之间产生的连接电阻。本发明的实施方式的半导体器件具有：半导体芯片，具有电极；连接器，具有芯片连接面、中间连接部和外部电极端子连接面，把上述电极与上述芯片连接面电连接；以及第1连接部件，比上述芯片连接面的面积大，设置在上述芯片连接面与上述电极之间。
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公开(公告)号：CN204204848U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420655030.1
申请日：2014-11-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
IPC分类号： H01L23/538
CPC分类号： H01L24/84 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40491 , H01L2224/45124 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/37 , H01L2924/00012 , H01L2224/40 , H01L2924/00015
摘要： 本实用新型涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互联。本实用新型采用梯度焊接的方式进行互联，可以在实现混合集成电路的功率芯片低功耗互连的同时，采用铜结构互连提高了互连可靠性，且结构简单，组装容易。
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