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    阳极氧化铝作为用于等离子体蚀刻的硬掩模
    1.
    发明授权
    阳极氧化铝作为用于等离子体蚀刻的硬掩模 有权

    公开(公告)号：CN112262458B

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN201980038751.3

    申请日：2019-05-17

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 刘婵媛 ,  李石柯

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

    摘要： 铝籽晶层沉积在晶片上方。光致抗蚀剂材料层沉积在铝籽晶层上。使光致抗蚀剂材料图案化和显影，以穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露铝籽晶层的部分。在晶片上执行电化学转化工艺，以将铝籽晶层的穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露的部分电化学转化为阳极氧化铝(AAO)。该AAO包括延伸穿过该AAO的孔图案，以暴露出晶片的顶表面的在铝籽晶层下方的区域。从晶片去除光致抗蚀剂材料。使晶片暴露于等离子体以在晶片的顶表面的通过AAO中的孔图案暴露的区域处将孔蚀刻到晶片中。

    利用原子层控制各向同性蚀刻膜
    2.
    发明授权
    利用原子层控制各向同性蚀刻膜 有权

    公开(公告)号：CN110235227B

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN201880009034.3

    申请日：2018-01-24

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 金润祥 ,  权赫俊 ,  彭东宇 ,  张贺

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

    摘要： 一种利用原子层控制各向同性地蚀刻在衬底上的膜的方法包括：a)提供包括选自硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe)的材料的衬底。所述方法还包括b)通过以下方式在处理室中在所述材料上沉积牺牲层：冷却所述衬底的下部；执行在所述处理室中产生含氧化剂的等离子体或向所述处理室中供应所述含氧化剂的等离子体中的一者；以及使用快速热加热将所述衬底的表面温度提高持续预定的时间段，同时在所述处理室中产生所述含氧化剂的等离子体或供应所述处理室中的所述含氧化剂的等离子体。所述方法还包括c)吹扫所述处理室。所述方法还包括d)通过向所述处理室中供应蚀刻气体混合物并在所述处理室中激励等离子体来蚀刻所述牺牲层和所述材料。

    一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备
    3.
    发明公开
    一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN118692907A

    公开(公告)日：2024-09-24

    申请号：CN202411164700.4

    申请日：2024-08-22

    申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 ,  中微半导体(上海)有限公司

    发明人： 李士正 ,  张一川 ,  刘依

    IPC分类号： H01L21/3065

    摘要： 本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备，该基片的刻蚀方法包含：多次重复执行的处理周期，处理周期包括刻蚀阶段和沉积阶段；刻蚀阶段中，向腔内通入刻蚀气体，并通过一源射频电源向腔内提供源射频电压，以产生等离子体对基片进行刻蚀形成凹陷结构；沉积阶段中，向腔内通入沉积气体和开口气体，并通过源射频电源和一偏置电源向腔内分别提供源射频电压和偏置电压，沉积气体在源射频电源的作用下产生等离子体并在凹陷结构的侧壁和底壁上沉积保护层，开口气体产生的等离子体在偏置电源的作用下用于消除凹陷结构的底壁上的保护层。其优点是：该方法在沉积阶段中只在凹陷结构的侧壁上沉积保护层，节省了工艺步骤，有助于提高生产效率。

    等离子体处理装置和等离子体处理方法
    7.
    发明授权
    等离子体处理装置和等离子体处理方法 有权

    公开(公告)号：CN112788826B

    公开(公告)日：2024-09-13

    申请号：CN202011154008.5

    申请日：2020-10-26

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 镰田英纪 ,  池田太郎 ,  佐藤干夫 ,  山本伸彦

    IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

    摘要： 本发明提供与多个天线的配置无关地、能够自由地进行等离子体分布控制的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线单元，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，并作为相控阵天线发挥作用；对天线单元输出电磁波的电磁波输出部；以及使天线单元作为相控阵天线发挥作用的控制部，天线是螺旋形天线。

    使用喷头电压变化的故障检测
    8.
    发明授权
    使用喷头电压变化的故障检测 有权

    公开(公告)号：CN111508818B

    公开(公告)日：2024-09-13

    申请号：CN202010061349.1

    申请日：2016-03-31

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 苏尼尔·卡普尔 ,  亚思万斯·兰吉内尼 ,  亚伦·宾汉姆 ,  图安·纽伦

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  G01R1/067 ,  G01R19/165 ,  H01J37/32 ,  G01R1/04 ,  G01R31/28 ,  G01R35/00 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明涉及使用喷头电压变化的故障检测。提供了用于检测等离子体处理系统的处理状态的方法和系统。一方法包括：从射频(RF)功率源向等离子体处理系统的喷头提供RF功率以及在布置在等离子体处理系统中的衬底运行处理操作。该方法还包括：使用串联式连接在RF功率源和喷头之间的电压探针感测喷头的电压。在处理操作的运行期间，电压的感测产生电压值。该方法包括：将电压值与被预定义用于正在运行的处理操作的电压检查带进行比较。该比较被配置为检测电压值在电压检查带之外的时间。该方法还包括：当该比较检测到电压值在电压检查带之外时生成警报。警报进一步被配置为基于被预定义的用于处理操作的电压检查带识别故障的类型。

    一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构
    10.
    发明公开
    一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构 审中-实审

    公开(公告)号：CN118629865A

    公开(公告)日：2024-09-10

    申请号：CN202410890297.7

    申请日：2024-07-03

    申请人： 上海积塔半导体有限公司

    发明人： 刘聪 ,  董信国

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762

    摘要： 本发明提供了一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构，所述沟槽刻蚀方法包括如下步骤：提供衬底，在衬底的表面形成氧化物层和氮化物层；在氮化物层的表面涂布光刻胶层并对光刻胶层进行曝光和显影，获得图案化的光刻胶层；采用干法刻蚀工艺在衬底上形成多个第一沟槽，第一沟槽从所述氮化物层的表面延伸至所述衬底中；在所述第一沟槽的部分表面沉积刻蚀抑制剂；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一沟槽获得第二沟槽，所述第二沟槽的在垂直所述衬底的方向上的深度大于所述第一沟槽的在垂直所述衬底的方向上的深度。本发明的沟槽刻蚀方法适用于深沟槽的制备，可以大幅提升刻蚀的深沟槽的形貌及关键尺寸的可控性，从而大幅度提高对应的半导体产品的良率。