Patent search cpc:"Y10S438/982" Page 1

1.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效复审申请

公开(公告)号：CN1822351B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200510138045.6

申请日：2005-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山本良明 , 田中幸一郎 , 矶部敦生 , 大柄根大辅 , 山崎舜平

IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/13

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L2221/6835 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01Q1/38 , H01Q9/285 , H01Q23/00 , Y10S438/982 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 半导体器件及其制造方法，本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。

2.

发明公开
半导体装置以及半导体装置的制作方法失效

公开(公告)号：CN1708853A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102641.8

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 , 高山彻 , 丸山纯矢 , 大野由美子

IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1218 , H01L23/291 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L51/0002 , H01L51/0021 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y10S438/928 , Y10S438/982 , H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是：提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法，其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离，还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外，本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是，提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是：在基板上设置金属层11，再接在上述金属层11上设置氧化物层12，进而形成被剥离层13，如果以激光照射上述金属层11从而进行氧化形成金属氧化层16，就能够以物理手段在金属氧化物层16的层内或者金属氧化物层16和氧化物层12的界面上进行很好的分离。

3.

发明公开
图像显示装置及制造图像显示装置的方法失效

公开(公告)号：CN1447958A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814309.1

申请日：2001-07-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩渕寿章 , 大畑丰治 , 土居正人

IPC: G09F9/33 , G09F9/00 , G09F9/30 , G02F1/1362 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L27/15 , H01L29/78 , H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 , G02F2001/13613 , H01L21/2007 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/04105 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/81001 , H01L2224/81136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , Y10S438/982 , H01L2924/00 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明给出一种图像显示装置，它能提高诸如分辨率、图像质量和发光效率这样的特性，便于大尺寸屏幕的形成，并降低制造成本；还给出了制造图像显示装置的方法。图像显示装置包括许多用以响应特定图像信号而显示图像的发光器件的列阵，该图像显示装置的特征在于每个发光器件的占据面积处在一个大于等于25μm2小于等于10000μm2的范围内，发光器件装配在布线板上。在器件的装配中，例如，执行两步放大转移。两步放大转移过程包括：第一转移步骤，将排列在第一衬底上的器件转移到临时支持部件上，器件之间的间距大于器件排列在第一衬底上时的间距，器件支持在临时支持部件上；第二转移步骤，将支持在临时支持部件上的器件转移到第二底板上，器件之间的间距大于器件支持在临时支持部件上时的间距。进一步，以这样的方式将发光器件装配到布线板上：发光器件的通过晶体生长而形成的晶体生长层的姿态与晶体生长时该晶体生长层的姿态在沿底板主平面法线的方向上相倒转。

4.

发明公开
有源矩阵器件失效

公开(公告)号：CN1269573A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN99124810.4

申请日：1995-04-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 , 河崎祐司

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10S438/982

Abstract: 每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。

5.

发明授权
薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、有源矩阵驱动显示装置失效

公开(公告)号：CN102881654B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210375092.2

申请日：2012-09-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙拓

IPC: H01L21/77 , H01L29/06 , H01L27/12

CPC classification number: H01L33/0041 , H01L21/77 , H01L29/66022 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S257/911 , Y10S438/982

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，属于半导体器件制造技术领域，其可解决现有技术制备的薄膜晶体管阵列基板的方法中由于制造工艺的条件的影响导致石墨烯的电学性能降低的问题。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括在衬底上形成薄膜晶体管的步骤，所述薄膜晶体管包括有源层和保护层；所述有源层为石墨烯层；所述保护层形成于所述有源层的远离衬底一端的表面。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板由于保护层的存在使对石墨烯层的光刻处理不是直接对石墨烯层处理，极大的避免了掩模光刻处理的影响；同时该保护层能降低后续工艺处理对石墨烯的影响。

6.

发明授权
半导体装置以及半导体装置的制作方法失效

公开(公告)号：CN100391004C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200380102641.8

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 , 高山彻 , 丸山纯矢 , 大野由美子

IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1218 , H01L23/291 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L51/0002 , H01L51/0021 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L2221/68368 , H01L2924/0002 , Y10S438/928 , Y10S438/982 , H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是：提供一种不使被剥离层受到损伤的剥离方法，其不仅是具有小面积的被剥离层的剥离，还能成品率很高地进行具有大面积的被剥离层的全面剥离。此外，本发明的课题是提供一种在各种基材上粘贴被剥离层并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。特别是，提供一种在柔性薄膜上粘贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结构成的光电变换元件或硅电阻元件)并经轻量化的半导体装置以及其制作方法。本发明的解决方法是：在基板上设置金属层(11)，再接在上述金属层(11)上设置氧化物层(12)，进而形成被剥离层(13)，如果以激光照射上述金属层(11)从而进行氧化形成金属氧化层(16)，就能够以物理手段在金属氧化物层(16)的层内或者金属氧化物层(16)和氧化物层(12)的界面上进行很好的分离。

7.

发明公开
制造半导体器件的方法失效

公开(公告)号：CN1917187A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610101661.9

申请日：1995-04-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 , 河崎祐司

IPC: H01L21/84 , G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10S438/982

Abstract: 每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。

8.

发明授权
具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN1113409C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98103874.3

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司

Inventor： 船田文明 , 森田达夫 , 田仲广久 , 张宏勇 , 高山徹

IPC: H01L21/84 , H01L29/78

CPC classification number: H01L27/1277 , Y10S148/016 , Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

9.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1108804A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94109084.1

申请日：1994-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司

Inventor： 船田文明 , 森田达夫 , 田仲广久 , 张宏勇 , 高山徹

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1277 , Y10S148/016 , Y10S438/982

Abstract: 一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同，从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。