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公开(公告)号：EP0674181B1
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：EP95104148.2
申请日：1995-03-21
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Inventor： Shiomi, Hiromu, c/o Itami Works of Sumimoto Elec. , Nishibayahi. Yoshiki, c/o Itami Works of Sumimoto , Shikata, Shin-ichi, c/o Itami Works of Sumimoto
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B3/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/034 , B81B2201/035 , B81B2201/054 , B81B2203/0118 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00682 , B81C2201/0109 , G01H3/08 , G01H11/00 , G01H11/06 , G01P15/125 , G01P2015/0828
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公开(公告)号：EP0992778A3
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：EP99118506.7
申请日：1999-09-18
Applicant: GRUNDFOS A/S
Inventor： Eriksen, Gert Friis
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2203/031 , G01L9/06 , G01L9/12
Abstract: Das Verfahren dient zur Herstellung beispielsweise eines Drucksensors. Es wird zunächst eine erste Trägerschicht 1 mit einer das Messelement bildenden Schicht 3 versehen. Die das Messelement bildende Schicht 3 wird mit einer einen Abstand bildenden Schicht 4 überdeckt, die mindestens im Bereich des Messelementes eine Aussparung 5 aufweist. Dann wird eine zweite Trägerschicht 7 mit der den Abstand bildenden Schicht 4 verbunden, wonach die erste Trägerschicht 1 zur Bildung einer Membran ausgedünnt wird.
Abstract translation: 该方法包括将测量元件作为层（30）施加在第一基底层（1）上，测量元件层设置有形成间隔物的层（4），该层（4）至少在该区域中具有凹部（5） 测量元件的第二基底层（7）连接到空间层，至少在测量元件的区域中使第一基底层更薄，以形成膜。包括用于传感器的独立权利要求 使用方法。
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公开(公告)号：EP0992778A2
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：EP99118506.7
申请日：1999-09-18
Applicant: GRUNDFOS A/S
Inventor： Eriksen, Gert Friis
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2203/031 , G01L9/06 , G01L9/12
Abstract: Das Verfahren dient zur Herstellung beispielsweise eines Drucksensors. Es wird zunächst eine erste Trägerschicht 1 mit einer das Messelement bildenden Schicht 3 versehen. Die das Messelement bildende Schicht 3 wird mit einer einen Abstand bildenden Schicht 4 überdeckt, die mindestens im Bereich des Messelementes eine Aussparung 5 aufweist. Dann wird eine zweite Trägerschicht 7 mit der den Abstand bildenden Schicht 4 verbunden, wonach die erste Trägerschicht 1 zur Bildung einer Membran ausgedünnt wird.
Abstract translation: 该方法被用于例如制备的压力传感器。 首先提供与所述测量元件形成层的第一载体层1。3 形成层3的测量元件覆盖有层形成间隔4中的测量元件的区域中的至少一个具有凹部5。 然后，第二支撑层7被连接到成形距离层4，在此之后，第一载体层1被减薄以形成膜。
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公开(公告)号：EP0979992A1
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：EP99112978.4
申请日：1999-07-05
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Inventor： Aigner, Robert, Dr. , Bever, Thomas, Dr. , Timme, Hans-Jörg, Dr.
IPC: G01L9/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B06B1/0688 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , G01L9/0073 , H04R19/00
Abstract: Beschrieben ist ein mikromechanischer Sensor auf einem Halbleitersubstrat mit auf dem Chip integriertem elektronischen Schaltkreis umfassend einen Hohlraum, eine Membran, eine Gegenelektrode und Ventilationsöffnungen, welche das Volumen des Hohlraums mit der Umgebung verbinden, welcher dadurch gekennzeichnet ist, daß die Ventilationsöffnungen in Richtung der Oberseite des Wafers angeordnet sind und die Gegenelektrode Bestandteil einer Beschichtungsebene ist, die über die gesamte Chipfläche reicht, so daß auf diese Beschichtungsebene eine elektronische Halbleiterschaltung in Halbleitertechnologie aufgebracht werden kann.
Abstract translation: 一种基于具有集成在半导体芯片上的电子电路（11）的半导体衬底的微机械传感器，包括腔（12），膜（13），反电极（14）和用于连通的通气开口（17） 腔体积与气氛。 通风口沿着晶片（15）（上）表面的方向定向，并且对电极形成在整个芯片表面上延伸的涂层平面（5）的组成部分，使得电子半导体电路 11）可以通过使用传统的半导体技术放置在该涂层平面上。 该膜特别由单晶或单晶材料组成，并且计数电极是导电的或设置有导电层。
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65.发明授权Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu 失效由硅 - 绝缘技术的手段，和由此制得的转换器的制造压力传感器的方法
公开(公告)号：EP0605302B1
公开(公告)日：1998-06-03
申请号：EP93403156.8
申请日：1993-12-23
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： Diem, Bernard , Delaye, Marie-Thérèse
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , G01L9/0042 , G01L9/0055 , G01L9/0073 , Y10S148/135 , Y10S148/159
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Patent Agency Ranking66.发明公开Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu 失效由硅 - 绝缘技术的手段，和由此制得的转换器制造压力转换器的方法。
公开(公告)号：EP0605302A2
公开(公告)日：1994-07-06
申请号：EP93403156.8
申请日：1993-12-23
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： Diem, Bernard , Delaye, Marie-Thérèse
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , G01L9/0042 , G01L9/0055 , G01L9/0073 , Y10S148/135 , Y10S148/159
Abstract: Le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes : a) - réalisation d'un film de silicium monocristallin (44) sur un substrat en silicium (6) séparé au moins localement de ce dernier par une couche isolante (42) ; b) - réalisation d'une ouverture (24) dans le film de silicium jusqu'à la couche isolante c) - élimination partielle de la couche isolante via ladite ouverture pour former la membrane dans le film de silicium ; d) - reboucher ladite ouverture (26).
