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公开(公告)号：CN115437212B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211008115.6
申请日：2022-08-22
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20 , C23C14/12 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/10 , C23C14/24 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/24 , C23C16/30
摘要： 本申请提供的集成于超构透镜的光阑及膜系的制备方法，在基底表面制备超构透镜结构材料膜层，在所述基底的背面镀功能性膜系，在所述基底的正面涂覆光刻胶层，在所述光刻胶层上制备光刻胶掩膜及对准标记掩膜，将所述光刻胶掩膜转化为金属掩膜，在所述超构透镜结构材料膜层上制备超构透镜，在所述超构透镜的表面制备金属光阑，解决现有技术中存在的光阑与超构透镜、膜系与超构透镜之间的配合存在精度要求极高，且需要较大的空间设置光路等问题，将光阑、膜系与超构透镜集成为组合元件，从而降低超构透镜成像测试过程中的装调难度，并大大降低了整个光学系统的空间。
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公开(公告)号：CN113846317B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111125541.3
申请日：2021-09-24
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/52 , C23C14/46 , C23C14/54
摘要： 本申请涉及一种电离腔室、射频离子源及其控制方法，所述电离腔室包括：底部和侧壁，所述底部连接供气管道，前端设置为射频离子源的栅网；其中，所述供气管道通入的气体在射频电作用下在所述电离腔室内进行电离产生等离子体；在所述侧壁上还设置有导电材料制成的屏蔽罩，所述屏蔽罩连接电源的正极端；所述屏蔽罩用于在电离腔室中产生由侧壁向中心方向的电场，所述等离子体在所述电场作用下偏移，控制等离子体从所述栅网的出射位置；该技术方案，可以改善等离子体在电离腔室内的分布情况，从而减少等离子体分布不均匀而造成栅网位置刻蚀严重的情况，延长栅网的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114318274B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111652136.7
申请日：2021-12-30
申请人： 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种离子束溅射镀膜方法、靶材安装结构及离子束溅射设备，所述方法包括：在靶材背板的安装位置上分别放置多种靶材；其中，所述靶材背板平面以分区形式设置多个靶材安装位置；控制离子源以设定工艺参数输出离子束，轰击所述靶材背板上的靶材进行溅射镀膜；根据镀膜薄膜的参数要求计算所述靶材背板相对于离子源的位移数据；根据所述位移数据控制所述离子源与靶材背板产生平面相对运动，以调整所述离子束轰击各种靶材的比例；该技术方案中，可以实现多种不同靶材材料的蒸发镀膜方案，可以实现材料折射率实现渐变工艺，提高产品光谱特性，具有更好的镀膜效果；而且镀膜过程的可控性高，无需暂停离子源工作，控制逻辑简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN118127462A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211529611.6
申请日：2022-12-01
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及MA2Z4合金薄膜材料制备领域，具体为一种成分连续可调的均匀掺杂单层MA2Z4合金薄膜的制备方法。以铜箔作为生长基底，采用物理气相沉积技术，在铜箔表面沉积含多种过渡族金属M的薄膜，通过在A源或Z源环境下退火处理实现多种M在铜箔基底中的预先储存，再引入Z或A，在低于铜熔点的高温下，已储存元素析出至铜箔表面发生反应，最终生长出均匀掺杂的单层MA2Z4合金薄膜，通过调控溅射M层厚度实现合金组分的连续可调。本发明具有制备工艺简单，掺杂均匀，组分连续可调，可大面积制备等特点，有望实现光学、电学、磁性、热学等特性的连续可调。为二维MA2Z4合金薄膜材料在电子器件、光电子器件、催化、压电等领域的产业化应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN118064862A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211413447.2
申请日：2022-11-11
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种离子束沉积系统，包括载片台和压环，所述压环位于所述载片台的上方，并能够沿所述载片台的轴线方向移动；还包括：比较片盘，其呈环状结构且设于所述载片台的外周，所述比较片盘沿其周向具有多个安装比较片的片位；所述压环具有一个透光孔，所述透光孔的形状与所述比较片适配；所述压环与所述载片台周向限位连接，且能覆盖所述比较片盘；所述载片台与所述比较片盘能够一起转动，也能够相对转动。通过结构优化，不需开腔就可实现多个比较片的自动切换作业，减少开腔更换比较片的频率，操作简单且能提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN117836899A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202180101533.7
