HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE
    52.
    发明公开
    HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE 审中-公开
    半导体激光二极管和用于制造半导体激光二极管的方法

    公开(公告)号:EP3304662A1

    公开(公告)日:2018-04-11

    申请号:EP16725514.0

    申请日:2016-05-25

    发明人: EBBECKE, Jens

    IPC分类号: H01S5/10 H01S5/02 H01S5/022

    摘要: The invention relates to a semi-conductor laser diode (10) comprising a semi-conductor layer sequence (1) with an active zone (4), wherein the semi-conductor layer sequence (1) is cylindrical, a cylinder axis (z) of said semi-conductor layer sequence (1) is perpendicular to a layer plane of the semi-conductor layer sequence (1), and the semi-conductor laser diode (10) emits a beam, generated during operation, perpendicularly to the cylinder axis (z) of the semi-conductor layer sequence (1).