Abstract translation: 发明的过程包括以下步骤：a） - 在一个硅衬底（6）制作的单晶硅片（44）和至少局部地从后者通过在绝缘层（42）隔开; b）段 - 使上开口（24）在膜绝缘硅层直到; C） - 通过以形成在硅成膜隔膜上的所述开口部分地除去所述绝缘层; D） - 重新插入所述开口（26）。
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公开(公告)号：EP3403992A1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：EP18161337.3
申请日：2018-03-12
Applicant: Honeywell International Inc.
Inventor： ENDEAN, Daniel , ROBERTS, Barry A.
CPC classification number: B81B7/008 , B81B7/0045 , B81B7/02 , B81B2201/0228 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/0019 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172 , B81C2203/0792
Abstract: Systems and methods for multi-sensor integrated sensor devices are provided. In one embodiment, a sensor device comprises: a substrate having a first surface and an opposing second surface; a plurality of sensor cavities recessed into the substrate; a first sensor die sealed within a first sensor cavity of the plurality of sensor cavities at a first atmospheric pressure level; a second sensor die sealed within a second sensor cavity of the plurality of sensor cavities at a second atmospheric pressure level that is a different pressure than the first atmospheric pressure level; a first plurality of direct feedthrough electrical conductors embedded within the substrate coupled to the first sensor die; and a second plurality of direct feedthrough electrical conductors embedded within the substrate coupled to the second sensor die.
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公开(公告)号：EP3402393A1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：EP17705487.1
申请日：2017-01-13
CPC classification number: A61B5/01 , A61B2562/0219 , A61B2562/0247 , A61B2562/0257 , A61B2562/0271 , A61B2562/028 , A61B2562/029 , A61B2562/125 , B01L3/502707 , B01L2300/0663 , B01L2300/126 , B01L2400/0406 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81C1/00166 , G01D21/00 , G01L1/142 , G01N27/12 , G01N27/223 , H03K17/955 , H03K17/962 , H03K2217/960755
Abstract: A flexible and non-functionalized low cost paper-based electronic system platform fabricated from common paper, such as paper based sensors, and methods of producing paper based sensors, and methods of sensing using the paper based sensors are provided. A method of producing a paper based sensor can include the steps of: a) providing a conventional paper product to serve as a substrate for the sensor or as an active material for the sensor or both, the paper product not further treated or functionalized; and b) applying a sensing element to the paper substrate, the sensing element selected from the group consisting of a conductive material, the conductive material providing contacts and interconnects, sensitive material film that exhibits sensitivity to pH levels, a compressible and/or porous material disposed between a pair of opposed conductive elements, or a combination of two of more said sensing elements. The method of sensing can further include measuring, using the sensing element, a change in resistance, a change in voltage, a change in current, a change in capacitance, or a combination of any two or more thereof.
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公开(公告)号：EP3342749A3
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：EP17210331.9
申请日：2017-12-22
Applicant: Sonion Nederland B.V.
Inventor： Mögelin, Raymond , de Roo, Dion Ivo , Blom, Frederik Cornelis , Fransen, Alwin , Mulyar, Pavlo , Post, Peter Christiaan
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/007 , B81B3/0045 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , H04R19/005 , H04R19/01 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: The present invention relates to a micro-electromechanical transducer comprising one or more moveable members, and a viscoelastic substance having a predetermined viscoelasticity, the viscoelastic substance being adapted to influence the response of the transducer in a predetermined manner. The micro-electromechanical transducer of the present invention may include a MEMS transducer, such as a MEMS microphone, a MEMS vibration sensor, a MEMS acceleration sensor, a MEMS receiver.
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公开(公告)号：EP3315935A3
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：EP17198026.1
申请日：2017-10-24
Applicant: Rosemount Aerospace Inc.
Inventor： POTASEK, David P.
CPC classification number: B81C3/001 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/013 , B81C2201/019 , B81C2203/0172 , G01L9/0042 , G01L19/148
Abstract: A MEMS device with electronics integration places integrated circuit components on a topping wafer (120A) of a sensing die to conserve space, minimize errors and reduce cost of the device as a whole. The topping wafer is bonded to a sensing wafer (118) and secured in a housing (138).
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