申请日：2021-08-13
申请人： 阳光技术有限责任公司
发明人： D·马丁
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/50 , H01J37/317
摘要： 一种设备包含：壁，所述壁限定抽空空间的边界并且具有位于所述抽空空间内部的第一侧和位于所述抽空空间外部的第二侧；第一板，所述第一板定位在所述壁的第一侧上并且包含第一磁体；第二板，所述第二板定位在所述壁的第二侧上并且包含第二磁体；以及电机，所述电机机械地耦接到所述第二板并且被配置成驱动所述第二板旋转。所述第二磁体对所述第一磁体施加吸引力，所述吸引力使得所述第一板响应于所述第二板的所述旋转而旋转。
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公开(公告)号：CN117821924A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311873456.4
申请日：2023-12-29
申请人： 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种真空镀膜设备及其镀膜控制方法，所述设备包括：真空腔室，内置有连接控制系统的产品转盘、溅射系统以及离子源；光谱检测装置，连接至控制系统，用于在镀膜过程中检测镀膜产品的光谱能量数据并上报至控制系统；控制系统，用于控制产品转盘、溅射系统以及离子源的运行，采集光谱检测装置检测的光谱能量数据并计算镀膜产品的实时透射率，在膜层厚度接近目标厚度时，基于实时透射率预测出已镀膜的实际厚度；依据实际厚度计算换层判停时间并输出换层判停指令进行换层操作，直至完成所有膜层的镀膜；该技术方案，极大提升了换层判停精度，特别是层数较多的镀膜中，避免了镀膜层数增加所带来的误差累积，提升了镀膜产品的膜层质量。
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公开(公告)号：CN117286452B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311195590.3
申请日：2023-09-14
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明提出了一种基于离子束溅射沉积及整形的薄膜制备装置及制备方法，该制备装置包括：真空腔室；第一工作台，用于装载工件，其设置于真空腔室上部，第一工作台的下表面与水平面平行；第二工作台，用于装载靶材，其位于第一工作台下方；脉冲离子源，其位于第二工作台水平方向一侧，用于发射离子束到靶材表面进行溅射沉积，或用于发射离子束对工件表面沉积的薄膜进行整形；驱动装置，设置于真空腔室中，用于改变脉冲离子源发射离子束的方向，以使离子束在靶材表面及工件表面切换。本发明公开的制备装置，仅用一个脉冲离子源即可实现工件表面薄膜溅射沉积及整形作业，其具有结构简单、易于制造、成本低的优点，适合于大规模生产和推广。
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公开(公告)号：CN115652160B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202211380697.0
申请日：2022-11-05
申请人： 北京东方红升新能源应用技术研究院有限公司
IPC分类号： C22C27/02 , C22C1/02 , C22C1/03 , C23C30/00 , C01B3/58 , C23C18/42 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/06 , C23C14/46 , C23C16/50 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C26/00
摘要： 本发明公开了一种用于氨分解氢气分离纯化的钒合金膜材料及其制备方法，所述钒合金膜材料包括钒合金及设置在所述钒合金两侧的氢催化层，钒合金的成分表达式为VaMbXc，其中M为能够与V形成固溶体的高熵合金，X为脱氧合金化元素，其中原子百分比含量中，65at％≤a＜100at％，0at％≤b≤30at％，0at％≤c≤5at％，且a+b+c＝100；氢催化层能够催化解离氢分子并渗透氢原子。本发明通过高熵合金组元微合金化，可以使钒合金氢溶解性能小幅下降并保持较高氢扩散性能，从而获得优异的氢渗透性能。同时通过添加适量的脱氧合金元素，可以降低合金缺陷。本发明适用于723K及以上温度的氨分解制
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公开(公告)号：CN117286452A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311195590.3
申请日：2023-09-14
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明提出了一种基于离子束溅射沉积及整形的薄膜制备装置及制备方法，该制备装置包括：真空腔室；第一工作台，用于装载工件，其设置于真空腔室上部，第一工作台的下表面与水平面平行；第二工作台，用于装载靶材，其位于第一工作台下方；脉冲离子源，其位于第二工作台水平方向一侧，用于发射离子束到靶材表面进行溅射沉积，或用于发射离子束对工件表面沉积的薄膜进行整形；驱动装置，设置于真空腔室中，用于改变脉冲离子源发射离子束的方向，以使离子束在靶材表面及工件表面切换。本发明公开的制备装置，仅用一个脉冲离子源即可实现工件表面薄膜溅射沉积及整形作业，其具有结构简单、易于制造、成本低的优点，适合于大规模生产和推广。
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