公开(公告)号：CN107017171A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610959626.4

申请日：2016-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶松峯 ,  余振华 ,  陈明发

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10338 ,  H01L2924/10339 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83486

Abstract: 用于形成半导体封装件的方法的实施例包括：附接第一管芯至第一载体；在第一管芯周围沉积第一隔离材料；以及在沉积第一隔离材料后，接合第二管芯至第一管芯。接合第二管芯至第一管芯包括形成介电质‑介电质的接合。该方法还包括去除第一载体并且在第一管芯的与第二管芯相对的一侧上形成扇出式再分布层(RDL)。扇出式RDL电连接至第一管芯和第二管芯。本发明的实施例还提供了半导体封装件。

公开(公告)号：CN103811506B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310336858.0

申请日：2013-08-05

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 钱胤 ,  戴幸志 ,  代铁军 ,  毛杜立 ,  杨存宇 ,  霍华·E·罗狄丝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本申请案涉及一种集成电路系统、图像传感器系统及其制作方法。集成电路系统包含在电介质的接合界面处接合到第二装置晶片的第一装置晶片。每一晶片包含多个裸片，其中每一裸片包含装置、金属堆叠以及形成于所述裸片的边缘区处的密封环。包含于所述第二装置晶片的裸片中的密封环各自包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径，所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一装置晶片中的对应裸片的所述密封环。

公开(公告)号：CN105336578A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410658986.1

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢祯发 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01074

Abstract: 本发明提供了具有通孔的堆叠结构上的缓冲层。一种结构包括第一和第二衬底、第一和第二应力缓冲层和钝化后互连(PPI)结构。第一和第二衬底包括第一和第二半导体衬底以及分别位于所述第一和第二半导体衬底上的第一和第二互连结构。第二互连结构位于第二半导体衬底的第一侧上。第一衬底在接合界面处接合至第二衬底。通孔至少延伸穿过第二半导体衬底进入第二互连结构。第一应力缓冲层位于与第二半导体衬底的第一侧相对的第二半导体衬底的第二侧上。PPI结构位于第一应力缓冲层上且电连接至通孔。第二应力缓冲层位于PPI结构和第一应力缓冲层上。

公开(公告)号：CN105097736A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510232485.1

申请日：2015-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈明发 ,  蔡文景

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0212 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种封装件，其包括设置在第一半导体衬底的第一侧上的第一重分布层(RDL)和设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中，第一RDL接合至第二RDL。第一导电元件设置在第一RDL和第二RDL中。第一通孔从一个或多个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底至与第一侧相对的第一半导体衬底的第二侧。第一间隔件插入在第一半导体衬底和第一通孔之间并且每个第一间隔件从相应的一个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底。本发明涉及利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构。

公开(公告)号：CN104145327A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380010584.4

申请日：2013-02-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  永井朗 ,  佐藤慎

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/363 ,  C08L63/00 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0244 ,  B23K2101/40 ,  C08G59/38 ,  C08K5/09 ,  C08L63/00 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其为半导体芯片和布线电路基板各自的连接部相互电连接而成的半导体装置或多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具备将所述连接部的至少一部分用含有具有下述式(1)所示基团的化合物的半导体用粘接剂密封的工序。式中，R1表示供电子性基团。

公开(公告)号：CN103367348A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210347618.6

申请日：2012-09-18

Applicant: 全视科技有限公司

Inventor： 钱胤 ,  戴幸志 ,  毛杜立 ,  代铁军 ,  霍华德·E·罗兹 ,  杨洪利

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种集成电路系统包含第一装置晶片，其具有第一半导体层，所述第一半导体层接近安置在第一金属层氧化物内的包含第一导体的第一金属层。还包含第二装置晶片，其具有第二半导体层，所述第二半导体层接近安置在第二金属层氧化物内的包含第二导体的第二金属层。所述第一金属层氧化物的前侧在所述第一金属层氧化物与所述第二金属层氧化物之间的氧化物接合界面处接合到所述第二金属层氧化物的前侧。导电路径借助形成在腔内的导电材料将所述第一导体耦合到所述第二导体，所述腔蚀刻在所述第一导体与所述第二导体之间且从所述第二装置晶片的背侧蚀刻穿过所述氧化物接合界面并穿过所述第二半导体层。

公开(公告)号：CN103137566A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210482667.0

申请日：2012-11-19

Applicant: 意法半导体有限公司

Inventor： P·巴尔 ,  S·若布洛 ,  N·奥特利尔

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本申请涉及用于形成集成电路的方法。具体地，一种用于形成集成电路的方法，包括步骤：a)在第一半导体晶片的前表面中形成开口，开口的深度小于10μm并且将开口填充有传导材料；b)在前表面的有源区中形成部件的掺杂区域，在前表面上形成互连层，以及将支持互连层的表面进行平坦化；c)利用绝缘层覆盖第二半导体晶片的前表面，以及将涂敷有绝缘体的表面进行平坦化；d)将第二晶片的涂敷有绝缘体的前表面施加抵靠在第一晶片的支持互连层的前表面上，以获得在两个晶片之间的键合；e)从第二晶片的后表面形成过孔，以到达第一晶片的互连层；以及f)对第一晶片进行减薄以到达填充有传导材料的开口。

公开(公告)号：CN103022062A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210241867.7

申请日：2012-07-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 三桥生枝 ,  秋山健太郎 ,  菊地晃司

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和固体摄像装置及它们的制造方法及电子设备。所述固体摄像器件具有：传感器基板，其具有像素区域，在所述像素区域上排列有光电转换器；驱动电路，其设置在所述传感器基板的与所述光电转换器的受光面相反的正面侧上；绝缘层，其设置在所述受光面上并且具有阶梯结构，在所述阶梯结构中，所述像素区域的膜厚度比设置在所述像素区域外侧的周边区域的膜厚度薄；配线，其在所述受光面侧设置在所述周边区域中；以及片上透镜，其设置在所述绝缘层上的与所述光电转换器对应的位置处。根据本发明，能够改善光电转换器的光接收性能，并能够改善产出率和器件可靠性，从而提高图像质量。

公开(公告)号：CN102969336A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210055411.1

申请日：2012-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤光芳

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76256 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/05042

Abstract: 本发明提供半导体晶片及具备该半导体晶片的叠层构造体。根据一个实施方式，半导体晶片具备半导体基板和形成在半导体基板上的布线层。在该半导体晶片中，半导体基板具备位于半导体基板的外周部、且未被布线层覆盖的第1区域，布线层具备布线层的上表面大致平坦的第2区域，在第1区域形成了第1绝缘膜，第2区域的布线层的上表面和第1绝缘膜的上表面大致为同一面。

公开(公告)号：CN102316676A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110097153.9

申请日：2011-04-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金永财 ,  郑在祐 ,  刘永锡

IPC: H05K1/18 ,  H05K3/30 ,  H05K3/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/568 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H05K3/125 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/1469 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明公开了一种电子组件模块及其制造方法。所述电子组件模块，包括：具有第一表面的第一绝缘层，在所述第一表面上嵌入第一电路图案；不同种类的电子组件，所述电子组件被安装所述第一电路图案上并且具有位于不同位置的电极部分；以及模制层，所述模制层包围所述电子组件。因此，可以提供具有包含电路图案的薄绝缘层的薄膜型电子组件模块。