-
公开(公告)号：CN108133903A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711247165.9
申请日：2017-12-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L24/75 , B32B15/01 , B32B37/0046 , B32B37/10 , B32B41/00 , B32B2041/04 , B32B2457/14 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L21/67742 , H01L21/68 , H01L21/6838 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L2224/7515 , H01L2224/753 , H01L2224/75302 , H01L2224/75305 , H01L2224/7531 , H01L2224/7555 , H01L2224/7565 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75901 , H01L2224/75981 , H01L2224/75986 , H01L2224/80009 , H01L2224/80201 , H01L2224/80894 , H01L2224/80908 , H01L2224/83009 , H01L2224/83201 , H01L2224/83894 , H01L2224/83908 , H01L21/67121 , H01L21/67242
摘要： 本发明涉及接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质。检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。用于将上晶圆(WU)与下晶圆(WL)进行接合的接合装置具有：上卡盘(140)，其进行抽真空来将上晶圆(WU)吸附保持在其下表面；下卡盘(141)，其设置在上卡盘(140)的下方，进行抽真空来将下晶圆(WL)吸附保持在其上表面；压动构件(190)，其设置于上卡盘(140)，用于按压上晶圆(WU)的中心部；以及多个传感器(175)，多个传感器(175)设置于上卡盘(140)，检测上晶圆WU的从上卡盘(140)的脱离。
-
公开(公告)号：CN107534014A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023993.1
申请日：2016-05-06
申请人： 索尼公司
发明人： 羽根田雅希
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/14 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/89 , H01L27/14 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/0801 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/80009 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/0104 , H01L2924/05442 , H04N5/369
摘要： 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。
-
搜索结果
2 条记录 (耗时 0.035 秒)
