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公开(公告)号:CN106395736A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610375924.9
申请日:2016-05-31
申请人: 美科米尚技术有限公司
IPC分类号: B81C1/00
CPC分类号: B25J7/00 , B25J15/0052 , B25J15/008 , B25J15/0085 , H01L21/6833 , H01L21/6835 , H01L24/75 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2224/75303 , H01L2224/7531 , H01L2224/75312 , H01L2224/75315 , H01L2224/75725 , H01L2224/7598 , H01L2224/95001 , H01L2224/95136 , B81C1/00269
摘要: 本发明公开了一种转置头阵列与微元件的转移方法,所述转置头阵列包含本体以及多个转置头。此本体具有基底部与设置于基底部上的墙垣部。墙垣部定义本体上的多个凹槽,且墙垣部具有顶面。墙垣部的顶面具有多个提取区域,凹槽被墙垣部隔开。转置头分别设置于提取区域上。转置头阵列的凹槽用以在转置头上的第一微元件接触接收基板时,容置位于接收基板上的其他凸出的对象,以避免这些对象造成干扰。
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公开(公告)号:CN104882387B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201510126097.5
申请日:2015-02-27
申请人: 库利克和索夫工业公司
发明人: M·B·瓦塞尔曼
IPC分类号: H01L21/603
CPC分类号: H01L24/81 , B32B37/0046 , B32B37/06 , B32B2457/14 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/67144 , H01L21/67248 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/75252 , H01L2224/7531 , H01L2224/75502 , H01L2224/759 , H01L2224/75981 , H01L2224/81048 , H01L2224/81092 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/81948 , H05K3/3494 , H05K2203/0475 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 提供了一种用于接合半导体元件的热压接合系统。所述热压接合系统包括(1)接合头组件,其包括用于加热要接合的半导体元件的加热器,所述接合头组件包括被配置为接收冷却流体的流体路径;(2)加压冷却流体源;(3)增压泵,其用于接收来自所述加压冷却流体源的加压冷却流体,并且用于增加所接收的加压冷却流体的压力;(4)加压流体储存器,其用于接收来自所述增压泵的加压冷却流体;以及(5)控制阀,其用于对加压冷却流体从所述加压流体储存器向所述流体路径的供应进行控制。
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公开(公告)号:CN107123611A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201710111647.5
申请日:2017-02-24
申请人: 苏斯微技术光刻有限公司
IPC分类号: H01L21/67
CPC分类号: H01L21/67092 , B65G47/91 , H01L21/30 , H01L21/4763 , H01L21/683 , H01L24/75 , H01L2224/7531 , H01L2224/7555 , Y10T156/10 , Y10T156/1092 , Y10T156/1744 , H01L21/67011
摘要: 公开了一种半导体接合装置及相关技术。该装置可以包括被构造成提供装置的上部块组件和下部块组件的调平调节的调平调节系统。在某些情况下,调平调节系统可以包括多个螺纹杆、差动螺纹调节套环以及调平套管。在某些情况下,调平调节系统还可以包括被构造成提供给定的预加载能力和调节范围的多个预加载弹簧。在某些情况下,调平调节系统还可以包括螺纹杆之一可以插入穿过的测压元件。在某些实施方式中,上部块组件还可以包括被构造成减少上部块组件的变形的反作用板。在某些实施方式中,上部块组件还可以包括隔热板,该隔热板被构造成提供顺应性偏转并且根据需要具有整体或多片构造。
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公开(公告)号:CN104112677A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410150243.3
申请日:2014-04-15
申请人: 富士电机株式会社
IPC分类号: H01L21/52
CPC分类号: H01L24/75 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/26175 , H01L2224/29007 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/292 , H01L2224/29299 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/75303 , H01L2224/7531 , H01L2224/75705 , H01L2224/83065 , H01L2224/83101 , H01L2224/83209 , H01L2224/83385 , H01L2224/83815 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中,抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙,并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物,上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时,重心从压块主体的中心偏移,使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块,在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料,并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上,然后实施使焊锡熔融的升温处理。
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公开(公告)号:CN104347469B
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201410362920.8
申请日:2014-07-28
申请人: 先进科技新加坡有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/603
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L24/27 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/7531 , H01L2224/75745 , H01L2224/7598 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81907 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , Y10T156/1092 , Y10T156/1702 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要: 本发明公开用于在热压键合过程中固定多个半导体器件的设备,包含有:主体;多个支撑表面,位于主体的第一侧面上,被配置来在热压键合过程中固定至少一个半导体器件;多个内部管道,位于主体内,每个内部管道从位于主体的第一侧面的各自一个支撑表面的开口延伸至主体第二侧面的开口;主体的第二侧面的开口被配置来连接至各自的气动通路上,以进行流体互通,每个气动通路具有单独可控的气动吸附力,以致于主体的第一侧面的支撑表面的开口被操作来抵靠于主体的第一侧面的支撑表面有选择地固定一个或多个半导体器件,或者从那里将其释放。本发明还公开用于在热压键合过程中固定半导体器件的装置和通过热压键合将多个半导体器件键合至衬底上的方法。
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公开(公告)号:CN102893383B
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201180023840.4
申请日:2011-04-12
申请人: 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/607 , H05K13/04
