CHARGED PARTICLE LITHOGRAPHY SYSTEM AND BEAM GENERATOR
    2.
    发明公开
    CHARGED PARTICLE LITHOGRAPHY SYSTEM AND BEAM GENERATOR 审中-公开
    拉脱维亚人民共和国执法机构

    公开(公告)号:EP2852966A1

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:EP13723475.3

    申请日:2013-05-14

    Abstract: The invention relates to a charged particle lithography system for exposing a target. The system includes a charged particle beam generator for generating a charged particle beam; an aperture array (6) for forming a plurality of beamlets from the charged particle beam; and a beamlet projector (12) for projecting the beamlets onto a surface of the target. The charged particle beam generator includes a charged particle source (3) for generating a diverging charged particle beam; a collimator system (5a,5b,5c,5d; 72;300) for refracting the diverging charged particle beam; and a cooling arrangement (203) for removing heat from the collimator system, the cooling arrangement comprising a body surrounding at least a portion of the collimator system.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于曝光目标物的带电粒子光刻系统。 该系统包括用于产生带电粒子束的带电粒子束发生器; 用于从带电粒子束形成多个子束的孔径阵列(6); 以及用于将子束投影到目标表面上的小射束投影仪(12)。 带电粒子束发生器包括用于产生发散带电粒子束的带电粒子源(3); 用于折射发散带电粒子束的准直器系统(5a,5b,5c,5d; 72; 300) 以及用于从所述准直器系统去除热的冷却装置(203),所述冷却装置包括围绕所述准直器系统的至少一部分的主体。

    Automated ion beam idle
    3.
    发明公开
    Automated ion beam idle 审中-公开
    自动化离子束空闲

    公开(公告)号:EP2645402A3

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:EP13161508.0

    申请日:2013-03-28

    Applicant: FEI Company

    Abstract: An improved method and apparatus for shutting down and restoring an ion beam in an ion beam system. Preferred embodiments provide a system for improved power control of a focused ion beam source, which utilizes an automatic detection of when a charged particle beam system is idle (the beam itself is not in use) and then automatically reducing the beam current to a degree where little or no ion milling occurs at any aperture plane in the ion column. Preferred embodiments include a controller operable to modify voltage to an extractor electrode and/or to reduce voltage to a source electrode when idle state of an ion source of the charged particle beam system is detected.

    Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
    4.
    发明公开
    Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern 有权
    组件,用于具有用于结构模式高分辨率光刻多个单独成形粒子束的基板的照明

    公开(公告)号:EP2197014A3

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:EP09178753.1

    申请日:2009-12-10

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Beleuchtung eines Substrates mit mehreren individuell geformten steuerbaren Partikelstrahlen, insbesondere für die Elektronenstrahllithographie in der Halbleiterindustrie.
    Die Aufgabe, eine neue Möglichkeit zur Beleuchtung eines Substrats (91) mit mehreren individuell geformten steuerbaren Partikelteilstrahlen (118) zu finden, die eine hochauflösende Strukturierung von Substraten mit einem hohen Substratdurchsatz gestattet, ohne die Flexibilität der anwendbaren Strukturmuster zu beschränken oder infolge einer geforderten Flexibilität den hohen Substratdurchsatz einzuschränken, wird erfindungsgemäß gelöst, indem ein erstes und ein zweites Aperturblendenarray als Multiformatblendenarrays (41, 42) zur Erzeugung von Partikelteilstrahlen (118) mit unterschiedlichen Strahlquerschnitten ausgebildet sind und dem ersten und dem zweiten Multiformatblendenarray (41,42) mindestens drei Multistrahldeflektorarrays (51, 52, 53) zur individuellen Ablenkung der Partikelteilstrahlen (118) zugeordnet sind, wobei mindestens ein Multistrahldeflektorarray (51) zwischen ersten und zweiten Multiformatblendenarray (41, 42) angeordnet ist, um unterschiedliche Querschnitte der Partikelteilstrahlen (118) zu erzeugen, mindestens ein zweites Multistrahldeflektorarray (52) in der Nähe des zweiten Multiformatblendenarrays (42) angeordnet ist, um einzelnen Partikelteilstrahlen (118) in individuelle Crossover abzulenken oder auszutasten, und mindestens ein drittes Multistrahldeflektorarray (53) in einer Entfernung von 10-20 % des Abstandes zum nächsten Crossover (112) dem zweiten Multiformatblendenarrays (42) nachgeordnet ist, um unterschiedliche Positionen der Partikelteilstrahlen (118) auf dem Substrat (91) zu erzeugen.

    Method and apparatus for quantitative three-dimensional reconstruction in scanning electron microscopy
    10.
    发明公开
    Method and apparatus for quantitative three-dimensional reconstruction in scanning electron microscopy 有权
    Verfahren und Vorrichtungfürquantitative dreidimensionale Rekonstruktion in der Rasterelektronenmikroskopie

    公开(公告)号:EP1710828A2

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:EP06005921.9

    申请日:2006-03-23

    Abstract: A method and an apparatus are for three-dimensional tomographic image generation in a scanning electron microscope system. At least two longitudinal marks are provided on the top surface of the sample which include an angle therebetween. In consecutive image recordings, the positions of these marks are determined and are used to quantify the slice thickness removed between consecutive image recordings.

    Abstract translation: 一种用于扫描电子显微镜系统中的三维断层图像生成的方法和装置。 在样品的顶表面上提供至少两个纵向标记,其包括它们之间的角度。 在连续的图像记录中,确定这些标记的位置并用于量化连续图像记录之间去除的切片厚度。

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