公开(公告)号：CN100539146C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610137402.1

申请日：2006-10-16

申请人： 崇贸科技股份有限公司

发明人： 蒋秋志 ,  黄志丰

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/00 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L29/66166

摘要： 本发明提供一种电压控制的半导体结构、电压控制的电阻器及其制造方法。该半导体结构包含一基板、一第一掺杂阱及一第二掺杂阱。该基板掺杂一第一型离子。该第一掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第二掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第一型离子与该第二型离子是互补的。在该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间形成一电阻器。该电阻器的电阻率由一差动电压所控制。该电阻器的电阻率与该第一掺杂阱的一第一深度、该第二掺杂阱的一第二深度和及该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间的一距离相关。该电阻器的电阻率高于在具有该第二型离子的单一个掺杂阱中所形成的阱式电阻器的电阻率。

公开(公告)号：CN104241244A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310346901.1

申请日：2013-08-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 颜孝璁 ,  罗正玮

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0682 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/8605 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种可变电容器件，包括：具有第一电容的电容器和与该电容器串联的可变电阻器。可变电阻器包括形成在沟道区上方的栅极结构，沟道区被限定在半导体衬底中所形成的掺杂阱内。可变电阻器的电阻基于施加给栅极结构的电压，从而调节沟道的电阻和可变电容器件的电容。

公开(公告)号：CN101022108A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610137402.1

申请日：2006-10-16

申请人： 崇贸科技股份有限公司

发明人： 蒋秋志 ,  黄志丰

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/00 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L29/66166

摘要： 本发明提供一种电压控制的半导体结构、电压控制的电阻器及其制造方法。该半导体结构包含一基板、一第一掺杂阱及一第二掺杂阱。该基板掺杂一第一型离子。该第一掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第二掺杂阱具有一第二型离子，且形成于该基板中。该第一型离子与该第二型离子是互补的。在该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间形成一电阻器。该电阻器的电阻率由一差动电压所控制。该电阻器的电阻率与该第一掺杂阱的一第一深度、该第二掺杂阱的一第二深度和及该第一掺杂阱与该第二掺杂阱之间的一距离相关。该电阻器的电阻率高于在具有该第二型离子的单一个掺杂阱中所形成的阱式电阻器的电阻率。

公开(公告)号：CN107180821A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611007441.X

申请日：2016-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 胡嘉欣 ,  范学实 ,  黄焕宗

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/535 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本揭露提供一种半导体元件，包含鳍、多个磊晶生长区，以及至少二接触点。鳍自基板向外延伸，且包含半导体材料。磊晶生长区沿着鳍的上表面配置，其中在鳍的上表面，磊晶生长区与不具有磊晶材料的多个区域交替排列。接触点配置于与鳍电接触，其中接触点之间的电阻值至少部分取决于磊晶生长区的排列。

公开(公告)号：CN102460659B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080026434.9

申请日：2010-05-12

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： K·马图尔 ,  J·F·布勒 ,  A·库尔茨

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/8605 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L27/0738 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/66166

摘要： 形成在紧密靠近的电阻器之间具有减少的变化性、具有经改善的端末电阻、和减少的随机掺杂剂不匹配的半导体装置。实施例包含以相当高剂量(例如大约4至大约6keV)、和相当低植入能量(例如大约1.5至大约2E15/cm2)离子植入譬如B的掺杂剂。

公开(公告)号：CN101593810B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910072447.9

申请日：2009-07-02

申请人： 黑龙江大学

发明人： 温殿忠 ,  柏晓辉

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L29/66166 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： 纳米结构开关忆阻器及其制造方法，涉及到一种纳米结构忆阻器结构与制造方法，它克服了现有的忆阻器制造模型开关速度相对比较低的问题。本发明的纳米结构开关忆阻器包括有三层纳米膜，分别为P型半导体层、中性半导体层和N型半导体层，所述忆阻器的两个电极还可以采用交叉布置的方式。本发明的制作方法中，采用电解的方法在多孔模板的纳米孔洞中制作纳米金属线，所述纳米金属线用于连接三层纳米膜和电极，所述的三层纳米膜采用磁控溅射的方法获得，最后采用压印技术制备忆阻器的电极引线。本发明所述的忆阻器的开关速度快，更适用于在即将出现的更快、更节能的即开型PC或模拟式计算机中实现存储数据功能。

公开(公告)号：CN101593810A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910072447.9

申请日：2009-07-02

申请人： 黑龙江大学

发明人： 温殿忠 ,  柏晓辉

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L29/66166 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： 纳米结构快速开关忆阻器及其制造方法，涉及到一种纳米结构忆阻器结构与制造方法，它克服了现有的忆阻器制造模型开关速度相对比较低的问题。本发明的纳米结构快速开关忆阻器包括有三层纳米膜，分别为P型半导体层、中性半导体层和N型半导体层，所述忆阻器的两个电极还可以采用交叉布置的方式。本发明的制作方法中，采用电解的方法在多孔模板的纳米孔洞中制作纳米金属线，所述纳米金属线用于连接三层纳米膜和电极，所述的三层纳米膜采用磁控溅射的方法获得，最后采用压印技术制备忆阻器的电极引线。本发明所述的忆阻器的开关速度快，更适用于在即将出现的更快、更节能的即开型PC或模拟式计算机中实现存储数据功能。

公开(公告)号：CN102456662A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110307154.1

申请日：2011-10-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  姚智文 ,  苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/66166 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括电阻器和电压保护器件。所述电阻器具有螺旋形状。所述电阻器具有第一部分和第二部分。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第一部分电连接的第一掺杂区域。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第二部分电连接的第二掺杂区域。所述第一和第二掺杂区域具有相反的掺杂极性。

公开(公告)号：CN100547727C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710109015.1

申请日：2007-06-12

申请人： 株式会社理光

发明人： 大塚正也 ,  阿部博明

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/8605

摘要： 本发明的课题是，能够调节由形成于半导体基板上的阱电阻元件构成的电阻元件的电阻值和电阻温度特性。该课题的解决手段是，在阱电阻区域(4)内的两个地方形成相互保持间隔的接触区域(6)。在该接触区域(6)上，隔着硅化物层(8)形成触点(10a，10b)。在阱电阻区域(4)内的接触区域(6)之间，形成调节该电阻元件的电阻值及电阻温度特性用的P+扩散区域(14)。

公开(公告)号：CN101090066A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710109015.1

申请日：2007-06-12

申请人： 株式会社理光

发明人： 大塚正也 ,  阿部博明

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/8605

摘要： 本发明的课题是，能够调节由形成于半导体基板上的阱电阻元件构成的电阻元件的电阻值和电阻温度特性。该课题的解决手段是，在阱电阻区域(4)内的两个地方形成相互保持间隔的接触区域(6)。在该接触区域(6)上，隔着硅化物层(8)形成触点(10a，10b)。在阱电阻区域(4)内的接触区域(6)之间，形成调节该电阻元件的电阻值及电阻温度特性用的P+扩散区域(14)。