CPC分类号: H01L24/75 , B23K1/00 , B29C65/08 , B29C65/081 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13144 , H01L2224/75303 , H01L2224/7531 , H01L2224/75355 , H01L2224/75745 , H01L2224/75801 , H01L2224/75821 , H01L2224/759 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H05K13/0408 , H05K13/0409 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 在现有的接合用工具中,有时很难进行高质量的超声波接合。接合用工具(5)包括:传递超声波振动的轴式凹模(51);设于轴式凹模(51)的一端且产生超声波振动的超声波振动器(52);以及用于对电子元器件(8)进行保持的电子元器件保持部(53),电子元器件保持部(53)包括:头部较细的阳模嵌合部(532)和将电子元器件(8)保持在与阳模嵌合部(532)相反一侧的电子元器件保持面(5311),在轴式凹模(51)的规定面上形成有与阳模嵌合部(532)的形状相对应的阴模嵌合部(5151),阳模嵌合部(532)隔着粘接层(516)与阴模嵌合部(5151)嵌合。
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公开(公告)号:CN104347469A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410362920.8
申请日:2014-07-28
申请人: 先进科技新加坡有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/603
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L24/27 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2732 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/7531 , H01L2224/75745 , H01L2224/7598 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81907 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , Y10T156/1092 , Y10T156/1702 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L21/683 , H01L2021/603 , H01L2221/683
摘要: 本发明公开用于在热压键合过程中固定多个半导体器件的设备,包含有:主体;多个支撑表面,位于主体的第一侧面上,被配置来在热压键合过程中固定至少一个半导体器件;多个内部管道,位于主体内,每个内部管道从位于主体的第一侧面的各自一个支撑表面的开口延伸至主体第二侧面的开口;主体的第二侧面的开口被配置来连接至各自的气动通路上,以进行流体互通,每个气动通路具有单独可控的气动吸附力,以致于主体的第一侧面的支撑表面的开口被操作来抵靠于主体的第一侧面的支撑表面有选择地固定一个或多个半导体器件,或者从那里将其释放。本发明还公开用于在热压键合过程中固定半导体器件的装置和通过热压键合将多个半导体器件键合至衬底上的方法。
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公开(公告)号:CN102893383A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201180023840.4
申请日:2011-04-12
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/607 , H05K13/04
CPC分类号: H01L24/75 , B23K1/00 , B29C65/08 , B29C65/081 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/13144 , H01L2224/75303 , H01L2224/7531 , H01L2224/75355 , H01L2224/75745 , H01L2224/75801 , H01L2224/75821 , H01L2224/759 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H05K13/0408 , H05K13/0409 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 在现有的接合用工具中,有时很难进行高质量的超声波接合。接合用工具(5)包括:传递超声波振动的轴式凹模(51);设于轴式凹模(51)的一端且产生超声波振动的超声波振动器(52);以及用于对电子元器件(8)进行保持的电子元器件保持部(53),电子元器件保持部(53)包括:头部较细的阳模嵌合部(532)和将电子元器件(8)保持在与阳模嵌合部(532)相反一侧的电子元器件保持面(5311),在轴式凹模(51)的规定面上形成有与阳模嵌合部(532)的形状相对应的阴模嵌合部(5151),阳模嵌合部(532)隔着粘接层(516)与阴模嵌合部(5151)嵌合。
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公开(公告)号:CN102881622A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210385738.5
申请日:2012-10-12
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/603
CPC分类号: H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/75303 , H01L2224/7531 , H01L2224/75312 , H01L2224/75745 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/9211 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/00 , H01L2224/13099 , H01L2224/0401
摘要: 本发明提供一种覆晶接合的方法及热压头。热压头包括一主体部及一接触部。主体部具有一主体部开口。接触部包含一接触面及数个开口,开口连通至主体部开口。当接触部的接触面用以吸取一芯片,芯片的接触面具有数个吸取区域,其对应接触面开口。芯片接合至一基板后,吸取区域的突起相当轻微。因此,可确保该芯片与该基板间的连接。
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公开(公告)号:CN108133903A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201711247165.9
申请日:2017-12-01
申请人: 东京毅力科创株式会社
CPC分类号: H01L24/75 , B32B15/01 , B32B37/0046 , B32B37/10 , B32B41/00 , B32B2041/04 , B32B2457/14 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L21/67742 , H01L21/68 , H01L21/6838 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L2224/7515 , H01L2224/753 , H01L2224/75302 , H01L2224/75305 , H01L2224/7531 , H01L2224/7555 , H01L2224/7565 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75901 , H01L2224/75981 , H01L2224/75986 , H01L2224/80009 , H01L2224/80201 , H01L2224/80894 , H01L2224/80908 , H01L2224/83009 , H01L2224/83201 , H01L2224/83894 , H01L2224/83908 , H01L21/67121 , H01L21/67242
摘要: 本发明涉及接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质。检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。用于将上晶圆(WU)与下晶圆(WL)进行接合的接合装置具有:上卡盘(140),其进行抽真空来将上晶圆(WU)吸附保持在其下表面;下卡盘(141),其设置在上卡盘(140)的下方,进行抽真空来将下晶圆(WL)吸附保持在其上表面;压动构件(190),其设置于上卡盘(140),用于按压上晶圆(WU)的中心部;以及多个传感器(175),多个传感器(175)设置于上卡盘(140),检测上晶圆WU的从上卡盘(140)的脱离。
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