公开(公告)号：CN111092125A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911006358.4

申请日：2019-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏亮宇 ,  姚智文 ,  段孝勤 ,  雷明达

IPC: H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L29/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开内容的各种实施例涉及一种变容二极管，所述变容二极管包括降低表面场(RESURF)区。在一些实施例中，变容二极管包含漂移区、栅极结构、一对的接触区以及降低表面场区。漂移区位于衬底内且具有第一掺杂类型。栅极结构上覆漂移区。接触区位于衬底内且上覆漂移区。此外，接触区具有第一掺杂类型。栅极结构横向夹在接触区之间。降低表面场区位于衬底中，在漂移区下方且具有第二掺杂类型。第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。降低表面场区有助于耗尽栅极结构下方的漂移区，这降低变容二极管的最小电容且增大变容二极管的调谐范围。

公开(公告)号：CN106898646A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610765851.4

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 约根德拉·亚达夫 ,  陈吉智 ,  柳瑞兴 ,  姚智文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、源极区、漏极区、场板和栅电极。源极区具有第一导电类型，并且位于衬底内的第一侧。漏极区具有第一导电类型，并且位于与衬底内的第一侧相对的第二侧。场板位于场板上方且介于源极区和漏极区之间。栅电极的一部分位于场板的上方。

公开(公告)号：CN102082174B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010299853.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚智文 ,  潘善仁 ,  柳瑞兴 ,  周学良 ,  蒋柏煜 ,  陈吉智 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66689

Abstract: 本发明揭露具有栅极接口结构的高电压装置及用以形成高电压装置的方法，高电压装置包含基板、栅极接口结构、栅极、金属层以及至少一源/漏极区间。其中，栅极接口结构位于基板上方且具有第一部分与第二部分。第一部分具有第一厚度，且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上。第二部分具有第二厚度，且位于第二掺杂型的一第二井区间上。第一厚度大于第二厚度。栅极设置于栅极介电结构上。金属层设置于栅极上且与栅极耦接，金属层沿着该栅极介电结构下方的通道的方向延伸。源/漏极区间设置于第一掺杂型的第一井区间中。

公开(公告)号：CN102082174A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010299853.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚智文 ,  潘善仁 ,  柳瑞兴 ,  周学良 ,  蒋柏煜 ,  陈吉智 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66689

Abstract: 本发明揭露具有栅极接口结构的高电压装置及用以形成高电压装置的方法，高电压装置包含基板、栅极接口结构、栅极、金属层以及至少一源/漏极区间。其中，栅极接口结构位于基板上方且具有第一部分与第二部分。第一部分具有第一厚度，且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上。第二部分具有第二厚度，且位于第二掺杂型的一第二井区间上。第一厚度大于第二厚度。栅极设置于栅极介电结构上。金属层设置于栅极上且与栅极耦接，金属层沿着该栅极介电结构下方的通道的方向延伸。源/漏极区间设置于第一掺杂型的第一井区间中。

公开(公告)号：CN101211972A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710162658.2

申请日：2007-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢昀睿 ,  蔡俊琳 ,  姚智文 ,  徐百康 ,  黄宗义 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。其中该半导体结构包括：基板；第一阱区，位于上述基板上，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区和第三阱区，相邻于上述第一阱区，上述第二和第三阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；第一深阱区，位于至少一部分的上述第一阱区和上述第二阱区下方，上述第一深阱区具有上述第二导电类型；第二深阱区，位于上述第三阱区下方，上述第二深阱区具有上述第二导电类型；绝缘区，位于一部分上述第一阱区中；栅极介电质，从上述绝缘区的上方延伸至上述第二阱区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明能够提高击穿电压。

公开(公告)号：CN103137618B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210448360.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  姚智文 ,  蔡军 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76216 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/1087

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102456662A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110307154.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  姚智文 ,  苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/66166 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括电阻器和电压保护器件。所述电阻器具有螺旋形状。所述电阻器具有第一部分和第二部分。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第一部分电连接的第一掺杂区域。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第二部分电连接的第二掺杂区域。所述第一和第二掺杂区域具有相反的掺杂极性。

公开(公告)号：CN102194873A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010207330.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周学良 ,  柳瑞兴 ,  姚智文 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件，在一实施方式中，此半导体元件为一种高电位金氧半导体(HVMOS)元件。此元件包括半导体基板和形成在此半导体基板上的栅极结构。此栅极结构包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分且第二厚度大于第一厚度。在第一和第二部分上设有一栅电极。在一实施方式中，栅极电介质第二部分下方设有一漂移区域。此外，还提供了一种制造方法。

公开(公告)号：CN101562195B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810212304.9

申请日：2008-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚智文 ,  蒋柏煜 ,  蔡俊琳 ,  黄宗义

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明是有关于一种半导体结构，其包括：一半导体基材；一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有一第一电性；一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；一栅介电层，从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方；一栅极，位于该栅介电层上方；一漏极区，位于该第二高电压掺杂井区之中；一源极区，位于该栅介电层的一侧，与该漏极区反向相对；及一深掺杂p型井区，位于该第二高电压掺杂井区下方，具有该第一电性，其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。本发明可降低源极-漏极之间的开启状态电阻值，增进开启状态的驱动电流。

公开(公告)号：CN101211972B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710162658.2

申请日：2007-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢昀睿 ,  蔡俊琳 ,  姚智文 ,  徐百康 ,  黄宗义 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。其中该半导体结构包括：基板；第一阱区，位于上述基板上，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区和第三阱区，上述第二阱区相邻于上述第一阱区，上述第二和第三阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；第一深阱区，位于至少一部分的上述第一阱区和上述第二阱区下方，上述第一深阱区具有上述第二导电类型；第二深阱区，位于上述第三阱区下方，上述第二深阱区具有上述第二导电类型；绝缘区，位于一部分上述第一阱区中；栅极介电质，从上述绝缘区的上方延伸至上述第二阱区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明能够提高击穿电压。